Wafer Karbida Silikon Kemurnian Tinggi (Tanpa Doping) 3 inci Substrat Sic Semi-Isolasi (HPSl)
Properti
1. Sifat Fisik dan Struktural
●Jenis Material: Karbida Silikon (SiC) Kemurnian Tinggi (Tanpa Doping)
●Diameter: 3 inci (76,2 mm)
●Ketebalan: 0,33-0,5 mm, dapat disesuaikan berdasarkan persyaratan aplikasi.
●Struktur Kristal: Politipe 4H-SiC dengan kisi heksagonal, dikenal karena mobilitas elektron dan stabilitas termal yang tinggi.
●Orientasi:
oStandar: [0001] (bidang C), cocok untuk berbagai aplikasi.
oOpsional: Di luar sumbu (kemiringan 4° atau 8°) untuk meningkatkan pertumbuhan epitaksial lapisan perangkat.
●Kerataan: Variasi ketebalan total (TTV) ●Kualitas Permukaan:
oDipoles hingga oKepadatan cacat rendah (kepadatan mikropipa <10/cm²). 2. Sifat Listrik ●Resistivitas: >109^99 Ω·cm, dipertahankan dengan menghilangkan dopan yang disengaja.
●Kekuatan Dielektrik: Daya tahan tegangan tinggi dengan kehilangan dielektrik minimal, ideal untuk aplikasi daya tinggi.
●Konduktivitas Termal: 3,5-4,9 W/cm·K, memungkinkan pembuangan panas yang efektif pada perangkat berkinerja tinggi.
3. Sifat Termal dan Mekanik
●Bandgap Lebar: 3,26 eV, mendukung operasi pada tegangan tinggi, suhu tinggi, dan kondisi radiasi tinggi.
●Kekerasan: Skala Mohs 9, memastikan ketahanan terhadap keausan mekanis selama pemrosesan.
●Koefisien Ekspansi Termal: 4,2×10−6/K4,2 \kali 10^{-6}/\teks{K}4,2×10−6/K, memastikan stabilitas dimensi di bawah variasi suhu.
Parameter | Kelas Produksi | Kelas Penelitian | Kelas Boneka | Satuan |
Nilai | Kelas Produksi | Kelas Penelitian | Kelas Boneka | |
Diameter | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
Ketebalan | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
Orientasi Wafer | Pada sumbu: <0001> ± 0,5° | Pada sumbu: <0001> ± 2.0° | Pada sumbu: <0001> ± 2.0° | derajat |
Kepadatan Mikropipa (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
Resistivitas Listrik | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
Dopan | Tidak didoping | Tidak didoping | Tidak didoping | |
Orientasi Datar Utama | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | derajat |
Panjang Datar Primer | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
Panjang Datar Sekunder | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
Orientasi Datar Sekunder | 90° CW dari flat primer ± 5.0° | 90° CW dari flat primer ± 5.0° | 90° CW dari flat primer ± 5.0° | derajat |
Pengecualian Tepi | 3 | 3 | 3 | mm |
LTV/TTV/Busur/Warp | 3/10/±30/40 | 3/10/±30/40 | 5/15/±40/45 | µm |
Kekasaran Permukaan | Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles | Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles | Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles | |
Retakan (Cahaya Intensitas Tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada | |
Pelat Hex (Cahaya Intensitas Tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Luas kumulatif 10% | % |
Area Politipe (Cahaya Intensitas Tinggi) | Luas kumulatif 5% | Luas kumulatif 20% | Luas kumulatif 30% | % |
Goresan (Cahaya Intensitas Tinggi) | ≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150 | ≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 | ≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 | mm |
Pemotongan Tepi | Tidak ada lebar/kedalaman ≥ 0,5 mm | 2 diizinkan ≤ 1 mm lebar/kedalaman | 5 diizinkan ≤ 5 mm lebar/kedalaman | mm |
Kontaminasi Permukaan | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
Aplikasi
1. Elektronika Daya
Celah pita lebar dan konduktivitas termal yang tinggi dari substrat HPSI SiC menjadikannya ideal untuk perangkat daya yang beroperasi dalam kondisi ekstrem, seperti:
●Perangkat Tegangan Tinggi: Termasuk MOSFET, IGBT, dan Dioda Penghalang Schottky (SBD) untuk konversi daya yang efisien.
●Sistem Energi Terbarukan: Seperti inverter surya dan pengontrol turbin angin.
●Kendaraan Listrik (EV): Digunakan dalam inverter, pengisi daya, dan sistem powertrain untuk meningkatkan efisiensi dan mengurangi ukuran.
2. Aplikasi RF dan Gelombang Mikro
Resistivitas tinggi dan kerugian dielektrik rendah dari wafer HPSI sangat penting untuk sistem frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, termasuk:
●Infrastruktur Telekomunikasi: Stasiun pangkalan untuk jaringan 5G dan komunikasi satelit.
●Kedirgantaraan dan Pertahanan: Sistem radar, antena array bertahap, dan komponen avionik.
3. Optoelektronik
Transparansi dan celah pita lebar 4H-SiC memungkinkan penggunaannya dalam perangkat optoelektronik, seperti:
●Fotodetektor UV: Untuk pemantauan lingkungan dan diagnostik medis.
●LED Daya Tinggi: Mendukung sistem pencahayaan solid-state.
●Dioda Laser: Untuk aplikasi industri dan medis.
4. Penelitian dan Pengembangan
Substrat HPSI SiC banyak digunakan di laboratorium penelitian dan pengembangan akademis dan industri untuk mengeksplorasi sifat material tingkat lanjut dan fabrikasi perangkat, termasuk:
●Pertumbuhan Lapisan Epitaksial: Studi tentang pengurangan cacat dan optimalisasi lapisan.
●Studi Mobilitas Pembawa: Investigasi transpor elektron dan lubang dalam bahan dengan kemurnian tinggi.
●Pembuatan prototipe: Pengembangan awal perangkat dan sirkuit baru.
Keuntungan
Kualitas Unggul:
Kemurnian tinggi dan tingkat cacat rendah menyediakan platform andal untuk aplikasi tingkat lanjut.
Stabilitas Termal:
Sifat pembuangan panas yang sangat baik memungkinkan perangkat beroperasi secara efisien dalam kondisi daya dan suhu tinggi.
Kompatibilitas Luas:
Orientasi yang tersedia dan pilihan ketebalan khusus memastikan kemampuan beradaptasi untuk berbagai persyaratan perangkat.
Daya tahan:
Kekerasan luar biasa dan stabilitas struktural meminimalkan keausan dan deformasi selama pemrosesan dan pengoperasian.
Keserbagunaan:
Cocok untuk berbagai industri, dari energi terbarukan hingga kedirgantaraan dan telekomunikasi.
Kesimpulan
Wafer Karbida Silikon Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi berukuran 3 inci merupakan puncak teknologi substrat untuk perangkat optoelektronik dan berdaya tinggi serta berfrekuensi tinggi. Kombinasi sifat termal, listrik, dan mekanis yang sangat baik memastikan kinerja yang andal di lingkungan yang menantang. Dari elektronika daya dan sistem RF hingga optoelektronik dan R&D canggih, substrat HPSI ini menyediakan fondasi bagi inovasi masa depan.
Untuk informasi lebih lanjut atau untuk melakukan pemesanan, silakan hubungi kami. Tim teknis kami siap memberikan panduan dan opsi penyesuaian yang disesuaikan dengan kebutuhan Anda.
Diagram Rinci



