Wafer substrat SiC 4H-semi HPSI 2 inci kelas Penelitian Dummy Produksi

Wafer substrat SiC 4H-semi HPSI 2 inci Dummy Produksi Gambar Unggulan kelas Penelitian

Deskripsi Singkat:

Wafer substrat kristal tunggal silikon karbida 2 inci adalah bahan berkinerja tinggi dengan sifat fisik dan kimia yang luar biasa.Ini terbuat dari bahan kristal tunggal silikon karbida kemurnian tinggi dengan konduktivitas termal yang sangat baik, stabilitas mekanik dan ketahanan suhu tinggi.Berkat proses persiapan presisi tinggi dan bahan berkualitas tinggi, chip ini menjadi salah satu bahan pilihan untuk persiapan perangkat elektronik berkinerja tinggi di banyak bidang.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Wafer SiC substrat silikon karbida semi-isolasi

Substrat silikon karbida terutama dibagi menjadi tipe konduktif dan semi-isolasi, substrat silikon karbida konduktif hingga substrat tipe-n terutama digunakan untuk LED berbasis epitaksi GaN dan perangkat optoelektronik lainnya, perangkat elektronik daya berbasis SiC, dll., dan semi- substrat silikon karbida SiC isolasi terutama digunakan untuk pembuatan epitaksi perangkat frekuensi radio daya tinggi GaN.Selain itu semi-isolasi HPSI dan semi-isolasi SI dengan kemurnian tinggi berbeda, konsentrasi pembawa semi-isolasi dengan kemurnian tinggi berkisar 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, dengan mobilitas elektron tinggi;semi-isolasi adalah bahan dengan resistansi tinggi, resistivitas sangat tinggi, umumnya digunakan untuk substrat perangkat gelombang mikro, non-konduktif.

Wafer SiC lembaran substrat Silikon Karbida semi-isolasi

Struktur kristal SiC menentukan sifat fisiknya, relatif terhadap Si dan GaAs, SiC memiliki sifat fisik;lebar pita terlarang besar, hampir 3 kali lipat dari Si, untuk memastikan bahwa perangkat bekerja pada suhu tinggi dengan keandalan jangka panjang;kekuatan medan tembusnya tinggi, 1O kali lipat dari Si, untuk memastikan kapasitas tegangan perangkat, meningkatkan nilai tegangan perangkat;tingkat saturasi elektron besar, 2 kali lipat dari Si, untuk meningkatkan frekuensi perangkat dan kepadatan daya;konduktivitas termal tinggi, lebih dari Si, konduktivitas termal tinggi, konduktivitas termal tinggi, konduktivitas termal tinggi, konduktivitas termal tinggi, lebih dari Si, konduktivitas termal tinggi, konduktivitas termal tinggi.Konduktivitas termal yang tinggi, lebih dari 3 kali lipat dari Si, meningkatkan kapasitas pembuangan panas perangkat dan mewujudkan miniaturisasi perangkat.