Wafer substrat 3 inci 76,2 mm 4H-Semi SiC Wafer SiC semi-penghinaan Silikon Karbida

Deskripsi Singkat:

Wafer SiC kristal tunggal (Silikon Karbida) berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik.Wafer SiC 3 inci adalah bahan semikonduktor generasi berikutnya, wafer silikon karbida semi-isolasi dengan diameter 3 inci.Wafer ditujukan untuk pembuatan perangkat listrik, RF, dan optoelektronik.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Spesifikasi produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) semi-terisolasi 3 inci 4H adalah bahan semikonduktor yang umum digunakan.4H menunjukkan struktur kristal tetrahexahedral.Semi-isolasi berarti substrat memiliki karakteristik resistansi tinggi dan agak terisolasi dari aliran arus.

Wafer substrat tersebut memiliki karakteristik sebagai berikut: konduktivitas termal yang tinggi, kehilangan konduksi yang rendah, ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, dan stabilitas mekanik dan kimia yang sangat baik.Karena silikon karbida memiliki kesenjangan energi yang lebar dan dapat menahan suhu tinggi dan kondisi medan listrik yang tinggi, wafer semi-terisolasi 4H-SiC banyak digunakan dalam perangkat elektronika daya dan frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer semi-insulasi 4H-SiC meliputi:

1--Elektronik daya: wafer 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi perangkat pengalih daya seperti MOSFET (Transistor Efek Medan Semikonduktor Oksida Logam), IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) dan dioda Schottky.Perangkat ini memiliki kerugian konduksi dan switching yang lebih rendah di lingkungan bertegangan tinggi dan bersuhu tinggi serta menawarkan efisiensi dan keandalan yang lebih tinggi.

2 - Perangkat Frekuensi Radio (RF): Wafer semi-terisolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk membuat amplifier daya RF frekuensi tinggi, resistor chip, filter, dan perangkat lainnya.Silikon karbida memiliki kinerja frekuensi tinggi dan stabilitas termal yang lebih baik karena laju penyimpangan saturasi elektron yang lebih besar dan konduktivitas termal yang lebih tinggi.

3--Perangkat optoelektronik: wafer semi-terisolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi dioda laser berdaya tinggi, detektor sinar UV, dan sirkuit terpadu optoelektronik.

Dari segi arah pasar, permintaan wafer semi-insulasi 4H-SiC meningkat seiring dengan berkembangnya bidang elektronika daya, RF, dan optoelektronik.Hal ini disebabkan oleh fakta bahwa silikon karbida memiliki beragam aplikasi, termasuk efisiensi energi, kendaraan listrik, energi terbarukan, dan komunikasi.Di masa depan, pasar wafer semi-insulasi 4H-SiC masih sangat menjanjikan dan diharapkan dapat menggantikan bahan silikon konvensional dalam berbagai aplikasi.