Wafer Safir 4 inci C-Plane SSP/DSP 0,43mm 0,65mm
Aplikasi
● Substrat pertumbuhan untuk senyawa III-V dan II-VI.
● Elektronik dan optoelektronik.
● Aplikasi IR.
● Sirkuit Terpadu Silikon Pada Safir (SOS).
● Sirkuit Terpadu Frekuensi Radio (RFIC).
Dalam produksi LED, wafer safir digunakan sebagai substrat untuk pertumbuhan kristal galium nitrida (GaN), yang memancarkan cahaya ketika arus listrik dialirkan.Safir adalah bahan substrat yang ideal untuk pertumbuhan GaN karena memiliki struktur kristal dan koefisien ekspansi termal yang mirip dengan GaN, sehingga meminimalkan cacat dan meningkatkan kualitas kristal.
Dalam optik, wafer safir digunakan sebagai jendela dan lensa di lingkungan bertekanan tinggi dan bersuhu tinggi, serta dalam sistem pencitraan inframerah, karena transparansi dan kekerasannya yang tinggi.
Spesifikasi
| Barang | Pesawat C 4 inci (0001) Wafer Safir 650μm | |
| Bahan Kristal | 99,999%, Kemurnian Tinggi, Al2O3 Monokristalin | |
| Nilai | Perdana, Epi-Siap | |
| Orientasi Permukaan | Pesawat C(0001) | |
| Sudut bidang C terhadap sumbu M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Ketebalan | 650 mikron +/- 25 mikron | |
| Orientasi Datar Primer | Bidang A(11-20) +/- 0,2° | |
| Panjang Datar Primer | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Satu Sisi Dipoles | Permukaan Depan | Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
| (SSP) | Permukaan Belakang | Tanah halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm |
| Sisi Ganda Dipoles | Permukaan Depan | Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
| (DSP) | Permukaan Belakang | Epi-dipoles, Ra <0,2 nm (oleh AFM) |
| TV | <20 mikron | |
| BUSUR | <20 mikron | |
| MELENGKUNG | <20 mikron | |
| Pembersihan / Pengemasan | Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum, | |
| 25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satu potong. | ||
Pengepakan & Pengiriman
Secara umum, kami menyediakan paket dengan kotak kaset 25pcs;kami juga dapat dikemas dengan wadah wafer tunggal di bawah ruang pembersih kelas 100 sesuai dengan kebutuhan klien.
Diagram Terperinci
