Silicon-On-Insulator Substrat SOI wafer tiga lapis untuk Mikroelektronika dan Frekuensi Radio

Wafer SOI Substrat Silicon-On-Insulator tiga lapisan untuk Gambar Unggulan Mikroelektronika dan Frekuensi Radio

Deskripsi Singkat:

SOI nama lengkap Silicon On Insulator, maksudnya struktur transistor silikon di atas isolator, prinsipnya antar transistor silikon, tambahkan bahan isolator, dapat membuat kapasitansi parasit antara keduanya dari aslinya kurang dari dua kali lipat.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Perkenalkan kotak wafer

Memperkenalkan wafer Silicon-On-Insulator (SOI) kami yang canggih, dirancang dengan cermat dengan tiga lapisan berbeda, merevolusi aplikasi mikroelektronika dan frekuensi radio (RF).Substrat inovatif ini menggabungkan lapisan silikon atas, lapisan oksida isolasi, dan substrat silikon bawah untuk menghasilkan kinerja dan keserbagunaan yang tak tertandingi.

Dirancang untuk kebutuhan mikroelektronik modern, wafer SOI kami memberikan landasan yang kokoh untuk pembuatan sirkuit terpadu (IC) yang rumit dengan kecepatan, efisiensi daya, dan keandalan yang unggul.Lapisan silikon atas memungkinkan integrasi komponen elektronik yang kompleks tanpa hambatan, sedangkan lapisan oksida isolasi meminimalkan kapasitansi parasit, sehingga meningkatkan kinerja perangkat secara keseluruhan.

Dalam bidang aplikasi RF, wafer SOI kami unggul dengan kapasitansi parasit yang rendah, tegangan tembus yang tinggi, dan sifat isolasi yang sangat baik.Ideal untuk sakelar RF, amplifier, filter, dan komponen RF lainnya, substrat ini memastikan kinerja optimal dalam sistem komunikasi nirkabel, sistem radar, dan banyak lagi.

Selain itu, toleransi radiasi yang melekat pada wafer SOI kami menjadikannya ideal untuk aplikasi ruang angkasa dan pertahanan, yang mengutamakan keandalan dalam lingkungan yang keras.Konstruksinya yang kokoh dan karakteristik kinerjanya yang luar biasa menjamin pengoperasian yang konsisten bahkan dalam kondisi ekstrem.

Fitur Utama:

Arsitektur Tiga Lapisan: Lapisan silikon atas, lapisan oksida isolasi, dan substrat silikon bawah.

Kinerja Mikroelektronika Unggul: Memungkinkan pembuatan IC canggih dengan peningkatan kecepatan dan efisiensi daya.

Kinerja RF Luar Biasa: Kapasitansi parasit rendah, tegangan tembus tinggi, dan sifat isolasi unggul untuk perangkat RF.

Keandalan Tingkat Dirgantara: Toleransi radiasi bawaan memastikan keandalan di lingkungan yang keras.

Aplikasi Serbaguna: Cocok untuk berbagai industri, termasuk telekomunikasi, dirgantara, pertahanan, dan banyak lagi.

Rasakan teknologi mikroelektronik dan RF generasi berikutnya dengan wafer Silicon-On-Insulator (SOI) kami yang canggih.Buka kemungkinan baru untuk inovasi dan dorong kemajuan dalam aplikasi Anda dengan solusi media mutakhir kami.