Substrat SiC 3 inci ketebalan 350um tipe HPSI Kelas Utama Kelas Dummy

Substrat SiC setebal 3 inci 350um Jenis HPSI Kelas Utama Kelas Dummy Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Wafer Karbida Silikon (SiC) Kemurnian Tinggi berukuran 3 inci dirancang khusus untuk aplikasi yang menuntut dalam elektronika daya, optoelektronika, dan penelitian tingkat lanjut. Tersedia dalam Kelas Produksi, Penelitian, dan Dummy, wafer ini memberikan resistivitas yang luar biasa, kepadatan cacat yang rendah, dan kualitas permukaan yang unggul. Dengan sifat semi-isolasi yang tidak terdoping, wafer ini menyediakan platform yang ideal untuk membuat perangkat berkinerja tinggi yang beroperasi dalam kondisi termal dan listrik yang ekstrem.

Kirim email ke kami

Fitur

Properti

Parameter	Kelas Produksi	Kelas Penelitian	Kelas Boneka	Satuan
Nilai	Kelas Produksi	Kelas Penelitian	Kelas Boneka
Diameter	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Ketebalan	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 2.0°	Pada sumbu: <0001> ± 2.0°	derajat
Kepadatan Mikropipa (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistivitas Listrik	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopan	Tidak didoping	Tidak didoping	Tidak didoping
Orientasi Datar Utama	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	derajat
Panjang Datar Primer	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Panjang Datar Sekunder	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientasi Datar Sekunder	90° CW dari flat primer ± 5.0°	90° CW dari flat primer ± 5.0°	90° CW dari flat primer ± 5.0°	derajat
Pengecualian Tepi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Busur/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	µm
Kekasaran Permukaan	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles
Retakan (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Pelat Hex (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Luas kumulatif 10%	%
Area Politipe (Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 20%	Luas kumulatif 30%	%
Goresan (Cahaya Intensitas Tinggi)	≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	mm
Pemotongan Tepi	Tidak ada lebar/kedalaman ≥ 0,5 mm	2 diizinkan ≤ 1 mm lebar/kedalaman	5 diizinkan ≤ 5 mm lebar/kedalaman	mm
Kontaminasi Permukaan	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada

Aplikasi

1. Elektronika Daya Tinggi
Konduktivitas termal yang unggul dan celah pita lebar dari wafer SiC membuatnya ideal untuk perangkat berdaya tinggi dan frekuensi tinggi:
●MOSFET dan IGBT untuk konversi daya.
●Sistem tenaga kendaraan listrik canggih, termasuk inverter dan pengisi daya.
●Infrastruktur jaringan pintar dan sistem energi terbarukan.
2. Sistem RF dan Gelombang Mikro
Substrat SiC memungkinkan aplikasi RF dan gelombang mikro frekuensi tinggi dengan kehilangan sinyal minimal:
●Sistem telekomunikasi dan satelit.
●Sistem radar kedirgantaraan.
●Komponen jaringan 5G yang canggih.
3. Optoelektronik dan Sensor
Sifat unik SiC mendukung berbagai aplikasi optoelektronik:
●Detektor UV untuk pemantauan lingkungan dan penginderaan industri.
●Substrat LED dan laser untuk pencahayaan solid-state dan instrumen presisi.
●Sensor suhu tinggi untuk industri kedirgantaraan dan otomotif.
4. Penelitian dan Pengembangan
Keragaman tingkatan (Produksi, Penelitian, Dummy) memungkinkan eksperimen mutakhir dan pembuatan prototipe perangkat di dunia akademis dan industri.

Keuntungan

●Keandalan:Resistivitas dan stabilitas yang sangat baik di segala tingkatan.
●Kustomisasi:Orientasi dan ketebalan yang disesuaikan untuk memenuhi berbagai kebutuhan.
●Kemurnian Tinggi:Komposisi yang tidak didoping memastikan variasi terkait pengotor yang minimal.
●Skalabilitas:Memenuhi persyaratan produksi massal dan penelitian eksperimental.
Wafer SiC dengan kemurnian tinggi berukuran 3 inci merupakan gerbang Anda menuju perangkat berkinerja tinggi dan kemajuan teknologi yang inovatif. Untuk pertanyaan dan spesifikasi terperinci, hubungi kami hari ini.

Ringkasan

Wafer Karbida Silikon (SiC) Kemurnian Tinggi 3 inci, tersedia dalam Kelas Produksi, Penelitian, dan Dummy, merupakan substrat premium yang dirancang untuk elektronik berdaya tinggi, sistem RF/gelombang mikro, optoelektronik, dan R&D tingkat lanjut. Wafer ini memiliki sifat semi-isolasi tanpa doping dengan resistivitas yang sangat baik (≥1E10 Ω·cm untuk Kelas Produksi), kepadatan mikropipa rendah (≤1 cm−2^-2−2), dan kualitas permukaan yang luar biasa. Wafer ini dioptimalkan untuk aplikasi berkinerja tinggi, termasuk konversi daya, telekomunikasi, penginderaan UV, dan teknologi LED. Dengan orientasi yang dapat disesuaikan, konduktivitas termal yang unggul, dan sifat mekanis yang kuat, wafer SiC ini memungkinkan fabrikasi perangkat yang efisien dan andal serta inovasi yang inovatif di seluruh industri.