Wafer Silikon Karbida Kemurnian Tinggi (Tidak Didoping) 3 inci dengan Substrat Silikon Karbida Semi-Isolasi (HPS1)

Deskripsi Singkat:

Wafer Silikon Karbida (SiC) Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi (HPSI) 3 inci adalah substrat kelas premium yang dioptimalkan untuk aplikasi daya tinggi, frekuensi tinggi, dan optoelektronik. Diproduksi dengan material 4H-SiC murni tanpa doping, wafer ini menunjukkan konduktivitas termal yang sangat baik, celah pita lebar, dan sifat semi-isolasi yang luar biasa, menjadikannya sangat penting untuk pengembangan perangkat canggih. Dengan integritas struktural dan kualitas permukaan yang unggul, substrat HPSI SiC berfungsi sebagai fondasi untuk teknologi generasi berikutnya di industri elektronika daya, telekomunikasi, dan kedirgantaraan, mendukung inovasi di berbagai bidang.

Kirim email kepada kami

Fitur

Properti

1. Sifat Fisik dan Struktural
●Jenis Material: Silikon Karbida (SiC) Kemurnian Tinggi (Tidak Didoping)
●Diameter: 3 inci (76,2 mm)
●Ketebalan: 0,33-0,5 mm, dapat disesuaikan berdasarkan kebutuhan aplikasi.
●Struktur Kristal: Politipe 4H-SiC dengan kisi heksagonal, dikenal karena mobilitas elektron dan stabilitas termalnya yang tinggi.
●Orientasi:
oStandar: [0001] (bidang C), cocok untuk berbagai aplikasi.
Opsional: Off-axis (kemiringan 4° atau 8°) untuk meningkatkan pertumbuhan epitaksial lapisan perangkat.
●Kerataan: Variasi ketebalan total (TTV) ●Kualitas Permukaan:
1. Dipoles hingga memiliki kepadatan cacat rendah (<10/cm² kepadatan mikropipa). 2. Sifat Kelistrikan ●Resistivitas: >109^99 Ω·cm, dipertahankan dengan menghilangkan dopan yang disengaja.
●Kekuatan Dielektrik: Ketahanan tegangan tinggi dengan kerugian dielektrik minimal, ideal untuk aplikasi daya tinggi.
●Konduktivitas Termal: 3,5-4,9 W/cm·K, memungkinkan pembuangan panas yang efektif pada perangkat berkinerja tinggi.

3. Sifat Termal dan Mekanis
●Celah Pita Lebar: 3,26 eV, mendukung pengoperasian dalam kondisi tegangan tinggi, suhu tinggi, dan radiasi tinggi.
●Kekerasan: Skala Mohs 9, memastikan ketahanan terhadap keausan mekanis selama pemrosesan.
●Koefisien Ekspansi Termal: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, memastikan stabilitas dimensi di bawah variasi suhu.

Parameter	Kelas Produksi	Tingkat Penelitian	Nilai Dummy	Satuan
Nilai	Kelas Produksi	Tingkat Penelitian	Nilai Dummy
Diameter	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Ketebalan	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	mikrometer
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	derajat
Kepadatan Mikropipa (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistivitas Listrik	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Tidak mengandung doping	Tidak mengandung doping	Tidak mengandung doping
Orientasi Datar Utama	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	derajat
Panjang Datar Utama	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Panjang Datar Sekunder	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientasi Datar Sekunder	90° searah jarum jam dari bidang datar utama ± 5,0°	90° searah jarum jam dari bidang datar utama ± 5,0°	90° searah jarum jam dari bidang datar utama ± 5,0°	derajat
Pengecualian Tepi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Busur/Warp	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	mikrometer
Kekasaran Permukaan	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles
Retakan (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Pelat Heksagonal (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Luas kumulatif 10%	%
Area Politipe (Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 20%	Luas kumulatif 30%	%
Goresan (Cahaya Intensitas Tinggi)	≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	mm
Pengelupasan Tepi	Tidak ada ≥ 0,5 mm lebar/kedalaman	2 diperbolehkan lebar/kedalaman ≤ 1 mm	5 diperbolehkan ≤ 5 mm lebar/kedalaman	mm
Kontaminasi Permukaan	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada

Aplikasi

1. Elektronika Daya
Celahan pita yang lebar dan konduktivitas termal yang tinggi dari substrat HPSI SiC menjadikannya ideal untuk perangkat daya yang beroperasi dalam kondisi ekstrem, seperti:
●Perangkat Tegangan Tinggi: Termasuk MOSFET, IGBT, dan Dioda Penghalang Schottky (SBD) untuk konversi daya yang efisien.
●Sistem Energi Terbarukan: Seperti inverter surya dan pengontrol turbin angin.
●Kendaraan Listrik (EV): Digunakan dalam inverter, pengisi daya, dan sistem penggerak untuk meningkatkan efisiensi dan mengurangi ukuran.

2. Aplikasi RF dan Gelombang Mikro
Resistivitas tinggi dan kerugian dielektrik rendah pada wafer HPSI sangat penting untuk sistem frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, termasuk:
●Infrastruktur Telekomunikasi: Stasiun basis untuk jaringan 5G dan komunikasi satelit.
●Dirgantara dan Pertahanan: Sistem radar, antena susunan bertahap (phased-array antennas), dan komponen avionik.

3. Optoelektronik
Transparansi dan celah pita lebar dari 4H-SiC memungkinkan penggunaannya dalam perangkat optoelektronik, seperti:
●Detektor Foto UV: Untuk pemantauan lingkungan dan diagnostik medis.
●LED Daya Tinggi: Mendukung sistem pencahayaan solid-state.
●Dioda Laser: Untuk aplikasi industri dan medis.

4. Penelitian dan Pengembangan
Substrat HPSI SiC banyak digunakan di laboratorium R&D akademis dan industri untuk mengeksplorasi sifat material canggih dan fabrikasi perangkat, termasuk:
●Pertumbuhan Lapisan Epitaksial: Studi tentang pengurangan cacat dan optimasi lapisan.
●Studi Mobilitas Pembawa Muatan: Investigasi transportasi elektron dan lubang pada material dengan kemurnian tinggi.
●Pembuatan prototipe: Pengembangan awal perangkat dan sirkuit baru.

Keuntungan

Kualitas Unggul:
Kemurnian tinggi dan kepadatan cacat rendah memberikan platform yang andal untuk aplikasi canggih.

Stabilitas Termal:
Sifat pembuangan panas yang sangat baik memungkinkan perangkat beroperasi secara efisien dalam kondisi daya dan suhu tinggi.

Kompatibilitas Luas:
Pilihan orientasi dan ketebalan khusus yang tersedia memastikan kemampuan adaptasi untuk berbagai kebutuhan perangkat.

Daya tahan:
Kekerasan dan stabilitas struktural yang luar biasa meminimalkan keausan dan deformasi selama pemrosesan dan pengoperasian.

Fleksibilitas:
Cocok untuk berbagai macam industri, mulai dari energi terbarukan hingga kedirgantaraan dan telekomunikasi.

Kesimpulan

Wafer Silikon Karbida Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi 3 inci mewakili puncak teknologi substrat untuk perangkat berdaya tinggi, frekuensi tinggi, dan optoelektronik. Kombinasi sifat termal, listrik, dan mekanik yang sangat baik memastikan kinerja yang andal di lingkungan yang menantang. Dari elektronika daya dan sistem RF hingga optoelektronik dan R&D tingkat lanjut, substrat HPSI ini menyediakan fondasi untuk inovasi masa depan.
Untuk informasi lebih lanjut atau untuk melakukan pemesanan, silakan hubungi kami. Tim teknis kami siap memberikan panduan dan opsi kustomisasi yang disesuaikan dengan kebutuhan Anda.