English

Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci
  • Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

Deskripsi Singkat:

Kami menawarkan beragam pilihan wafer SiC (Silicon Carbide) berkualitas tinggi, dengan fokus khusus pada wafer tipe-N 4H-N dan 6H-N, yang ideal untuk aplikasi dalam optoelektronik canggih, perangkat daya, dan lingkungan bersuhu tinggi. Wafer tipe-N ini dikenal karena konduktivitas termalnya yang luar biasa, stabilitas listrik yang luar biasa, dan daya tahan yang luar biasa, sehingga menjadikannya sempurna untuk aplikasi berkinerja tinggi seperti elektronika daya, sistem penggerak kendaraan listrik, inverter energi terbarukan, dan catu daya industri. Selain penawaran tipe-N kami, kami juga menyediakan wafer SiC tipe-P 4H/6H-P dan 3C untuk kebutuhan khusus, termasuk perangkat frekuensi tinggi dan RF, serta aplikasi fotonik. Wafer kami tersedia dalam berbagai ukuran mulai dari 2 inci hingga 8 inci, dan kami menyediakan solusi yang disesuaikan untuk memenuhi persyaratan khusus dari berbagai sektor industri. Untuk detail atau pertanyaan lebih lanjut, jangan ragu untuk menghubungi kami.


Fitur

Properti

4H-N dan 6H-N (Wafer SiC tipe N)

Aplikasi:Terutama digunakan dalam elektronika daya, optoelektronik, dan aplikasi suhu tinggi.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm, dengan ketebalan opsional 500 μm ± 25 μm.

Resistivitas:Tipe N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (tingkat Z), ≤ 0,3 Ω·cm (tingkat P); Tipe N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (tingkat Z), ≤ 1 mΩ·cm (tingkat P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 masing-masing/cm².

Televisi: ≤ 10 μm untuk semua diameter.

Melengkung: ≤ 30 μm (≤ 45 μm untuk wafer 8 inci).

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm tergantung jenis wafer.

Kemasan:Kaset multi-wafer atau wadah wafer tunggal.

Ukuran lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

HPSI (Wafer SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi)

Aplikasi:Digunakan untuk perangkat yang memerlukan resistansi tinggi dan kinerja stabil, seperti perangkat RF, aplikasi fotonik, dan sensor.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:Ketebalan standar 350 μm ± 25 μm dengan opsi wafer lebih tebal hingga 500 μm.

Kekasaran:Ra ≤ 0,2nm.

Kepadatan Mikropipa (MPD): ≤ 1 buah/cm².

Resistivitas:Resistansi tinggi, biasanya digunakan dalam aplikasi semi-isolasi.

Melengkung: ≤ 30 μm (untuk ukuran lebih kecil), ≤ 45 μm untuk diameter lebih besar.

Televisi: ≤ 10 mikron.

Ukuran lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

4H-P[Bahasa Indonesia]6H-P&3C Lapisan SiC(Wafer SiC tipe P)

Aplikasi:Terutama untuk perangkat daya dan frekuensi tinggi.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm atau opsi yang disesuaikan.

Resistivitas:Tipe P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (tingkat Z), ≤ 0,3 Ω·cm (tingkat P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 masing-masing/cm².

Televisi: ≤ 10 mikron.

Pengecualian Tepi:3 mm sampai 6 mm.

Melengkung: ≤ 30 μm untuk ukuran lebih kecil, ≤ 45 μm untuk ukuran lebih besar.

Ukuran lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci5×5 10×10

Tabel Parameter Data Parsial

Milik

2 inci

3 inci

4 inci

6 inci

8 inci

Jenis

4H-N/HPSI/
6H-U/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-U/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diameter

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Ketebalan

330 ± 25 mikron

350 ±25 mikron

350 ±25 mikron

350 ±25 mikron

350 ±25 mikron

Ukuran 350±25um;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

Kekasaran

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Melengkung

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TV Televisi

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Gores/Gali

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Membentuk

Bulat, Datar 16mm; Panjang OF 22mm; Panjang OF 30/32.5mm; Panjang OF 47.5mm; TAKIK; TAKIK;

Memiringkan

45°, Spesifikasi SEMI; Bentuk C

 Nilai

Kelas produksi untuk MOS&SBD; Kelas penelitian; Kelas dummy, Kelas wafer benih

Perkataan

Diameter, Ketebalan, Orientasi, spesifikasi di atas dapat disesuaikan dengan permintaan Anda

 

Aplikasi

Bahasa Indonesia:Elektronika Daya

Wafer SiC tipe N sangat penting dalam perangkat elektronika daya karena kemampuannya menangani tegangan tinggi dan arus tinggi. Wafer ini umumnya digunakan dalam konverter daya, inverter, dan penggerak motor untuk industri seperti energi terbarukan, kendaraan listrik, dan otomasi industri.

· Optoelektronik
Material SiC tipe N, khususnya untuk aplikasi optoelektronik, digunakan dalam perangkat seperti dioda pemancar cahaya (LED) dan dioda laser. Konduktivitas termalnya yang tinggi dan celah pita yang lebar membuatnya ideal untuk perangkat optoelektronik berkinerja tinggi.

Bahasa Indonesia:Aplikasi Suhu Tinggi
Wafer SiC 4H-N 6H-N sangat cocok untuk lingkungan bersuhu tinggi, seperti pada sensor dan perangkat daya yang digunakan dalam aplikasi kedirgantaraan, otomotif, dan industri di mana pembuangan panas dan stabilitas pada suhu tinggi sangat penting.

Bahasa Indonesia:Perangkat RF
Wafer SiC 4H-N 6H-N digunakan dalam perangkat frekuensi radio (RF) yang beroperasi dalam rentang frekuensi tinggi. Wafer ini diaplikasikan dalam sistem komunikasi, teknologi radar, dan komunikasi satelit, yang membutuhkan efisiensi daya dan kinerja tinggi.

Bahasa Indonesia:Aplikasi Fotonik
Dalam fotonik, wafer SiC digunakan untuk perangkat seperti fotodetektor dan modulator. Sifat unik material ini memungkinkannya efektif dalam pembangkitan cahaya, modulasi, dan deteksi dalam sistem komunikasi optik dan perangkat pencitraan.

Bahasa Indonesia:Sensor
Wafer SiC digunakan dalam berbagai aplikasi sensor, terutama di lingkungan yang keras di mana material lain mungkin rusak. Ini termasuk sensor suhu, tekanan, dan kimia, yang penting dalam bidang seperti otomotif, minyak & gas, dan pemantauan lingkungan.

Bahasa Indonesia:Sistem Penggerak Kendaraan Listrik
Teknologi SiC memainkan peran penting dalam kendaraan listrik dengan meningkatkan efisiensi dan kinerja sistem penggerak. Dengan semikonduktor daya SiC, kendaraan listrik dapat memperoleh masa pakai baterai yang lebih baik, waktu pengisian yang lebih cepat, dan efisiensi energi yang lebih besar.

Bahasa Indonesia:Sensor Canggih dan Konverter Fotonik
Dalam teknologi sensor canggih, wafer SiC digunakan untuk membuat sensor presisi tinggi untuk aplikasi dalam robotika, perangkat medis, dan pemantauan lingkungan. Dalam konverter fotonik, sifat SiC dimanfaatkan untuk memungkinkan konversi energi listrik menjadi sinyal optik yang efisien, yang sangat penting dalam telekomunikasi dan infrastruktur internet berkecepatan tinggi.

Tanya Jawab

Q：Apa itu 4H dalam 4H SiC?
A："4H" dalam 4H SiC mengacu pada struktur kristal silikon karbida, khususnya bentuk heksagonal dengan empat lapisan (H). "H" menunjukkan jenis politipe heksagonal, yang membedakannya dari politipe SiC lainnya seperti 6H atau 3C.

Q：Berapa konduktivitas termal 4H-SiC?
A:Konduktivitas termal 4H-SiC (Silicon Carbide) sekitar 490-500 W/m·K pada suhu ruangan. Konduktivitas termal yang tinggi ini membuatnya ideal untuk aplikasi dalam elektronika daya dan lingkungan bersuhu tinggi, di mana pembuangan panas yang efisien sangat penting.

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

    • Produk Terkait

    Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami
    Tekan enter untuk mencari atau ESC untuk menutup