Wafer Silikon Karbida 2 inci 6H atau 4H Tipe N atau Substrat SiC Semi-Isolasi
Produk yang Direkomendasikan
Wafer SiC 4H tipe N
Diameter: 2 inci 50,8 mm | 4 inci 100 mm | 6 inci 150 mm
Orientasi: di luar sumbu 4,0˚ ke arah <1120> ± 0,5˚
Resistivitas: < 0,1 ohm.cm
Kekasaran: Permukaan Si-face CMP Ra <0,5nm, Permukaan C-face optical polish Ra <1 nm
Wafer SiC 4H Semi-isolasi
Diameter: 2 inci 50,8 mm | 4 inci 100 mm | 6 inci 150 mm
Orientasi: pada sumbu {0001} ± 0,25˚
Resistivitas: >1E5 ohm.cm
Kekasaran: Permukaan Si-face CMP Ra <0,5nm, Permukaan C-face optical polish Ra <1 nm
1. Infrastruktur 5G -- catu daya komunikasi
Catu daya komunikasi merupakan basis energi untuk komunikasi server dan stasiun pangkalan. Catu daya ini menyediakan energi listrik untuk berbagai peralatan transmisi guna memastikan pengoperasian sistem komunikasi yang normal.
2. Tiang pengisian daya kendaraan energi baru -- modul daya tiang pengisian daya
Efisiensi tinggi dan daya tinggi dari modul daya tiang pengisian daya dapat diwujudkan dengan menggunakan silikon karbida dalam modul daya tiang pengisian daya, sehingga meningkatkan kecepatan pengisian daya dan mengurangi biaya pengisian daya.
3. Pusat data besar, Internet Industri -- catu daya server
Catu daya server adalah perpustakaan energi server. Server menyediakan daya untuk memastikan pengoperasian normal sistem server. Penggunaan komponen daya silikon karbida dalam catu daya server dapat meningkatkan kepadatan daya dan efisiensi catu daya server, mengurangi volume pusat data secara keseluruhan, mengurangi biaya konstruksi pusat data secara keseluruhan, dan mencapai efisiensi lingkungan yang lebih tinggi.
4. UHV - Aplikasi pemutus sirkuit DC transmisi fleksibel
5. Kereta api kecepatan tinggi antar kota dan angkutan kereta api antar kota -- konverter traksi, transformator daya elektronik, konverter bantu, catu daya bantu
Spesifikasi
Diagram Terperinci




