Substrat SiC 3 inci, ketebalan 350um, tipe HPSI, kelas utama, kelas dummy.

Deskripsi Singkat:

Wafer Silikon Karbida (SiC) Kemurnian Tinggi 3 inci ini dirancang khusus untuk aplikasi yang menuntut di bidang elektronika daya, optoelektronika, dan penelitian tingkat lanjut. Tersedia dalam Grade Produksi, Penelitian, dan Dummy, wafer ini memberikan resistivitas yang luar biasa, kepadatan cacat yang rendah, dan kualitas permukaan yang unggul. Dengan sifat semi-isolasi tanpa doping, wafer ini menyediakan platform ideal untuk pembuatan perangkat berkinerja tinggi yang beroperasi di bawah kondisi termal dan listrik ekstrem.

Kirim email kepada kami

Fitur

Properti

Parameter	Kelas Produksi	Tingkat Penelitian	Nilai Dummy	Satuan
Nilai	Kelas Produksi	Tingkat Penelitian	Nilai Dummy
Diameter	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Ketebalan	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	mikrometer
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	derajat
Kepadatan Mikropipa (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistivitas Listrik	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Tidak mengandung doping	Tidak mengandung doping	Tidak mengandung doping
Orientasi Datar Utama	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	derajat
Panjang Datar Utama	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Panjang Datar Sekunder	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientasi Datar Sekunder	90° searah jarum jam dari bidang datar utama ± 5,0°	90° searah jarum jam dari bidang datar utama ± 5,0°	90° searah jarum jam dari bidang datar utama ± 5,0°	derajat
Pengecualian Tepi	3	3	3	mm
LTV/TTV/Busur/Warp	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	mikrometer
Kekasaran Permukaan	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles	Sisi Si: CMP, Sisi C: Dipoles
Retakan (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Pelat Heksagonal (Cahaya Intensitas Tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Luas kumulatif 10%	%
Area Politipe (Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 20%	Luas kumulatif 30%	%
Goresan (Cahaya Intensitas Tinggi)	≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200	mm
Pengelupasan Tepi	Tidak ada ≥ 0,5 mm lebar/kedalaman	2 diperbolehkan lebar/kedalaman ≤ 1 mm	5 diperbolehkan ≤ 5 mm lebar/kedalaman	mm
Kontaminasi Permukaan	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada

Aplikasi

1. Elektronik Daya Tinggi
Konduktivitas termal yang unggul dan celah pita yang lebar pada wafer SiC menjadikannya ideal untuk perangkat daya tinggi dan frekuensi tinggi:
●MOSFET dan IGBT untuk konversi daya.
●Sistem tenaga kendaraan listrik canggih, termasuk inverter dan pengisi daya.
●Infrastruktur jaringan pintar dan sistem energi terbarukan.
2. Sistem RF dan Gelombang Mikro
Substrat SiC memungkinkan aplikasi RF dan gelombang mikro frekuensi tinggi dengan kehilangan sinyal minimal:
●Telekomunikasi dan sistem satelit.
●Sistem radar kedirgantaraan.
●Komponen jaringan 5G canggih.
3. Optoelektronik dan Sensor
Sifat unik SiC mendukung berbagai aplikasi optoelektronik:
●Detektor UV untuk pemantauan lingkungan dan penginderaan industri.
●Substrat LED dan laser untuk penerangan solid-state dan instrumen presisi.
●Sensor suhu tinggi untuk industri kedirgantaraan dan otomotif.
4. Penelitian dan Pengembangan
Keragaman tingkatan (Produksi, Penelitian, Dummy) memungkinkan eksperimen mutakhir dan pembuatan prototipe perangkat di lingkungan akademis dan industri.

Keuntungan

●Keandalan:Resistivitas dan stabilitas yang sangat baik di semua tingkatan.
●Kustomisasi:Orientasi dan ketebalan yang disesuaikan untuk memenuhi berbagai kebutuhan.
●Kemurnian Tinggi:Komposisi tanpa doping memastikan variasi minimal yang terkait dengan pengotor.
●Skalabilitas:Memenuhi persyaratan produksi massal dan penelitian eksperimental.
Wafer SiC kemurnian tinggi berukuran 3 inci adalah gerbang Anda menuju perangkat berkinerja tinggi dan kemajuan teknologi inovatif. Untuk pertanyaan dan spesifikasi detail, hubungi kami hari ini.

Ringkasan

Wafer Silikon Karbida (SiC) Kemurnian Tinggi 3 inci, tersedia dalam Grade Produksi, Penelitian, dan Dummy, adalah substrat premium yang dirancang untuk elektronik daya tinggi, sistem RF/gelombang mikro, optoelektronik, dan R&D tingkat lanjut. Wafer ini memiliki sifat semi-isolasi tanpa doping dengan resistivitas yang sangat baik (≥1E10 Ω·cm untuk Grade Produksi), kepadatan mikropipa rendah (≤1 cm−2^-2−2), dan kualitas permukaan yang luar biasa. Wafer ini dioptimalkan untuk aplikasi berkinerja tinggi, termasuk konversi daya, telekomunikasi, penginderaan UV, dan teknologi LED. Dengan orientasi yang dapat disesuaikan, konduktivitas termal yang unggul, dan sifat mekanik yang kuat, wafer SiC ini memungkinkan fabrikasi perangkat yang efisien dan andal serta inovasi terobosan di berbagai industri.