Wafer LiNbO₃ Ketebalan 2 inci-8 inci 0,1 ~ 0,5 mm TTV 3µm Kustom

Wafer LiNbO₃ Ketebalan 2 inci-8 inci 0,1 ~ 0,5 mm TTV 3µm Gambar Unggulan Kustom

Deskripsi Singkat:

Wafer LiNbO₃ mewakili standar emas dalam fotonik terintegrasi dan akustik presisi, menghadirkan kinerja tak tertandingi dalam sistem optoelektronik modern. Sebagai produsen terkemuka, kami telah menyempurnakan seni produksi substrat rekayasa ini melalui teknik ekuilibrasi transpor uap yang canggih, mencapai kesempurnaan kristal terdepan di industri dengan kerapatan cacat di bawah 50/cm².

Kemampuan produksi XKH mencakup diameter 75 mm hingga 150 mm, dengan kontrol orientasi presisi (potongan X/Y/Z ±0,3°) dan opsi doping khusus, termasuk unsur tanah jarang. Kombinasi unik sifat-sifat Wafer LiNbO₃ – termasuk koefisien r₃₃ yang luar biasa (32±2 pm/V) dan transparansi yang luas dari UV-dekat hingga IR-tengah – menjadikannya sangat diperlukan untuk sirkuit fotonik generasi mendatang dan perangkat akustik frekuensi tinggi.

Kirim email ke kami

Fitur

Parameter teknis

Bahan	Wafe LiNbO3 Kelas Optik
Suhu Curie	1142±2,0℃
Sudut Pemotongan	X/Y/Z dll
Diameter/ukuran	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Ketebalan	0,1 ~ 0,5 mm atau lebih
Flat Utama	16mm/22mm/32mm
TTV	<3µm
Busur	-30
Melengkung	<40µm
Orientasi Datar	Semua tersedia
Jenis Permukaan	Poles Satu Sisi / Poles Dua Sisi
Sisi yang dipoles Ra	<0,5nm
S/D	20/10
Kriteria Tepi	R=0,2mm atau Bullnose
Doping optik	Fe/Zn/MgO dll untuk wafer LN< kelas optik
Kriteria Permukaan Wafer	Indeks bias	No=2.2878/Ne=2.2033 pada panjang gelombang 632nm
	Kontaminasi,	Tidak ada
	Partikel ￠>0,3 µ m	<= 30
	Goresan, Terkelupas	Tidak ada
	Cacat	Tidak ada retakan tepi, goresan, bekas gergaji, noda
Kemasan	Jumlah/Kotak wafer	25 pcs per kotak

Atribut Inti Wafer LiNbO₃ Kami

1. Karakteristik Kinerja Fotonik

Wafer LiNbO₃ kami menunjukkan kemampuan interaksi cahaya-materi yang luar biasa, dengan koefisien optik nonlinier mencapai 42 pm/V—memungkinkan proses konversi panjang gelombang yang efisien dan penting bagi fotonik kuantum. Substrat mempertahankan transmisi >72% pada 320-5200 nm, dengan versi yang direkayasa secara khusus mencapai kehilangan propagasi <0,2 dB/cm pada panjang gelombang telekomunikasi.

2.Teknik Gelombang Akustik

Struktur kristal Wafer LiNbO₃ kami mendukung kecepatan gelombang permukaan di atas 3800 m/s, memungkinkan operasi resonator hingga 12GHz. Teknik pemolesan eksklusif kami menghasilkan perangkat gelombang akustik permukaan (SAW) dengan rugi-rugi penyisipan di bawah 1,2 dB, dengan tetap menjaga stabilitas suhu dalam kisaran ±15 ppm/°C.

3. Ketahanan Lingkungan

Dirancang untuk tahan terhadap kondisi ekstrem, Wafer LiNbO₃ kami tetap berfungsi dari suhu kriogenik hingga lingkungan operasional 500°C. Material ini menunjukkan ketahanan radiasi yang luar biasa, mampu menahan dosis pengion total >1 Mrad tanpa penurunan kinerja yang signifikan.

4. Konfigurasi Khusus Aplikasi

Kami menawarkan varian rekayasa domain termasuk:
Struktur polarisasi periodik dengan periode domain 5-50μm
Film tipis yang diiris ion untuk integrasi hibrida
Versi yang disempurnakan dengan metamaterial untuk aplikasi khusus

Skenario Implementasi untuk Wafer LiNbO₃

1. Jaringan Optik Generasi Berikutnya
Wafer LiNbO₃ berfungsi sebagai tulang punggung transceiver optik berskala terabit, memungkinkan transmisi koheren 800Gbps melalui desain modulator bersarang yang canggih. Substrat kami semakin banyak digunakan untuk implementasi optik co-packaged dalam sistem akselerator AI/ML.
Ujung Depan RF 2.6G
Wafer LiNbO₃ generasi terbaru mendukung penyaringan pita lebar ultra hingga 20GHz, memenuhi kebutuhan spektrum standar 6G yang sedang berkembang. Material kami memungkinkan arsitektur resonator akustik baru dengan faktor Q melampaui 2000.
3.Sistem Informasi Kuantum
Wafer LiNbO₃ berpolar presisi membentuk fondasi bagi sumber foton terjerat dengan efisiensi pembangkitan pasangan >90%. Substrat kami memungkinkan terobosan dalam komputasi kuantum fotonik dan jaringan komunikasi yang aman.
4. Solusi Penginderaan Canggih
Dari LiDAR otomotif yang beroperasi pada 1550 nm hingga sensor gravimetrik ultra-sensitif, Wafer LiNbO₃ menyediakan platform transduksi yang krusial. Material kami memungkinkan resolusi sensor hingga tingkat deteksi molekul tunggal.

Keunggulan Utama Wafer LiNbO₃

1. Performa Elektro-Optik yang Tak Tertandingi
Koefisien Elektro-Optik yang Sangat Tinggi (r₃₃~30-32 pm/V): Merupakan tolok ukur industri untuk wafer litium niobate komersial, yang memungkinkan modulator optik berkecepatan tinggi 200Gbps+ yang jauh melampaui batas kinerja solusi berbasis silikon atau polimer.

Kehilangan Penyisipan Ultra-Rendah (<0,1 dB/cm): Dicapai melalui pemolesan skala nano (Ra<0,3 nm) dan lapisan anti-pantulan (AR), yang secara signifikan meningkatkan efisiensi energi modul komunikasi optik.

2. Sifat Piezoelektrik & Akustik yang Unggul
Ideal untuk Perangkat SAW/BAW Frekuensi Tinggi: Dengan kecepatan akustik 3500-3800 m/s, wafer ini mendukung desain filter 6G mmWave (24-100 GHz) yang menampilkan kerugian penyisipan <1,0 dB.

Koefisien Kopling Elektromekanis Tinggi (K²~0,25%): Meningkatkan bandwidth dan selektivitas sinyal dalam komponen front-end RF, membuatnya cocok untuk stasiun pangkalan 5G/6G dan komunikasi satelit.

3. Transparansi Pita Lebar & Efek Optik Nonlinier
Jendela Transmisi Optik Ultra-Lebar (350-5000 nm): Mencakup spektrum UV hingga IR menengah, memungkinkan aplikasi seperti:

Optik Kuantum: Konfigurasi kutub periodik (PPLN) mencapai efisiensi >90% dalam pembangkitan pasangan foton terjerat.

Sistem Laser: Osilasi parametrik optik (OPO) memberikan keluaran panjang gelombang yang dapat disetel (1-10 μm).

Ambang Kerusakan Laser yang Luar Biasa (>1 GW/cm²): Memenuhi persyaratan ketat untuk aplikasi laser daya tinggi.

4. Stabilitas Lingkungan Ekstrim
Tahan Suhu Tinggi (titik Curie: 1140°C): Mempertahankan kinerja yang stabil pada suhu -200°C hingga +500°C, ideal untuk:

Elektronik Otomotif (sensor kompartemen mesin)

Pesawat ruang angkasa (komponen optik luar angkasa)

Kekerasan Radiasi (>1 Mrad TID): Sesuai dengan standar MIL-STD-883, cocok untuk elektronik nuklir dan pertahanan.

5. Fleksibilitas Kustomisasi & Integrasi
Orientasi Kristal & Optimasi Doping:

Wafer potongan X/Y/Z (presisi ±0,3°)

Doping MgO (5 mol%) untuk meningkatkan ketahanan terhadap kerusakan optik

Dukungan Integrasi Heterogen:

Kompatibel dengan LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) lapisan tipis untuk integrasi hibrid dengan fotonik silikon (SiPh)

Memungkinkan pengikatan tingkat wafer untuk optik yang dikemas bersama (CPO)

6. Produksi yang Dapat Diskalakan & Efisiensi Biaya
Produksi Massal Wafer 6 inci (150 mm): Mengurangi biaya unit hingga 30% dibandingkan dengan proses 4 inci tradisional.

Pengiriman Cepat: Produk standar dikirim dalam 3 minggu; prototipe batch kecil (minimal 5 wafer) dikirim dalam 10 hari.

Layanan XKH

1. Laboratorium Inovasi Material
Pakar pertumbuhan kristal kami berkolaborasi dengan klien untuk mengembangkan formulasi Wafer LiNbO₃ spesifik aplikasi, termasuk:

Varian kehilangan optik rendah (<0,05dB/cm)

Konfigurasi penanganan daya tinggi

Komposisi yang tahan radiasi

2. Alur Pembuatan Prototipe Cepat
Dari desain hingga pengiriman dalam 10 hari kerja untuk:

Wafer orientasi khusus

Elektroda berpola

Sampel yang telah dikarakterisasi sebelumnya

3. Sertifikasi Kinerja
Setiap pengiriman Wafer LiNbO₃ meliputi:

Karakterisasi spektroskopi lengkap

Verifikasi orientasi kristalografi

Sertifikasi kualitas permukaan

4. Jaminan Rantai Pasokan