Wafer Silikon Oksida Termal Film Tipis SiO2 4 inci 6 inci 8 inci 12 inci

SiO2 Film Tipis Termal Oksida Silikon wafer 4 inci 6 inci 8 inci 12 inci Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Kami dapat menyediakan substrat film tipis superkonduktor suhu tinggi, film tipis magnetik dan substrat film tipis feroelektrik, kristal semikonduktor, kristal optik, bahan kristal laser, pada saat yang sama memberikan orientasi dan universitas serta lembaga penelitian asing untuk memberikan kualitas tinggi (sangat halus, ultra halus, sangat bersih)

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Perkenalkan kotak wafer

Proses utama pembuatan wafer silikon teroksidasi biasanya mencakup langkah-langkah berikut: pertumbuhan silikon monokristalin, pemotongan wafer, pemolesan, pembersihan, dan oksidasi.

Pertumbuhan silikon monokristalin: Pertama, silikon monokristalin ditanam pada suhu tinggi dengan metode seperti metode Czochralski atau metode Float-zone.Metode ini memungkinkan pembuatan kristal tunggal silikon dengan kemurnian tinggi dan integritas kisi.

Dicing: Silikon monokristalin yang ditanam biasanya berbentuk silinder dan perlu dipotong menjadi wafer tipis untuk digunakan sebagai substrat wafer.Pemotongan biasanya dilakukan dengan pemotong berlian.

Pemolesan: Permukaan wafer yang dipotong mungkin tidak rata dan memerlukan pemolesan kimia-mekanis untuk mendapatkan permukaan yang halus.

Pembersihan: Wafer yang dipoles dibersihkan untuk menghilangkan kotoran dan debu.

Pengoksidasi: Terakhir, wafer silikon dimasukkan ke dalam tungku suhu tinggi untuk perlakuan oksidasi guna membentuk lapisan pelindung silikon dioksida untuk meningkatkan sifat listrik dan kekuatan mekaniknya, serta berfungsi sebagai lapisan isolasi dalam sirkuit terpadu.

Kegunaan utama wafer silikon teroksidasi meliputi pembuatan sirkuit terpadu, pembuatan sel surya, dan pembuatan perangkat elektronik lainnya.Wafer silikon oksida banyak digunakan dalam bidang bahan semikonduktor karena sifat mekaniknya yang sangat baik, stabilitas dimensi dan kimia, kemampuan untuk beroperasi pada suhu tinggi dan tekanan tinggi, serta sifat isolasi dan optik yang baik.

Keunggulannya meliputi struktur kristal yang lengkap, komposisi kimia murni, dimensi yang presisi, sifat mekanik yang baik, dll. Fitur-fitur ini membuat wafer silikon oksida sangat cocok untuk pembuatan sirkuit terpadu berkinerja tinggi dan perangkat mikroelektronik lainnya.