Wafer Karbida Silikon SiC 6 inci 150mm tipe 4H-N untuk Penelitian Produksi MOS atau SBD dan kelas Dummy

Deskripsi Singkat:

Substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 6 inci merupakan material berkinerja tinggi dengan sifat fisik dan kimia yang sangat baik. Diproduksi dari material kristal tunggal silikon karbida dengan kemurnian tinggi, substrat ini menunjukkan konduktivitas termal, stabilitas mekanis, dan ketahanan suhu tinggi yang unggul. Substrat ini, yang dibuat dengan proses produksi presisi dan material berkualitas tinggi, telah menjadi material pilihan untuk fabrikasi perangkat elektronik berefisiensi tinggi di berbagai bidang.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Bidang Aplikasi

Substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 6 inci memainkan peran penting dalam berbagai industri. Pertama, substrat ini banyak digunakan dalam industri semikonduktor untuk fabrikasi perangkat elektronik berdaya tinggi seperti transistor daya, sirkuit terpadu, dan modul daya. Konduktivitas termalnya yang tinggi dan ketahanannya terhadap suhu tinggi memungkinkan pembuangan panas yang lebih baik, sehingga menghasilkan peningkatan efisiensi dan keandalan. Kedua, wafer silikon karbida sangat penting dalam bidang penelitian untuk pengembangan material dan perangkat baru. Selain itu, wafer silikon karbida banyak digunakan dalam bidang optoelektronik, termasuk pembuatan LED dan dioda laser.

Spesifikasi Produk

Substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 6 inci memiliki diameter 6 inci (sekitar 152,4 mm). Kekasaran permukaannya adalah Ra < 0,5 nm, dan ketebalannya adalah 600 ± 25 μm. Substrat dapat disesuaikan dengan konduktivitas tipe-N atau tipe-P, berdasarkan kebutuhan pelanggan. Selain itu, substrat ini menunjukkan stabilitas mekanis yang luar biasa, yang mampu menahan tekanan dan getaran.

Diameter		150±2.0mm (6 inci)
Ketebalan		Ukuran 350 ± 25 µm
Orientasi		Pada sumbu ： <0001>±0.5°		Di luar sumbu: 4,0° ke arah 1120±0,5°
Politipe		4H
Resistivitas (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientasi datar primer		{10-10}±5,0°
Panjang datar primer (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Tepian		Talang
TTV/Busur/Warp (um)		≤15 / ≤40 / ≤60
AFM Depan (Si-face)		Polandia Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5nm
Nilai Tukar Tambah		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm * 10mm)
TV Televisi		≤5 mikron	≤10 mikrometer		≤15 mikron
Kulit jeruk/lubang/retakan/kontaminasi/noda/garis-garis		Tidak ada	Tidak ada		Tidak ada
indentasi		Tidak ada	Tidak ada		Tidak ada

Substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 6 inci merupakan material berkinerja tinggi yang banyak digunakan dalam industri semikonduktor, penelitian, dan optoelektronik. Material ini menawarkan konduktivitas termal, stabilitas mekanis, dan ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, sehingga cocok untuk fabrikasi perangkat elektronik berdaya tinggi dan penelitian material baru. Kami menyediakan berbagai spesifikasi dan opsi penyesuaian untuk memenuhi beragam permintaan pelanggan.Hubungi kami untuk detail lebih lanjut tentang wafer silikon karbida!