Wafer Karbida Silikon Kemurnian Tinggi (Tanpa Doping) 3 inci, Substrat Silikon Semi-Isolasi (HPSl)

Deskripsi Singkat:

Wafer Karbida Silikon (SiC) Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi (HPSI) berukuran 3 inci merupakan substrat premium yang dioptimalkan untuk aplikasi daya tinggi, frekuensi tinggi, dan optoelektronik. Diproduksi dengan material 4H-SiC tanpa doping dan kemurnian tinggi, wafer ini menunjukkan konduktivitas termal yang sangat baik, celah pita lebar, dan sifat semi-isolasi yang luar biasa, sehingga sangat diperlukan untuk pengembangan perangkat tingkat lanjut. Dengan integritas struktural dan kualitas permukaan yang unggul, substrat HPSI SiC menjadi fondasi bagi teknologi generasi mendatang dalam industri elektronika daya, telekomunikasi, dan kedirgantaraan, yang mendukung inovasi di berbagai bidang.

Kirim email ke kami

Fitur

Properti

1. Sifat Fisik dan Struktural
●Jenis Material: Karbida Silikon (SiC) Kemurnian Tinggi (Tanpa Doping)
●Diameter: 3 inci (76,2 mm)
●Ketebalan: 0,33-0,5 mm, dapat disesuaikan berdasarkan persyaratan aplikasi.
●Struktur Kristal: Politipe 4H-SiC dengan kisi heksagonal, dikenal karena mobilitas elektron dan stabilitas termal yang tinggi.
●Orientasi:
oStandar: [0001] (bidang C), cocok untuk berbagai aplikasi.
oOpsional: Di luar sumbu (kemiringan 4° atau 8°) untuk meningkatkan pertumbuhan epitaksial lapisan perangkat.
●Kerataan: Variasi ketebalan total (TTV) ●Kualitas Permukaan:
oDipoles hingga oKerapatan cacat rendah (kerapatan mikropipa <10/cm²). 2. Sifat Listrik ●Resistivitas: >109^99 Ω·cm, dipertahankan dengan menghilangkan dopan yang disengaja.
●Kekuatan Dielektrik: Daya tahan tegangan tinggi dengan kehilangan dielektrik minimal, ideal untuk aplikasi daya tinggi.
●Konduktivitas Termal: 3,5-4,9 W/cm·K, memungkinkan pembuangan panas yang efektif pada perangkat berkinerja tinggi.

3. Sifat Termal dan Mekanik
●Celah Pita Lebar: 3,26 eV, mendukung operasi pada kondisi tegangan tinggi, suhu tinggi, dan radiasi tinggi.
●Kekerasan: Skala Mohs 9, memastikan ketahanan terhadap keausan mekanis selama pemrosesan.
●Koefisien Ekspansi Termal: 4,2×10−6/K4,2 \kali 10^{-6}/\teks{K}4,2×10−6/K, memastikan stabilitas dimensi di bawah variasi suhu.

Parameter	Kelas Produksi	Kelas Penelitian	Kelas Dummy	Satuan
Nilai	Kelas Produksi	Kelas Penelitian	Kelas Dummy
Diameter	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Ketebalan	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 2.0°	Pada sumbu: <0001> ± 2.0°	derajat
Kepadatan Mikropipa (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistivitas Listrik	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopan	Tidak didoping	Tidak didoping	Tidak didoping
Orientasi Datar Utama	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	derajat
Panjang Datar Primer	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Panjang Datar Sekunder	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientasi Datar Sekunder	90° CW dari flat primer ± 5.0°	90° CW dari flat primer ± 5.0°	90° CW dari flat primer ± 5.0°	derajat
Pengecualian Tepi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Busur/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	µm
Kekasaran Permukaan	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles
Retakan (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Pelat Hex (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Luas kumulatif 10%	%
Area Politipe (Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 20%	Luas kumulatif 30%	%
Goresan (Cahaya Intensitas Tinggi)	≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	mm
Pemotongan Tepi	Tidak ada ≥ 0,5 mm lebar/kedalaman	2 diizinkan ≤ 1 mm lebar/kedalaman	5 diizinkan ≤ 5 mm lebar/kedalaman	mm
Kontaminasi Permukaan	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada

Aplikasi

1. Elektronika Daya
Celah pita lebar dan konduktivitas termal yang tinggi dari substrat HPSI SiC menjadikannya ideal untuk perangkat daya yang beroperasi dalam kondisi ekstrem, seperti:
●Perangkat Tegangan Tinggi: Termasuk MOSFET, IGBT, dan Dioda Penghalang Schottky (SBD) untuk konversi daya yang efisien.
●Sistem Energi Terbarukan: Seperti inverter surya dan pengontrol turbin angin.
●Kendaraan Listrik (EV): Digunakan dalam inverter, pengisi daya, dan sistem powertrain untuk meningkatkan efisiensi dan mengurangi ukuran.

2. Aplikasi RF dan Gelombang Mikro
Resistivitas tinggi dan kerugian dielektrik rendah dari wafer HPSI sangat penting untuk sistem frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, termasuk:
●Infrastruktur Telekomunikasi: Stasiun pangkalan untuk jaringan 5G dan komunikasi satelit.
●Kedirgantaraan dan Pertahanan: Sistem radar, antena array bertahap, dan komponen avionik.

3. Optoelektronik
Transparansi dan celah pita lebar 4H-SiC memungkinkan penggunaannya dalam perangkat optoelektronik, seperti:
●Fotodetektor UV: Untuk pemantauan lingkungan dan diagnostik medis.
●LED Daya Tinggi: Mendukung sistem pencahayaan solid-state.
●Dioda Laser: Untuk aplikasi industri dan medis.

4. Penelitian dan Pengembangan
Substrat HPSI SiC banyak digunakan di laboratorium penelitian dan pengembangan akademis dan industri untuk mengeksplorasi sifat material canggih dan fabrikasi perangkat, termasuk:
●Pertumbuhan Lapisan Epitaksial: Studi tentang pengurangan cacat dan optimalisasi lapisan.
●Studi Mobilitas Pembawa: Investigasi transpor elektron dan lubang dalam material dengan kemurnian tinggi.
●Pembuatan prototipe: Pengembangan awal perangkat dan sirkuit baru.

Keuntungan

Kualitas Unggul:
Kemurnian tinggi dan tingkat cacat rendah menyediakan platform andal untuk aplikasi tingkat lanjut.

Stabilitas Termal:
Sifat pembuangan panas yang sangat baik memungkinkan perangkat beroperasi secara efisien dalam kondisi daya dan suhu tinggi.

Kompatibilitas Luas:
Orientasi yang tersedia dan opsi ketebalan khusus memastikan kemampuan beradaptasi untuk berbagai persyaratan perangkat.

Daya tahan:
Kekerasan luar biasa dan stabilitas struktural meminimalkan keausan dan deformasi selama pemrosesan dan pengoperasian.

Keserbagunaan:
Cocok untuk berbagai industri, dari energi terbarukan hingga kedirgantaraan dan telekomunikasi.

Kesimpulan

Wafer Karbida Silikon Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi berukuran 3 inci ini merupakan puncak teknologi substrat untuk perangkat berdaya tinggi, berfrekuensi tinggi, dan optoelektronik. Kombinasi sifat termal, listrik, dan mekanisnya yang unggul memastikan kinerja yang andal di lingkungan yang menantang. Dari elektronika daya dan sistem RF hingga optoelektronik dan R&D canggih, substrat HPSI ini menyediakan fondasi bagi inovasi masa depan.
Untuk informasi lebih lanjut atau pemesanan, silakan hubungi kami. Tim teknis kami siap memberikan panduan dan opsi penyesuaian sesuai kebutuhan Anda.