Substrat wafer 4H-Semi SiC 3 inci 76,2 mm Karbida Silikon Wafer SiC semi-isolasi

Substrat wafer 4H-Semi SiC 3 inci 76,2 mm Wafer SiC Semi-isolasi Karbida Silikon Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Wafer SiC kristal tunggal berkualitas tinggi (Silikon Karbida) untuk industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC 3 inci adalah bahan semikonduktor generasi berikutnya, wafer silikon karbida semi-isolasi berdiameter 3 inci. Wafer ini ditujukan untuk fabrikasi perangkat daya, RF, dan optoelektronik.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Spesifikasi Produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) semi-terisolasi 4H berukuran 3 inci merupakan bahan semikonduktor yang umum digunakan. 4H menunjukkan struktur kristal tetrahexahedral. Semi-isolasi berarti bahwa substrat memiliki karakteristik resistansi tinggi dan dapat agak terisolasi dari aliran arus.

Wafer substrat tersebut memiliki karakteristik berikut: konduktivitas termal yang tinggi, kehilangan konduksi yang rendah, ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, dan stabilitas mekanis dan kimia yang sangat baik. Karena silikon karbida memiliki celah energi yang lebar dan dapat menahan suhu tinggi dan kondisi medan listrik yang tinggi, wafer semi-terisolasi 4H-SiC banyak digunakan dalam perangkat elektronika daya dan frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer semi-terisolasi 4H-SiC meliputi:

1--Elektronika daya: Wafer 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi perangkat pengalihan daya seperti MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) dan dioda Schottky. Perangkat ini memiliki konduksi dan kerugian pengalihan yang lebih rendah dalam lingkungan bertegangan tinggi dan bersuhu tinggi serta menawarkan efisiensi dan keandalan yang lebih tinggi.

2--Perangkat Frekuensi Radio (RF): Wafer semi-terisolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk membuat penguat daya RF berdaya tinggi dan frekuensi tinggi, resistor chip, filter, dan perangkat lainnya. Karbida silikon memiliki kinerja frekuensi tinggi dan stabilitas termal yang lebih baik karena laju pergeseran saturasi elektron yang lebih besar dan konduktivitas termal yang lebih tinggi.

3--Perangkat optoelektronik: Wafer semi-terisolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi dioda laser daya tinggi, detektor cahaya UV, dan sirkuit terpadu optoelektronik.

Dari segi arah pasar, permintaan wafer semi-terisolasi 4H-SiC meningkat seiring dengan berkembangnya bidang elektronika daya, RF, dan optoelektronika. Hal ini disebabkan oleh fakta bahwa silikon karbida memiliki berbagai macam aplikasi, termasuk efisiensi energi, kendaraan listrik, energi terbarukan, dan komunikasi. Di masa mendatang, pasar wafer semi-terisolasi 4H-SiC tetap sangat menjanjikan dan diharapkan dapat menggantikan bahan silikon konvensional dalam berbagai aplikasi.