Wafer Silikon Karbida (SiC) 6 inci (150 mm) tipe 4H-N untuk Produksi MOS atau SBD, Penelitian, dan Kelas Dummy.

Deskripsi Singkat:

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci adalah material berkinerja tinggi dengan sifat fisik dan kimia yang sangat baik. Diproduksi dari material kristal tunggal silikon karbida dengan kemurnian tinggi, substrat ini menunjukkan konduktivitas termal, stabilitas mekanik, dan ketahanan suhu tinggi yang unggul. Substrat ini, yang dibuat dengan proses manufaktur presisi dan material berkualitas tinggi, telah menjadi material pilihan untuk pembuatan perangkat elektronik efisiensi tinggi di berbagai bidang.


Fitur

Bidang Aplikasi

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci memainkan peran penting dalam berbagai industri. Pertama, substrat ini banyak digunakan dalam industri semikonduktor untuk pembuatan perangkat elektronik daya tinggi seperti transistor daya, sirkuit terpadu, dan modul daya. Konduktivitas termal yang tinggi dan ketahanan suhu tinggi memungkinkan pembuangan panas yang lebih baik, sehingga menghasilkan peningkatan efisiensi dan keandalan. Kedua, wafer silikon karbida sangat penting dalam bidang penelitian untuk pengembangan material dan perangkat baru. Selain itu, wafer silikon karbida banyak digunakan di bidang optoelektronik, termasuk pembuatan LED dan dioda laser.

Spesifikasi Produk

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci memiliki diameter 6 inci (sekitar 152,4 mm). Kekasaran permukaannya adalah Ra < 0,5 nm, dan ketebalannya adalah 600 ± 25 μm. Substrat dapat disesuaikan dengan konduktivitas tipe N atau tipe P, berdasarkan kebutuhan pelanggan. Selain itu, substrat ini menunjukkan stabilitas mekanik yang luar biasa, mampu menahan tekanan dan getaran.

Diameter 150±2.0mm (6 inci)

Ketebalan

350 μm±25μm

Orientasi

Pada sumbu : <0001>±0.5°

Di luar sumbu: 4,0° ke arah 1120±0,5°

Politipe 4H

Resistivitas (Ω·cm)

4H-N

0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm

4/6H-SI

>1E5

Orientasi datar utama

{10-10}±5.0°

Panjang bidang datar utama (mm)

47,5 mm ± 2,5 mm

Tepian

Talang

TTV/Bow/Warp (um)

≤15 /≤40 /≤60

AFM Depan (Si-face)

Polandia Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

LTV

≤3μm (10mm*10mm)

≤5μm (10mm*10mm)

≤10μm (10mm*10mm)

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

Kulit jeruk/biji/retak/kontaminasi/noda/garis-garis

Tidak ada Tidak ada Tidak ada

lekukan

Tidak ada Tidak ada Tidak ada

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci adalah material berkinerja tinggi yang banyak digunakan dalam industri semikonduktor, penelitian, dan optoelektronik. Material ini menawarkan konduktivitas termal yang sangat baik, stabilitas mekanik, dan ketahanan suhu tinggi, sehingga cocok untuk pembuatan perangkat elektronik daya tinggi dan penelitian material baru. Kami menyediakan berbagai spesifikasi dan opsi kustomisasi untuk memenuhi beragam permintaan pelanggan.Hubungi kami untuk informasi lebih detail mengenai wafer silikon karbida!

Diagram Terperinci

WechatIMG569_ (1)
WechatIMG569_ (2)

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami.