Wafer LiNbO₃ 2 inci-8 inci Ketebalan 0,1 ~ 0,5 mm TTV 3µm Kustom

Wafer LiNbO₃ 2 inci-8 inci Ketebalan 0,1 ~ 0,5 mm TTV 3µm Gambar Unggulan Kustom

Deskripsi Singkat:

Wafer LiNbO₃ mewakili standar emas dalam fotonika terintegrasi dan akustik presisi, memberikan kinerja yang tak tertandingi dalam sistem optoelektronik modern. Sebagai produsen terkemuka, kami telah menyempurnakan seni memproduksi substrat hasil rekayasa ini melalui teknik kesetimbangan transpor uap tingkat lanjut, mencapai kesempurnaan kristal terdepan di industri dengan kepadatan cacat di bawah 50/cm².

Kemampuan produksi XKH mencakup diameter dari 75mm hingga 150mm, dengan kontrol orientasi yang presisi (pemotongan X/Y/Z ±0,3°) dan opsi doping khusus termasuk unsur tanah jarang. Kombinasi unik dari sifat-sifat pada wafer LiNbO₃ – termasuk koefisien r₃₃ yang luar biasa (32±2 pm/V) dan transparansi yang luas dari near-UV hingga mid-IR – menjadikannya sangat diperlukan untuk sirkuit fotonik generasi berikutnya dan perangkat akustik frekuensi tinggi.

Kirim email kepada kami

Fitur

Parameter teknis

Bahan	Wafer LiNbO3 Kelas Optik
Suhu Curie	1142±2.0℃
Sudut Potong	X/Y/Z dan seterusnya
Diameter/ukuran	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Ketebalan	0,1 ~ 0,5 mm atau lebih
Apartemen Utama	16mm/22mm/32mm
TTV	<3µm
Busur	-30
Melengkung	<40µm
Orientasi Datar	Semua tersedia
Jenis Permukaan	Dipoles Satu Sisi / Dipoles Dua Sisi
Sisi yang dipoles Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Kriteria Batas	R=0,2mm atau Bullnose
Doping optik	Fe/Zn/MgO dll untuk wafer LN kelas optik
Kriteria Permukaan Wafer	Indeks bias	No=2.2878/Ne=2.2033 pada panjang gelombang 632nm
	Kontaminasi,	Tidak ada
	Partikel >0,3 µm	<= 30
	Goresan, Pengelupasan	Tidak ada
	Cacat	Tidak ada retakan di tepi, goresan, bekas gergaji, atau noda.
Kemasan	Jumlah/Kotak wafer	25 buah per kotak

Atribut Inti dari Wafer LiNbO₃ Kami

1. Karakteristik Kinerja Fotonik

Wafer LiNbO₃ kami menunjukkan kemampuan interaksi cahaya-materi yang luar biasa, dengan koefisien optik nonlinier mencapai 42 pm/V - memungkinkan proses konversi panjang gelombang yang efisien yang sangat penting untuk fotonika kuantum. Substrat mempertahankan transmisi >72% di seluruh rentang 320-5200nm, dengan versi yang dirancang khusus mencapai kehilangan propagasi <0,2dB/cm pada panjang gelombang telekomunikasi.

2. Teknik Gelombang Akustik

Struktur kristal wafer LiNbO₃ kami mendukung kecepatan gelombang permukaan yang melebihi 3800 m/s, memungkinkan pengoperasian resonator hingga 12 GHz. Teknik pemolesan eksklusif kami menghasilkan perangkat gelombang akustik permukaan (SAW) dengan kerugian penyisipan di bawah 1,2 dB, sambil mempertahankan stabilitas suhu dalam ±15 ppm/°C.

3. Ketahanan Lingkungan

Dirancang untuk tahan terhadap kondisi ekstrem, wafer LiNbO₃ kami mempertahankan fungsionalitasnya mulai dari suhu kriogenik hingga lingkungan operasional 500°C. Material ini menunjukkan ketahanan radiasi yang luar biasa, mampu menahan dosis pengion total >1 Mrad tanpa penurunan kinerja yang signifikan.

4. Konfigurasi Khusus Aplikasi

Kami menawarkan varian yang direkayasa secara domain, termasuk:
Struktur terpolarisasi secara periodik dengan periode domain 5-50μm
Film tipis hasil pemotongan ion untuk integrasi hibrida
Versi yang ditingkatkan dengan metamaterial untuk aplikasi khusus.

Skenario Implementasi untuk Wafer LiNbO₃

1. Jaringan Optik Generasi Berikutnya
Wafer LiNbO₃ berfungsi sebagai tulang punggung untuk transceiver optik skala terabit, memungkinkan transmisi koheren 800Gbps melalui desain modulator bertingkat yang canggih. Substrat kami semakin banyak diadopsi untuk implementasi optik yang dikemas bersama dalam sistem akselerator AI/ML.
Frontend RF 2.6G
Generasi terbaru wafer LiNbO₃ mendukung penyaringan ultra-lebar hingga 20GHz, menjawab kebutuhan spektrum standar 6G yang sedang berkembang. Material kami memungkinkan arsitektur resonator akustik baru dengan faktor Q yang melampaui 2000.
3. Sistem Informasi Kuantum
Wafer LiNbO₃ yang dipolarisasi secara presisi menjadi dasar bagi sumber foton terentangled dengan efisiensi pembangkitan pasangan >90%. Substrat kami memungkinkan terobosan dalam komputasi kuantum fotonik dan jaringan komunikasi yang aman.
4. Solusi Penginderaan Tingkat Lanjut
Mulai dari LiDAR otomotif yang beroperasi pada 1550nm hingga sensor gravimetrik ultra-sensitif, wafer LiNbO₃ menyediakan platform transduksi yang sangat penting. Material kami memungkinkan resolusi sensor hingga tingkat deteksi molekul tunggal.

Keunggulan Utama Wafer LiNbO₃

1. Kinerja Elektro-Optik yang Tak Tertandingi
Koefisien Elektro-Optik yang Sangat Tinggi (r₃₃~30-32 pm/V): Mewakili tolok ukur industri untuk wafer litium niobat komersial, memungkinkan modulator optik berkecepatan tinggi 200Gbps+ yang jauh melampaui batas kinerja solusi berbasis silikon atau polimer.

Kerugian Penyisipan Ultra Rendah (<0,1 dB/cm): Dicapai melalui pemolesan skala nano (Ra<0,3 nm) dan lapisan anti-refleksi (AR), yang secara signifikan meningkatkan efisiensi energi modul komunikasi optik.

2. Sifat Piezoelektrik & Akustik yang Unggul
Ideal untuk Perangkat SAW/BAW Frekuensi Tinggi: Dengan kecepatan akustik 3500-3800 m/s, wafer ini mendukung desain filter 6G mmWave (24-100 GHz) yang memiliki kerugian penyisipan <1,0 dB.

Koefisien Kopling Elektromekanik Tinggi (K²~0,25%): Meningkatkan bandwidth dan selektivitas sinyal pada komponen front-end RF, sehingga cocok untuk stasiun pangkalan 5G/6G dan komunikasi satelit.

3. Transparansi Pita Lebar & Efek Optik Nonlinier
Jendela Transmisi Optik Ultra Lebar (350-5000 nm): Mencakup spektrum UV hingga inframerah menengah, memungkinkan aplikasi seperti:

Optik Kuantum: Konfigurasi yang dipolarisasi secara periodik (PPLN) mencapai efisiensi >90% dalam pembangkitan pasangan foton terentangled.

Sistem Laser: Osilasi parametrik optik (OPO) menghasilkan keluaran panjang gelombang yang dapat disetel (1-10 μm).

Ambang Batas Kerusakan Laser Luar Biasa (>1 GW/cm²): Memenuhi persyaratan ketat untuk aplikasi laser daya tinggi.

4. Stabilitas Lingkungan yang Ekstrem
Ketahanan Suhu Tinggi (Titik Curie: 1140°C): Mempertahankan kinerja stabil pada suhu -200°C hingga +500°C, ideal untuk:

Elektronik Otomotif (sensor ruang mesin)

Pesawat ruang angkasa (komponen optik ruang angkasa dalam)

Ketahanan Radiasi (>1 Mrad TID): Sesuai dengan standar MIL-STD-883, cocok untuk elektronik nuklir dan pertahanan.

5. Fleksibilitas Kustomisasi & Integrasi
Optimasi Orientasi Kristal & Doping:

Wafer potongan X/Y/Z (presisi ±0,3°)

Doping MgO (5 mol%) untuk meningkatkan ketahanan terhadap kerusakan optik.

Dukungan Integrasi Heterogen:

Kompatibel dengan film tipis LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) untuk integrasi hibrida dengan fotonik silikon (SiPh)

Memungkinkan pengikatan tingkat wafer untuk optik yang dikemas bersama (CPO)

6. Produksi yang Dapat Diperluas & Efisiensi Biaya
Produksi Massal Wafer 6 inci (150 mm): Mengurangi biaya per unit hingga 30% dibandingkan dengan proses 4 inci tradisional.

Pengiriman Cepat: Produk standar dikirim dalam 3 minggu; prototipe dalam jumlah kecil (minimal 5 wafer) dikirim dalam 10 hari.

Layanan XKH

1. Laboratorium Inovasi Material
Para ahli pertumbuhan kristal kami berkolaborasi dengan klien untuk mengembangkan formulasi wafer LiNbO₃ khusus aplikasi, termasuk:

Varian dengan kehilangan optik rendah (<0,05dB/cm)

Konfigurasi penanganan daya tinggi

Komposisi tahan radiasi

2. Alur Kerja Pembuatan Prototipe Cepat
Dari desain hingga pengiriman dalam 10 hari kerja untuk:

Wafer dengan orientasi khusus

Elektroda berpola

Sampel yang telah dikarakterisasi sebelumnya

3. Sertifikasi Kinerja
Setiap pengiriman wafer LiNbO₃ meliputi:

Karakterisasi spektroskopi lengkap

Verifikasi orientasi kristalografi

Sertifikasi kualitas permukaan

4. Jaminan Rantai Pasokan