Wafer LiTaO3 2 inci-8 inci 10x10x0,5 mm 1sp 2sp untuk Komunikasi 5G/6G

Deskripsi Singkat:

Wafer LiTaO3 (wafer litium tantalat), material penting dalam semikonduktor dan optoelektronik generasi ketiga, memanfaatkan suhu Curie yang tinggi (610°C), rentang transparansi yang luas (0,4–5,0 μm), koefisien piezoelektrik yang unggul (d33 > 1.500 pC/N), dan rugi dielektrik yang rendah (tanδ < 2%) untuk merevolusi komunikasi 5G, integrasi fotonik, dan perangkat kuantum. Dengan memanfaatkan teknologi fabrikasi canggih seperti transpor uap fisik (PVT) dan deposisi uap kimia (CVD), XKH menyediakan wafer potong-X/Y/Z, potong-42°Y, dan pole periodik (PPLT) dalam format 2–8 inci, dengan kekasaran permukaan (Ra) <0,5 nm dan kerapatan pipa mikro <0,1 cm⁻². Layanan kami meliputi doping Fe, reduksi kimia, dan integrasi heterogen Smart-Cut, yang menangani filter optik berkinerja tinggi, detektor inframerah, dan sumber cahaya kuantum. Material ini mendorong terobosan dalam miniaturisasi, operasi frekuensi tinggi, dan stabilitas termal, yang mempercepat substitusi domestik dalam teknologi-teknologi penting.


  • :
  • Fitur

    Parameter teknis

    Nama LiTaO3 tingkat optik Tingkat meja suara LiTaO3
    Aksial Potongan Z + / - 0,2 ° Potongan 36° Y / Potongan 42° Y / Potongan X

    (+/- 0,2 derajat)

    Diameter 76,2 mm + / - 0,3 mm/

    100±0,2 mm

    76,2 mm + /- 0,3 mm

    100mm +/-0,3mm atau 150±0,5mm

    Bidang datum 22mm + / - 2mm 22mm + /-2mm

    32mm + /-2mm

    Ketebalan 500um + /-5mm

    1000um +/-5mm

    500um +/-20mm

    350um +/-20mm

    Televisi ≤ 10um ≤ 10um
    Suhu Curie 605 °C + / - 0,7 °C (metode DTA) 605 °C + / -3 °C (metode DTA
    Kualitas permukaan Pemolesan dua sisi Pemolesan dua sisi
    Tepi miring pembulatan tepi pembulatan tepi

     

    Karakteristik Utama

    1.Kinerja Listrik dan Optik
    · Koefisien Elektro-Optik: r33 mencapai 30 pm/V (X-cut), 1,5× lebih tinggi dari LiNbO3, memungkinkan modulasi elektro-optik pita lebar (>lebar pita 40 GHz).
    · Respons Spektral Luas: Rentang transmisi 0,4–5,0 μm (ketebalan 8 mm), dengan tepi penyerapan ultraviolet serendah 280 nm, ideal untuk laser UV dan perangkat titik kuantum.
    · Koefisien Piroelektrik Rendah: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), memastikan stabilitas pada sensor inframerah suhu tinggi.

    2. Sifat Termal dan Mekanik
    · Konduktivitas Termal Tinggi: 4,6 W/m·K (potongan X), empat kali lipat dari kuarsa, mampu bertahan pada siklus termal -200–500°C.
    · Koefisien Ekspansi Termal Rendah: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), kompatibel dengan kemasan silikon untuk meminimalkan tekanan termal.
    3. Kontrol Cacat dan Presisi Pemrosesan
    · Kepadatan Mikropipa: <0,1 cm⁻² (wafer 8 inci), kepadatan dislokasi <500 cm⁻² (diverifikasi melalui etsa KOH).
    · Kualitas Permukaan: Dipoles CMP hingga Ra <0,5 nm, memenuhi persyaratan kerataan tingkat litografi EUV.

    Aplikasi Utama

    Domain​​

    Skenario Aplikasi

    Keunggulan Teknis

    Komunikasi Optik

    Laser DWDM 100G/400G, modul hibrida fotonik silikon

    Transmisi spektral lebar wafer LiTaO3 dan kehilangan pandu gelombang rendah (α <0,1 dB/cm) memungkinkan perluasan pita-C.

    Komunikasi 5G/6G

    Filter SAW (1,8–3,5 GHz), filter BAW-SMR

    Wafer potongan 42°Y mencapai Kt² >15%, menghasilkan kehilangan penyisipan rendah (<1,5 dB) dan roll-off tinggi (>30 dB).

    Teknologi Kuantum

    Detektor foton tunggal, sumber konversi turun parametrik

    Koefisien nonlinier tinggi (χ(2)=40 pm/V) dan laju hitungan gelap rendah (<100 hitungan/detik) meningkatkan kesetiaan kuantum.

    Penginderaan Industri

    Sensor tekanan suhu tinggi, transformator arus

    Respons piezoelektrik wafer LiTaO3 (g33 >20 mV/m) dan toleransi suhu tinggi (>400°C) sesuai untuk lingkungan ekstrem.

     

    Layanan XKH

    1. Pembuatan Wafer Kustom

    · Ukuran dan Pemotongan: wafer 2–8 inci dengan potongan X/Y/Z, potongan 42°Y, dan potongan sudut khusus (toleransi ±0,01°).

    · Kontrol Doping: Doping Fe, Mg melalui metode Czochralski (kisaran konsentrasi 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) untuk mengoptimalkan koefisien elektro-optik dan stabilitas termal.

    2.Teknologi Proses Canggih
    Bahasa Indonesia: ​​
    · Periodic Poling (PPLT): Teknologi Smart-Cut untuk wafer LTOI, mencapai presisi periode domain ±10 nm dan konversi frekuensi quasi-phase-matched (QPM).

    · Integrasi Heterogen: Wafer komposit LiTaO3 berbasis Si (POI) dengan kontrol ketebalan (300–600 nm) dan konduktivitas termal hingga 8,78 W/m·K untuk filter SAW frekuensi tinggi.

    3.Sistem Manajemen Mutu
    Bahasa Indonesia: ​​
    · Pengujian Ujung-ke-Ujung: Spektroskopi Raman (verifikasi politipe), XRD (kristalinitas), AFM (morfologi permukaan), dan pengujian keseragaman optik (Δn <5×10⁻⁵).

    4.Dukungan Rantai Pasokan Global
    Bahasa Indonesia: ​​
    · Kapasitas Produksi: Output bulanan >5.000 wafer (8 inci: 70%), dengan pengiriman darurat 48 jam.

    · Jaringan Logistik: Cakupan di Eropa, Amerika Utara, dan Asia-Pasifik melalui angkutan udara/laut dengan pengemasan yang suhunya terkontrol.

    Peralatan Anti-Pemalsuan Holografik Laser 2
    Peralatan Anti-Pemalsuan Holografik Laser 3
    Peralatan Anti-Pemalsuan Holografik Laser 5

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami