Substrat SiC ketebalan 3 inci 350um tipe HPSI Prime Grade Dummy grade

Deskripsi Singkat:

Wafer Silikon Karbida Kemurnian Tinggi (SiC) 3 inci dirancang khusus untuk aplikasi berat dalam bidang elektronika daya, optoelektronik, dan penelitian lanjutan. Tersedia dalam Kelas Produksi, Penelitian, dan Dummy, wafer ini memberikan resistivitas yang luar biasa, kepadatan cacat yang rendah, dan kualitas permukaan yang unggul. Dengan sifat semi-isolasi yang tidak dilapisi, bahan ini menyediakan platform ideal untuk membuat perangkat berkinerja tinggi yang beroperasi dalam kondisi termal dan listrik ekstrem.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Properti

Parameter	Kelas Produksi	Kelas Penelitian	Kelas Boneka	Satuan
Nilai	Kelas Produksi	Kelas Penelitian	Kelas Boneka
Diameter	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Ketebalan	500±25	500±25	500±25	mikron
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	derajat
Kepadatan Mikropipa (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistivitas Listrik	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopan	Dibatalkan	Dibatalkan	Dibatalkan
Orientasi Datar Primer	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	derajat
Panjang Datar Primer	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Panjang Datar Sekunder	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientasi Datar Sekunder	90° CW dari flat primer ± 5,0°	90° CW dari flat primer ± 5,0°	90° CW dari flat primer ± 5,0°	derajat
Pengecualian Tepi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Busur/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	mikron
Kekasaran Permukaan	Si-wajah: CMP, C-wajah: Dipoles	Si-wajah: CMP, C-wajah: Dipoles	Si-wajah: CMP, C-wajah: Dipoles
Retak (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Pelat Hex (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Luas kumulatif 10%	%
Area Politipe (Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 20%	Luas kumulatif 30%	%
Goresan (Cahaya Intensitas Tinggi)	≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	mm
Pemotongan Tepi	Tidak ada yang lebar/kedalamannya ≥ 0,5 mm	2 diperbolehkan lebar/kedalaman ≤ 1 mm	5 diperbolehkan lebar/kedalaman ≤ 5 mm	mm
Kontaminasi Permukaan	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada

Aplikasi

1. Elektronik Berkekuatan Tinggi
Konduktivitas termal yang unggul dan celah pita lebar pada wafer SiC menjadikannya ideal untuk perangkat berdaya tinggi dan frekuensi tinggi:
●MOSFET dan IGBT untuk konversi daya.
●Sistem tenaga kendaraan listrik yang canggih, termasuk inverter dan pengisi daya.
●Infrastruktur jaringan pintar dan sistem energi terbarukan.
2. Sistem RF dan Microwave
Substrat SiC memungkinkan aplikasi RF dan gelombang mikro frekuensi tinggi dengan kehilangan sinyal minimal:
●Sistem telekomunikasi dan satelit.
●Sistem radar dirgantara.
●Komponen jaringan 5G tingkat lanjut.
3. Optoelektronik dan Sensor
Sifat unik SiC mendukung berbagai aplikasi optoelektronik:
●Detektor UV untuk pemantauan lingkungan dan penginderaan industri.
●Substrat LED dan laser untuk pencahayaan solid-state dan instrumen presisi.
●Sensor suhu tinggi untuk industri dirgantara dan otomotif.
4. Penelitian dan Pengembangan
Keragaman tingkatan (Produksi, Penelitian, Dummy) memungkinkan eksperimen mutakhir dan pembuatan prototipe perangkat di dunia akademis dan industri.

Keuntungan

●Keandalan:Resistivitas dan stabilitas luar biasa di seluruh tingkatan.
●Kustomisasi:Orientasi dan ketebalan yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan yang berbeda.
●Kemurnian Tinggi:Komposisi yang tidak didoping memastikan variasi minimal yang berhubungan dengan pengotor.
●Skalabilitas:Memenuhi persyaratan produksi massal dan penelitian eksperimental.
Wafer SiC kemurnian tinggi 3 inci adalah pintu gerbang Anda ke perangkat berkinerja tinggi dan kemajuan teknologi inovatif. Untuk pertanyaan dan spesifikasi rinci, hubungi kami hari ini.

Ringkasan

Wafer Silikon Karbida Kemurnian Tinggi (SiC) 3 inci, tersedia dalam Tingkat Produksi, Penelitian, dan Dummy, adalah substrat premium yang dirancang untuk elektronik berdaya tinggi, sistem RF/microwave, optoelektronik, dan Penelitian&D tingkat lanjut. Wafer ini memiliki sifat semi-isolasi tanpa doping dengan resistivitas yang sangat baik (≥1E10 Ω·cm untuk Kelas Produksi), kepadatan pipa mikro yang rendah (≤1 cm−2^-2−2), dan kualitas permukaan yang luar biasa. Mereka dioptimalkan untuk aplikasi berkinerja tinggi, termasuk konversi daya, telekomunikasi, penginderaan UV, dan teknologi LED. Dengan orientasi yang dapat disesuaikan, konduktivitas termal yang unggul, dan sifat mekanik yang kuat, wafer SiC ini memungkinkan fabrikasi perangkat yang efisien dan andal serta inovasi inovatif di seluruh industri.