Kelas penelitian tiruan konduktif Wafer SiC 8 inci 200mm 4H-N

Gambar Unggulan Kelas Penelitian Dummy Konduktif Wafer SiC 4H-N 8 Inci 200Mm

Deskripsi Singkat:

Seiring berkembangnya pasar transportasi, energi, dan industri, permintaan akan perangkat elektronika daya yang andal dan berkinerja tinggi terus meningkat.Untuk memenuhi kebutuhan peningkatan kinerja semikonduktor, produsen perangkat mencari bahan semikonduktor celah pita lebar, seperti portofolio wafer silikon karbida (SiC) tipe 4H SiC Kelas Utama kami.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Karena sifat fisik dan elektroniknya yang unik, bahan semikonduktor wafer SiC 200mm digunakan untuk membuat perangkat elektronik berkinerja tinggi, suhu tinggi, tahan radiasi, dan frekuensi tinggi.Harga substrat SiC 8 inci turun secara bertahap seiring dengan semakin majunya teknologi dan meningkatnya permintaan.Perkembangan teknologi terkini mengarah pada pembuatan wafer SiC 200 mm dalam skala produksi.Keuntungan utama bahan semikonduktor wafer SiC dibandingkan dengan wafer Si dan GaAs: Kekuatan medan listrik 4H-SiC selama kerusakan longsoran lebih dari urutan besarnya lebih tinggi daripada nilai yang sesuai untuk Si dan GaAs.Hal ini menyebabkan penurunan resistivitas on-state Ron secara signifikan.Resistivitas dalam keadaan rendah, dikombinasikan dengan kepadatan arus dan konduktivitas termal yang tinggi, memungkinkan penggunaan cetakan yang sangat kecil untuk perangkat listrik.Konduktivitas termal SiC yang tinggi mengurangi ketahanan termal chip.Sifat elektronik perangkat berbasis wafer SiC sangat stabil dari waktu ke waktu dan pada suhu yang stabil, yang menjamin keandalan produk yang tinggi.Silikon karbida sangat tahan terhadap radiasi keras, sehingga tidak menurunkan sifat elektronik chip.Temperatur pengoperasian kristal yang sangat tinggi (lebih dari 6000C) memungkinkan Anda membuat perangkat yang sangat andal untuk kondisi pengoperasian yang keras dan aplikasi khusus.Saat ini, kami dapat memasok wafer 200mmSiC dalam jumlah kecil secara terus-menerus dan memiliki beberapa stok di gudang.

Spesifikasi

Nomor	Barang	Satuan	Produksi	Riset	Contoh
1. Parameter
1.1	politipe	--	4H	4H	4H
1.2	orientasi permukaan	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Parameter kelistrikan
2.1	dopan	--	Nitrogen tipe-n	Nitrogen tipe-n	Nitrogen tipe-n
2.2	resistivitas	ohm ·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Parameter mekanis
3.1	diameter	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	ketebalan	m	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientasi takik	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Kedalaman Takik	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	m	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TV	m	≤10	≤10	≤15
3.7	Busur	m	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Melengkung	m	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Struktur
4.1	kepadatan mikropipa	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	kandungan logam	atom/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Kualitas positif
5.1	depan	--	Si	Si	Si
5.2	permukaan akhir	--	CMP wajah-si	CMP wajah-si	CMP wajah-si
5.3	partikel	ea/wafer	≤100 (ukuran≥0,3μm)	NA	NA
5.4	menggores	ea/wafer	≤5, Panjang Total≤200mm	NA	NA
5.5	Tepian keripik/lekukan/retak/noda/kontaminasi	--	Tidak ada	Tidak ada	NA
5.6	Daerah politipe	--	Tidak ada	Luas ≤10%	Luas ≤30%
5.7	penandaan depan	--	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
6. Kualitas kembali
6.1	kembali selesai	--	Anggota parlemen berwajah C	Anggota parlemen berwajah C	Anggota parlemen berwajah C
6.2	menggores	mm	NA	NA	NA
6.3	Tepi cacat punggung chip/indentasi	--	Tidak ada	Tidak ada	NA
6.4	Kekasaran punggung	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Penandaan kembali	--	Takik	Takik	Takik
7. Tepi
7.1	tepian	--	Talang	Talang	Talang
8. Paket
8.1	kemasan	--	Epi-siap dengan vakum kemasan	Epi-siap dengan vakum kemasan	Epi-siap dengan vakum kemasan
8.2	kemasan	--	Multi-wafer kemasan kaset	Multi-wafer kemasan kaset	Multi-wafer kemasan kaset