Wafer substrat 4H-Semi SiC 3 inci 76,2 mm, wafer SiC semi-isolasi silikon karbida.

Deskripsi Singkat:

Wafer SiC (Silikon Karbida) kristal tunggal berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC 3 inci adalah material semikonduktor generasi berikutnya, wafer silikon karbida semi-isolasi berdiameter 3 inci. Wafer ini ditujukan untuk pembuatan perangkat daya, RF, dan optoelektronik.

Kirim email kepada kami

Fitur

Spesifikasi Produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) semi-isolasi 3 inci 4H adalah material semikonduktor yang umum digunakan. 4H menunjukkan struktur kristal tetraheksahedral. Semi-isolasi berarti bahwa substrat memiliki karakteristik resistansi tinggi dan dapat diisolasi dari aliran arus.

Wafer substrat semacam ini memiliki karakteristik sebagai berikut: konduktivitas termal tinggi, kehilangan konduksi rendah, ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, dan stabilitas mekanik dan kimia yang sangat baik. Karena silikon karbida memiliki celah energi yang lebar dan dapat menahan suhu tinggi dan kondisi medan listrik tinggi, wafer semi-isolasi 4H-SiC banyak digunakan dalam elektronika daya dan perangkat frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer semi-isolasi 4H-SiC meliputi:

1--Elektronika daya: Wafer 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi perangkat pengalih daya seperti MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) dan dioda Schottky. Perangkat ini memiliki kerugian konduksi dan pengalihan yang lebih rendah dalam lingkungan tegangan tinggi dan suhu tinggi serta menawarkan efisiensi dan keandalan yang lebih tinggi.

2--Perangkat Frekuensi Radio (RF): Wafer semi-isolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk membuat penguat daya RF berdaya tinggi dan frekuensi tinggi, resistor chip, filter, dan perangkat lainnya. Silikon karbida memiliki kinerja frekuensi tinggi dan stabilitas termal yang lebih baik karena laju pergeseran saturasi elektron yang lebih besar dan konduktivitas termal yang lebih tinggi.

3--Perangkat optoelektronik: Wafer semi-isolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi dioda laser daya tinggi, detektor cahaya UV, dan sirkuit terpadu optoelektronik.

Dari segi arah pasar, permintaan wafer semi-isolasi 4H-SiC meningkat seiring dengan pertumbuhan bidang elektronika daya, RF, dan optoelektronika. Hal ini disebabkan oleh fakta bahwa silikon karbida memiliki berbagai macam aplikasi, termasuk efisiensi energi, kendaraan listrik, energi terbarukan, dan komunikasi. Di masa depan, pasar wafer semi-isolasi 4H-SiC tetap sangat menjanjikan dan diharapkan dapat menggantikan material silikon konvensional dalam berbagai aplikasi.