Wafer Karbida Silikon SiC 6 inci 150mm tipe 4H-N untuk Penelitian Produksi MOS atau SBD dan kelas Dummy

Wafer Karbida Silikon SiC 6 inci 150mm tipe 4H-N untuk Penelitian Produksi MOS atau SBD dan Gambar Unggulan Kelas Dummy

Deskripsi Singkat:

Substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 6 inci merupakan material berkinerja tinggi dengan sifat fisik dan kimia yang sangat baik. Diproduksi dari material kristal tunggal silikon karbida dengan kemurnian tinggi, substrat ini menunjukkan konduktivitas termal, stabilitas mekanis, dan ketahanan suhu tinggi yang unggul. Substrat ini, yang dibuat dengan proses manufaktur presisi dan material berkualitas tinggi, telah menjadi material pilihan untuk fabrikasi perangkat elektronik efisiensi tinggi di berbagai bidang.

Kirim email ke kami

Fitur

Bidang Aplikasi

Substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 6 inci memainkan peran krusial dalam berbagai industri. Pertama, substrat ini banyak digunakan dalam industri semikonduktor untuk fabrikasi perangkat elektronik berdaya tinggi seperti transistor daya, sirkuit terpadu, dan modul daya. Konduktivitas termal dan ketahanan suhu tingginya memungkinkan pembuangan panas yang lebih baik, sehingga menghasilkan peningkatan efisiensi dan keandalan. Kedua, wafer silikon karbida sangat penting dalam bidang penelitian untuk pengembangan material dan perangkat baru. Selain itu, wafer silikon karbida memiliki aplikasi yang luas di bidang optoelektronik, termasuk pembuatan LED dan dioda laser.

Spesifikasi Produk

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci ini memiliki diameter 6 inci (sekitar 152,4 mm). Kekasaran permukaannya adalah Ra < 0,5 nm, dan ketebalannya 600 ± 25 μm. Substrat ini dapat disesuaikan dengan konduktivitas tipe-N atau tipe-P, sesuai kebutuhan pelanggan. Selain itu, substrat ini menunjukkan stabilitas mekanis yang luar biasa, mampu menahan tekanan dan getaran.

Diameter		150±2.0mm（6 inci）
Ketebalan		350 μm±25μm
Orientasi		Pada sumbu ： <0001>±0,5°		Di luar sumbu: 4,0° menuju 1120±0,5°
Politipe		4H
Resistivitas (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientasi datar primer		{10-10}±5,0°
Panjang datar primer (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Tepian		Talang
TTV/Busur/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Depan (Wajah Si)		Polandia Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
Nilai Tukar Tambah		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Kulit jeruk/lubang/retak/kontaminasi/noda/goresan		Tidak ada	Tidak ada		Tidak ada
indentasi		Tidak ada	Tidak ada		Tidak ada

Substrat kristal tunggal silikon karbida 6 inci merupakan material berkinerja tinggi yang banyak digunakan dalam industri semikonduktor, penelitian, dan optoelektronik. Material ini menawarkan konduktivitas termal, stabilitas mekanis, dan ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, sehingga cocok untuk fabrikasi perangkat elektronik berdaya tinggi dan penelitian material baru. Kami menyediakan berbagai spesifikasi dan opsi kustomisasi untuk memenuhi beragam permintaan pelanggan.Hubungi kami untuk detail lebih lanjut tentang wafer silikon karbida!