Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

Deskripsi Singkat:

Kami menawarkan beragam pilihan wafer SiC (Silikon Karbida) berkualitas tinggi, dengan fokus khusus pada wafer tipe-N 4H-N dan 6H-N, yang ideal untuk aplikasi optoelektronik canggih, perangkat daya, dan lingkungan bersuhu tinggi. Wafer tipe-N ini dikenal karena konduktivitas termalnya yang luar biasa, stabilitas listrik yang luar biasa, dan daya tahan yang luar biasa, menjadikannya sempurna untuk aplikasi berkinerja tinggi seperti elektronika daya, sistem penggerak kendaraan listrik, inverter energi terbarukan, dan catu daya industri. Selain penawaran tipe-N kami, kami juga menyediakan wafer SiC tipe-P 4H/6H-P dan 3C untuk kebutuhan khusus, termasuk perangkat frekuensi tinggi dan RF, serta aplikasi fotonik. Wafer kami tersedia dalam berbagai ukuran mulai dari 2 inci hingga 8 inci, dan kami menyediakan solusi yang dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan spesifik berbagai sektor industri. Untuk detail atau pertanyaan lebih lanjut, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Kirim email ke kami

Fitur

Properti

4H-N dan 6H-N (Wafer SiC tipe N)

Aplikasi:Terutama digunakan dalam elektronika daya, optoelektronika, dan aplikasi suhu tinggi.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm, dengan ketebalan opsional 500 μm ± 25 μm.

Resistivitas:Tipe N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (kelas Z), ≤ 0,3 Ω·cm (kelas P); Tipe N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (kelas Z), ≤ 1 mΩ·cm (kelas P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 buah/cm².

Televisi: ≤ 10 μm untuk semua diameter.

Melengkung: ≤ 30 μm (≤ 45 μm untuk wafer 8 inci).

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm tergantung jenis wafer.

Kemasan:Kaset multi-wafer atau wadah wafer tunggal.

Ukuran lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

HPSI (Wafer SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi)

Aplikasi:Digunakan untuk perangkat yang memerlukan resistansi tinggi dan kinerja stabil, seperti perangkat RF, aplikasi fotonik, dan sensor.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:Ketebalan standar 350 μm ± 25 μm dengan opsi wafer lebih tebal hingga 500 μm.

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm.

Kepadatan Mikropipa (MPD): ≤ 1 buah/cm².

Resistivitas:Resistansi tinggi, biasanya digunakan dalam aplikasi semi-isolasi.

Melengkung: ≤ 30 μm (untuk ukuran lebih kecil), ≤ 45 μm untuk diameter lebih besar.

Televisi: ≤ 10 mikron.

Ukuran lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

4H-P[Bahasa Indonesia]6H-P&3C Wafer SiC(Wafer SiC tipe-P)

Aplikasi:Terutama untuk perangkat daya dan frekuensi tinggi.

Kisaran Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm atau opsi yang disesuaikan.

Resistivitas:Tipe P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (tingkat Z), ≤ 0,3 Ω·cm (tingkat P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 buah/cm².

Televisi: ≤ 10 mikron.

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm.

Melengkung: ≤ 30 μm untuk ukuran lebih kecil, ≤ 45 μm untuk ukuran lebih besar.

Ukuran lain yang tersedia 3 inci, 4 inci, 6 inci5×5 10×10

Tabel Parameter Data Parsial

Milik	2 inci		3 inci		4 inci	6 inci	8 inci
Jenis	4H-N/HPSI/ 6H-U/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-U/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diameter	50,8 ± 0,3 mm		76,2±0,3 mm		100±0,3 mm	150±0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Ketebalan	330 ± 25 mikron		350 ±25 mikrometer		350 ±25 mikrometer	350 ±25 mikrometer	350 ±25 mikrometer
	350±25um；		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	atau disesuaikan		atau disesuaikan		atau disesuaikan	atau disesuaikan	atau disesuaikan
Kekasaran	Ra ≤ 0,2nm		Ra ≤ 0,2nm		Ra ≤ 0,2nm	Ra ≤ 0,2nm	Ra ≤ 0,2nm
Melengkung	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Gores/Gali	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Membentuk	Bulat, Datar 16mm; Panjangnya 22mm; Panjangnya 30/32.5mm; Panjangnya 47.5mm; TAKIK; TAKIK;
Memiringkan	45°, Spesifikasi SEMI; Bentuk C
Nilai	Kelas produksi untuk MOS & SBD; Kelas penelitian; Kelas dummy, Kelas wafer benih
Perkataan	Diameter, Ketebalan, Orientasi, spesifikasi di atas dapat disesuaikan dengan permintaan Anda

Aplikasi

Bahasa Indonesia:Elektronika Daya

Wafer SiC tipe N sangat penting dalam perangkat elektronika daya karena kemampuannya menangani tegangan dan arus tinggi. Wafer ini umumnya digunakan dalam konverter daya, inverter, dan penggerak motor untuk industri seperti energi terbarukan, kendaraan listrik, dan otomasi industri.

· Optoelektronik
Material SiC tipe-N, terutama untuk aplikasi optoelektronik, digunakan dalam perangkat seperti dioda pemancar cahaya (LED) dan dioda laser. Konduktivitas termalnya yang tinggi dan celah pita yang lebar menjadikannya ideal untuk perangkat optoelektronik berkinerja tinggi.

Bahasa Indonesia:Aplikasi Suhu Tinggi
Wafer SiC 4H-N 6H-N sangat cocok untuk lingkungan bersuhu tinggi, seperti pada sensor dan perangkat daya yang digunakan dalam aplikasi kedirgantaraan, otomotif, dan industri di mana pembuangan panas dan stabilitas pada suhu tinggi sangat penting.

Bahasa Indonesia:Perangkat RF
Wafer SiC 4H-N dan 6H-N digunakan dalam perangkat frekuensi radio (RF) yang beroperasi pada rentang frekuensi tinggi. Wafer ini diterapkan dalam sistem komunikasi, teknologi radar, dan komunikasi satelit, yang membutuhkan efisiensi daya dan kinerja tinggi.

Bahasa Indonesia:Aplikasi Fotonik
Dalam fotonik, wafer SiC digunakan untuk perangkat seperti fotodetektor dan modulator. Sifat unik material ini memungkinkannya efektif dalam pembangkitan, modulasi, dan deteksi cahaya dalam sistem komunikasi optik dan perangkat pencitraan.

Bahasa Indonesia:Sensor
Wafer SiC digunakan dalam berbagai aplikasi sensor, terutama di lingkungan yang keras di mana material lain mungkin rusak. Ini termasuk sensor suhu, tekanan, dan kimia, yang penting dalam bidang-bidang seperti otomotif, minyak & gas, dan pemantauan lingkungan.

Bahasa Indonesia:Sistem Penggerak Kendaraan Listrik
Teknologi SiC berperan penting dalam kendaraan listrik dengan meningkatkan efisiensi dan kinerja sistem penggerak. Dengan semikonduktor daya SiC, kendaraan listrik dapat mencapai masa pakai baterai yang lebih baik, waktu pengisian daya yang lebih cepat, dan efisiensi energi yang lebih tinggi.

Bahasa Indonesia:Sensor Canggih dan Konverter Fotonik
Dalam teknologi sensor canggih, wafer SiC digunakan untuk menciptakan sensor presisi tinggi untuk aplikasi robotika, perangkat medis, dan pemantauan lingkungan. Dalam konverter fotonik, sifat-sifat SiC dimanfaatkan untuk memungkinkan konversi energi listrik menjadi sinyal optik yang efisien, yang sangat penting dalam infrastruktur telekomunikasi dan internet berkecepatan tinggi.

Tanya Jawab

Q：Apa itu 4H dalam 4H SiC?
A："4H" dalam SiC 4H mengacu pada struktur kristal silikon karbida, khususnya bentuk heksagonal dengan empat lapisan (H). "H" menunjukkan jenis politipe heksagonal, yang membedakannya dari politipe SiC lainnya seperti 6H atau 3C.

Q：Berapa konduktivitas termal 4H-SiC?
AKonduktivitas termal 4H-SiC (Silikon Karbida) sekitar 490-500 W/m·K pada suhu ruangan. Konduktivitas termal yang tinggi ini menjadikannya ideal untuk aplikasi elektronika daya dan lingkungan bersuhu tinggi, yang mana pembuangan panas yang efisien sangat penting.

Sebelumnya: Tabung safir presisi manufaktur tabung transparan Al2O3 kristal tahan aus kekerasan tinggi EFG / KY berbagai diameter pemolesan kustom

Berikutnya: Kotak wafer kaset wafer tunggal 2 inci bahan PP atau PC Digunakan dalam solusi koin wafer 1 inci, 3 inci, 4 inci, 5 inci, 6 inci, 12 inci tersedia