Wafer Silikon Karbida 2 inci Substrat SiC tipe-N atau Semi-Insulasi 6H atau 4H

Wafer tipe N 4H SiC
Diameter: 2 inci 50,8mm |4 inci 100mm |6 inci 150mm
Orientasi: keluar sumbu 4,0˚ menuju <1120> ± 0,5˚
Resistivitas: <0,1 ohm.cm
Kekasaran: Si-face CMP Ra <0,5nm, polesan optik C-face Ra <1 nm

Wafer SiC 4H Semi-isolasi
Diameter: 2 inci 50,8mm |4 inci 100mm |6 inci 150mm
Orientasi: pada sumbu {0001} ± 0,25˚
Resistivitas: >1E5 ohm.cm
Kekasaran: Si-face CMP Ra <0,5nm, polesan optik C-face Ra <1 nm

1. Infrastruktur 5G -- catu daya komunikasi.
Catu daya komunikasi adalah basis energi untuk komunikasi server dan stasiun pangkalan.Ini menyediakan energi listrik untuk berbagai peralatan transmisi untuk memastikan pengoperasian normal sistem komunikasi.

2. Tumpukan pengisian kendaraan energi baru - modul daya tumpukan pengisian.
Efisiensi tinggi dan daya tinggi dari modul daya tiang pengisi daya dapat diwujudkan dengan menggunakan silikon karbida pada modul daya tiang pengisi daya, sehingga dapat meningkatkan kecepatan pengisian dan mengurangi biaya pengisian.

3. Pusat data besar, Internet Industri - catu daya server.
Catu daya server adalah perpustakaan energi server.Server menyediakan daya untuk memastikan pengoperasian normal sistem server.Penggunaan komponen daya silikon karbida dalam catu daya server dapat meningkatkan kepadatan daya dan efisiensi catu daya server, mengurangi volume pusat data secara keseluruhan, mengurangi biaya konstruksi pusat data secara keseluruhan, dan mencapai lingkungan yang lebih tinggi. efisiensi.

4. Uhv - Penerapan pemutus sirkuit DC transmisi fleksibel.

5. Rel kecepatan tinggi antar kota dan angkutan kereta antar kota - konverter traksi, transformator elektronika daya, konverter bantu, catu daya tambahan.