English

Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia

Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi ） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia Gambar Unggulan
  • Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia
  • Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia
  • Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia
  • Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia
  • Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia
  • Wafer silikon karbida SiC Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI（Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi） 4H/6H-P 3C -n tipe 2 3 4 6 8 inci tersedia

Deskripsi Singkat:

Kami menawarkan beragam pilihan wafer SiC (Silicon Carbide) berkualitas tinggi, dengan fokus khusus pada wafer tipe N 4H-N dan 6H-N, yang ideal untuk aplikasi dalam optoelektronik canggih, perangkat listrik, dan lingkungan bersuhu tinggi. . Wafer tipe-N ini dikenal dengan konduktivitas termalnya yang luar biasa, stabilitas listriknya yang luar biasa, dan daya tahannya yang luar biasa, menjadikannya sempurna untuk aplikasi berkinerja tinggi seperti elektronika daya, sistem penggerak kendaraan listrik, inverter energi terbarukan, dan pasokan listrik industri. Selain penawaran tipe N, kami juga menyediakan wafer tipe P 4H/6H-P dan 3C SiC untuk kebutuhan khusus, termasuk perangkat frekuensi tinggi dan RF, serta aplikasi fotonik. Wafer kami tersedia dalam ukuran mulai dari 2 inci hingga 8 inci, dan kami memberikan solusi yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan spesifik berbagai sektor industri. Untuk rincian lebih lanjut atau pertanyaan, jangan ragu untuk menghubungi kami.


Detail Produk

Label Produk

Properti

4H-N dan 6H-N (Wafer SiC tipe N)

Aplikasi:Terutama digunakan dalam elektronika daya, optoelektronik, dan aplikasi suhu tinggi.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm, dengan ketebalan opsional 500 μm ± 25 μm.

Resistivitas:Tipe-N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (kelas Z), ≤ 0,3 Ω·cm (kelas P); Tipe-N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (tingkat Z), ≤ 1 mΩ·cm (tingkat P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 unit/cm².

TV: ≤ 10 μm untuk semua diameter.

Melengkung: ≤ 30 μm (≤ 45 μm untuk wafer 8 inci).

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm tergantung pada jenis wafer.

Kemasan:Kaset multi-wafer atau wadah wafer tunggal.

Ohter tersedia ukuran 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

HPSI (Wafer SiC Semi-Insulasi Kemurnian Tinggi)

Aplikasi:Digunakan untuk perangkat yang memerlukan resistansi tinggi dan kinerja stabil, seperti perangkat RF, aplikasi fotonik, dan sensor.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:Ketebalan standar 350 μm ± 25 μm dengan pilihan wafer yang lebih tebal hingga 500 μm.

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm.

Kepadatan Mikropipa (MPD): ≤ 1 buah/cm².

Resistivitas:Resistensi tinggi, biasanya digunakan dalam aplikasi semi-isolasi.

Melengkung: ≤ 30 μm (untuk ukuran lebih kecil), ≤ 45 μm untuk diameter lebih besar.

TV: ≤ 10 mikron.

Ohter tersedia ukuran 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

4H-P、6H-P&3C wafer SiC(Wafer SiC tipe-P)

Aplikasi:Terutama untuk perangkat listrik dan frekuensi tinggi.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm atau opsi yang disesuaikan.

Resistivitas:Tipe-P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (tingkat Z), ≤ 0,3 Ω·cm (tingkat P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 unit/cm².

TV: ≤ 10 mikron.

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm.

Melengkung: ≤ 30 μm untuk ukuran lebih kecil, ≤ 45 μm untuk ukuran lebih besar.

Ohter tersedia ukuran 3 inci 4 inci 6 inci5×5 10×10

Tabel Parameter Data Parsial

Milik

2 inci

3 inci

4 inci

6 inci

8 inci

Jenis

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diameter

50,8±0,3mm

76,2±0,3mm

100±0,3 mm

150±0,3mm

200±0,3mm

Ketebalan

330 ± 25 mm

350 ±25 mm

350 ±25 mm

350 ±25 mm

350 ±25 mm

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

Kekasaran

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Melengkung

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Gores/Gali

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Membentuk

Bulat, Datar 16mm; Panjang 22mm; Panjang 30/32.5mm; DARI Panjang47.5mm; TAKIK; TAKIK;

Memiringkan

45°, Spesifikasi SEMI; Bentuk C

 Nilai

Kelas produksi untuk MOS&SBD; Nilai penelitian; Kelas tiruan, Kelas wafer benih

Perkataan

Diameter, Tebal, Orientasi, spesifikasi diatas dapat disesuaikan dengan permintaan anda

 

Aplikasi

·Elektronika Daya

Wafer SiC tipe N sangat penting dalam perangkat elektronik daya karena kemampuannya menangani tegangan tinggi dan arus tinggi. Mereka biasanya digunakan dalam konverter daya, inverter, dan penggerak motor untuk industri seperti energi terbarukan, kendaraan listrik, dan otomasi industri.

· Optoelektronik
Bahan SiC tipe N, terutama untuk aplikasi optoelektronik, digunakan pada perangkat seperti dioda pemancar cahaya (LED) dan dioda laser. Konduktivitas termalnya yang tinggi dan celah pita yang lebar menjadikannya ideal untuk perangkat optoelektronik berkinerja tinggi.

·Aplikasi Suhu Tinggi
Wafer SiC 4H-N 6H-N sangat cocok untuk lingkungan bersuhu tinggi, seperti pada sensor dan perangkat daya yang digunakan dalam aplikasi luar angkasa, otomotif, dan industri di mana pembuangan panas dan stabilitas pada suhu tinggi sangat penting.

·Perangkat RF
Wafer SiC 4H-N 6H-N digunakan pada perangkat frekuensi radio (RF) yang beroperasi dalam rentang frekuensi tinggi. Mereka diterapkan dalam sistem komunikasi, teknologi radar, dan komunikasi satelit, yang memerlukan efisiensi dan kinerja daya tinggi.

·Aplikasi Fotonik
Dalam fotonik, wafer SiC digunakan untuk perangkat seperti fotodetektor dan modulator. Sifat unik material ini memungkinkannya efektif dalam pembangkitan cahaya, modulasi, dan deteksi dalam sistem komunikasi optik dan perangkat pencitraan.

·Sensor
Wafer SiC digunakan dalam berbagai aplikasi sensor, khususnya di lingkungan yang keras di mana material lain mungkin rusak. Ini termasuk sensor suhu, tekanan, dan kimia, yang penting dalam bidang seperti otomotif, minyak & gas, dan pemantauan lingkungan.

·Sistem Penggerak Kendaraan Listrik
Teknologi SiC memainkan peran penting dalam kendaraan listrik dengan meningkatkan efisiensi dan kinerja sistem penggerak. Dengan semikonduktor daya SiC, kendaraan listrik dapat mencapai masa pakai baterai yang lebih baik, waktu pengisian daya yang lebih cepat, dan efisiensi energi yang lebih besar.

·Sensor Tingkat Lanjut dan Konverter Fotonik
Dalam teknologi sensor canggih, wafer SiC digunakan untuk membuat sensor presisi tinggi untuk aplikasi dalam robotika, perangkat medis, dan pemantauan lingkungan. Dalam konverter fotonik, properti SiC dieksploitasi untuk memungkinkan konversi energi listrik menjadi sinyal optik secara efisien, yang sangat penting dalam infrastruktur telekomunikasi dan internet berkecepatan tinggi.

Tanya Jawab

Q：Apa itu 4H dalam SiC 4H?
A："4H" dalam 4H SiC mengacu pada struktur kristal silikon karbida, khususnya bentuk heksagonal dengan empat lapisan (H). Huruf "H" menunjukkan jenis politipe heksagonal, yang membedakannya dari politipe SiC lainnya seperti 6H atau 3C.

Q：Berapa konduktivitas termal 4H-SiC?
A:Konduktivitas termal 4H-SiC (Silicon Carbide) adalah sekitar 490-500 W/m·K pada suhu kamar. Konduktivitas termal yang tinggi menjadikannya ideal untuk aplikasi elektronika daya dan lingkungan bersuhu tinggi, di mana pembuangan panas yang efisien sangat penting.

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:
    • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami

    Kategori produk

    Tekan enter untuk mencari atau ESC untuk menutup