Wafer substrat 4H-Semi SiC 3 inci 76,2 mm Wafer SiC semi-isolasi karbida silikon

Deskripsi Singkat:

Wafer SiC kristal tunggal berkualitas tinggi (Silikon Karbida) untuk industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC 3 inci adalah material semikonduktor generasi terbaru, wafer silikon karbida semi-isolasi berdiameter 3 inci. Wafer ini ditujukan untuk fabrikasi perangkat daya, RF, dan optoelektronik.

Kirim email ke kami

Fitur

Spesifikasi Produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) semi-terisolasi 4H berukuran 3 inci merupakan material semikonduktor yang umum digunakan. 4H menunjukkan struktur kristal tetraheksahedral. Semi-isolasi berarti substrat tersebut memiliki karakteristik resistansi tinggi dan dapat diisolasi dari aliran arus.

Wafer substrat tersebut memiliki karakteristik sebagai berikut: konduktivitas termal yang tinggi, rugi konduksi yang rendah, ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, serta stabilitas mekanik dan kimia yang sangat baik. Karena silikon karbida memiliki celah energi yang lebar dan dapat menahan suhu tinggi serta kondisi medan listrik yang tinggi, wafer semi-terisolasi 4H-SiC banyak digunakan dalam elektronika daya dan perangkat frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer semi-terisolasi 4H-SiC meliputi:

1--Elektronika daya: Wafer 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi perangkat switching daya seperti MOSFET (Transistor Efek Medan Semikonduktor Oksida Logam), IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi), dan dioda Schottky. Perangkat ini memiliki rugi konduksi dan switching yang lebih rendah di lingkungan bertegangan tinggi dan bersuhu tinggi serta menawarkan efisiensi dan keandalan yang lebih tinggi.

2--Perangkat Frekuensi Radio (RF): Wafer semi-terisolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk membuat penguat daya RF berdaya tinggi dan frekuensi tinggi, resistor chip, filter, dan perangkat lainnya. Silikon karbida memiliki kinerja frekuensi tinggi dan stabilitas termal yang lebih baik karena laju pergeseran saturasi elektron yang lebih besar dan konduktivitas termal yang lebih tinggi.

3--Perangkat optoelektronik: Wafer semi-terisolasi 4H-SiC dapat digunakan untuk memproduksi dioda laser daya tinggi, detektor cahaya UV, dan sirkuit terpadu optoelektronik.

Dari segi arah pasar, permintaan wafer semi-terisolasi 4H-SiC meningkat seiring dengan berkembangnya bidang elektronika daya, RF, dan optoelektronika. Hal ini disebabkan oleh fakta bahwa silikon karbida memiliki beragam aplikasi, termasuk efisiensi energi, kendaraan listrik, energi terbarukan, dan komunikasi. Di masa depan, pasar wafer semi-terisolasi 4H-SiC tetap sangat menjanjikan dan diperkirakan akan menggantikan material silikon konvensional dalam berbagai aplikasi.