Wafer LiTaO3 2 inci-8 inci 10x10x0,5 mm 1sp 2sp untuk Komunikasi 5G/6G
Parameter teknis
| Nama | LiTaO3 bermutu optik | Tingkat tabel suara LiTaO3 |
| Aksial | Potongan Z +/- 0,2 ° | Potongan 36°Y / Potongan 42°Y / Potongan X (+/- 0,2 derajat) |
| Diameter | 76,2 mm + / - 0,3 mm/ 100±0,2 mm | 76,2 mm +/-0,3 mm 100mm +/-0,3mm atau 150±0,5mm |
| Bidang data | 22mm + / - 2mm | 22mm +/-2mm 32mm +/-2mm |
| Ketebalan | Ketebalan 500um +/-5mm 1000um +/-5mm | Ketebalan 500um +/-20mm Ketebalan 350um +/-20mm |
| TV Televisi | ≤ 10um | ≤ 10um |
| Suhu Curie | 605 °C + / - 0,7 °C (metode DTA) | 605 °C + / -3 °C (metode DTA |
| Kualitas permukaan | Pemolesan dua sisi | Pemolesan dua sisi |
| Tepi miring | pembulatan tepi | pembulatan tepi |
Karakteristik Utama
1.Kinerja Listrik dan Optik
· Koefisien Elektro-Optik: r33 mencapai 30 pm/V (X-cut), 1,5× lebih tinggi dari LiNbO3, memungkinkan modulasi elektro-optik pita lebar (>lebar pita 40 GHz).
· Respons Spektral Luas: Rentang transmisi 0,4–5,0 μm (ketebalan 8 mm), dengan tepi penyerapan ultraviolet serendah 280 nm, ideal untuk laser UV dan perangkat titik kuantum.
· Koefisien Piroelektrik Rendah: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), memastikan stabilitas pada sensor inframerah suhu tinggi.
2. Sifat Termal dan Mekanik
· Konduktivitas Termal Tinggi: 4,6 W/m·K (X-cut), empat kali lipat dari kuarsa, mampu bertahan dalam siklus termal -200–500°C.
· Koefisien Ekspansi Termal Rendah: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), kompatibel dengan kemasan silikon untuk meminimalkan tekanan termal.
3. Kontrol Cacat dan Presisi Pemrosesan
· Kepadatan Mikropipa: <0,1 cm⁻² (wafer 8 inci), kepadatan dislokasi <500 cm⁻² (diverifikasi melalui etsa KOH).
· Kualitas Permukaan: Dipoles CMP hingga Ra <0,5 nm, memenuhi persyaratan kerataan tingkat litografi EUV.
Aplikasi Utama
| Daerah | Skenario Aplikasi | Keunggulan Teknis |
| Komunikasi Optik | Laser DWDM 100G/400G, modul hibrida fotonik silikon | Transmisi spektral lebar wafer LiTaO3 dan kehilangan pandu gelombang rendah (α <0,1 dB/cm) memungkinkan perluasan pita-C. |
| Komunikasi 5G/6G | Filter SAW (1,8–3,5 GHz), filter BAW-SMR | Wafer potongan 42°Y mencapai Kt² >15%, menghasilkan kehilangan penyisipan rendah (<1,5 dB) dan roll-off tinggi (>30 dB). |
| Teknologi Kuantum | Detektor foton tunggal, sumber konversi turun parametrik | Koefisien nonlinier tinggi (χ(2)=40 pm/V) dan tingkat hitungan gelap rendah (<100 hitungan/detik) meningkatkan kesetiaan kuantum. |
| Penginderaan Industri | Sensor tekanan suhu tinggi, transformator arus | Respons piezoelektrik wafer LiTaO3 (g33 >20 mV/m) dan toleransi suhu tinggi (>400 °C) sesuai untuk lingkungan ekstrem. |
Layanan XKH
1.Pembuatan Wafer Kustom
· Ukuran dan Pemotongan: wafer 2–8 inci dengan potongan X/Y/Z, potongan 42°Y, dan potongan sudut khusus (toleransi ±0,01°).
· Kontrol Doping: Doping Fe, Mg melalui metode Czochralski (kisaran konsentrasi 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) untuk mengoptimalkan koefisien elektro-optik dan stabilitas termal.
2.Teknologi Proses Canggih
Bahasa Indonesia:
· Periodic Poling (PPLT): Teknologi Smart-Cut untuk wafer LTOI, mencapai presisi periode domain ±10 nm dan konversi frekuensi quasi-phase-matched (QPM).
· Integrasi Heterogen: Wafer komposit LiTaO3 berbasis Si (POI) dengan kontrol ketebalan (300–600 nm) dan konduktivitas termal hingga 8,78 W/m·K untuk filter SAW frekuensi tinggi.
3. Sistem Manajemen Mutu
Bahasa Indonesia:
· Pengujian Ujung-ke-Ujung: Spektroskopi Raman (verifikasi politipe), XRD (kristalinitas), AFM (morfologi permukaan), dan pengujian keseragaman optik (Δn <5×10⁻⁵).
4.Dukungan Rantai Pasokan Global
Bahasa Indonesia:
· Kapasitas Produksi: Output bulanan >5.000 wafer (8 inci: 70%), dengan pengiriman darurat 48 jam.
· Jaringan Logistik: Cakupan di Eropa, Amerika Utara, dan Asia-Pasifik melalui angkutan udara/laut dengan pengemasan yang suhunya terkontrol.
