Wafer SiC tipe P 4H/6H-P 3C-N ketebalan 6 inci 350 μm dengan Orientasi Datar Utama
Spesifikasi Substrat Komposit SiC Tipe 4H/6H-P Tabel parameter umum
6 Substrat Silikon Karbida (SiC) berdiameter inci Spesifikasi
| Nilai | Produksi MPD NolKelas (Z) Nilai) | Produksi StandarNilai (P) Nilai) | Nilai Dummy (D Nilai) | ||
| Diameter | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Ketebalan | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientasi Wafer | -Offsumbu: 2,0°-4,0° ke arah [1120] ± 0,5° untuk 4H/6H-P, Pada sumbu:〈111〉± 0,5° untuk 3C-N | ||||
| Kepadatan Mikropipa | 0 cm-2 | ||||
| Resistivitas | tipe-p 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| tipe-n 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientasi Datar Utama | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Panjang Datar Utama | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Panjang Datar Sekunder | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientasi Datar Sekunder | Permukaan silikon menghadap ke atas: 90° searah jarum jam dari permukaan datar utama ± 5,0° | ||||
| Pengecualian Tepi | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Busur/Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Kekasaran | Polandia Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Retakan Tepi Akibat Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak ada | Panjang kumulatif ≤ 10 mm, panjang tunggal ≤ 2 mm | |||
| Pelat Heksagonal dengan Cahaya Intensitas Tinggi | Luas kumulatif ≤0,05% | Luas kumulatif ≤0,1% | |||
| Area Politipe dengan Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak ada | Luas kumulatif ≤3% | |||
| Inklusi Karbon Visual | Luas kumulatif ≤0,05% | Luas kumulatif ≤3% | |||
| Permukaan Silikon Tergores oleh Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak ada | Panjang kumulatif ≤ 1 × diameter wafer | |||
| Keripik Tepi Tinggi Karena Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak diperbolehkan lebar dan kedalaman ≥0,2 mm | Diizinkan 5 buah, masing-masing ≤1 mm. | |||
| Kontaminasi Permukaan Silikon oleh Intensitas Tinggi | Tidak ada | ||||
| Kemasan | Kaset Multi-wafer atau Wadah Wafer Tunggal | ||||
Catatan:
※ Batasan cacat berlaku untuk seluruh permukaan wafer kecuali area pengecualian tepi. # Goresan harus diperiksa pada permukaan Si.
Wafer SiC tipe P, 4H/6H-P 3C-N, dengan ukuran 6 inci dan ketebalan 350 μm, memainkan peran penting dalam produksi industri elektronika daya berkinerja tinggi. Konduktivitas termal yang sangat baik dan tegangan tembus yang tinggi menjadikannya ideal untuk pembuatan komponen seperti sakelar daya, dioda, dan transistor yang digunakan di lingkungan bersuhu tinggi seperti kendaraan listrik, jaringan listrik, dan sistem energi terbarukan. Kemampuan wafer untuk beroperasi secara efisien dalam kondisi yang keras memastikan kinerja yang andal dalam aplikasi industri yang membutuhkan kepadatan daya tinggi dan efisiensi energi. Selain itu, orientasi datar utamanya membantu penyelarasan yang tepat selama fabrikasi perangkat, meningkatkan efisiensi produksi dan konsistensi produk.
Keunggulan substrat komposit SiC tipe N meliputi:
- Konduktivitas Termal TinggiWafer SiC tipe P secara efisien menghilangkan panas, sehingga ideal untuk aplikasi suhu tinggi.
- Tegangan Tembus TinggiMampu menahan tegangan tinggi, sehingga menjamin keandalan dalam elektronika daya dan perangkat tegangan tinggi.
- Ketahanan terhadap Lingkungan yang EkstremDaya tahan yang sangat baik dalam kondisi ekstrem, seperti suhu tinggi dan lingkungan korosif.
- Konversi Daya yang EfisienDoping tipe P memfasilitasi penanganan daya yang efisien, sehingga wafer tersebut cocok untuk sistem konversi energi.
- Orientasi Datar UtamaMemastikan penyelarasan yang tepat selama proses manufaktur, sehingga meningkatkan akurasi dan konsistensi perangkat.
- Struktur Tipis (350 μm)Ketebalan wafer yang optimal mendukung integrasi ke dalam perangkat elektronik canggih yang memiliki keterbatasan ruang.
Secara keseluruhan, wafer SiC tipe P, 4H/6H-P 3C-N, menawarkan berbagai keunggulan yang membuatnya sangat cocok untuk aplikasi industri dan elektronik. Konduktivitas termal dan tegangan tembusnya yang tinggi memungkinkan pengoperasian yang andal di lingkungan suhu tinggi dan tegangan tinggi, sementara ketahanannya terhadap kondisi yang keras memastikan daya tahannya. Doping tipe P memungkinkan konversi daya yang efisien, menjadikannya ideal untuk elektronika daya dan sistem energi. Selain itu, orientasi datar utama wafer memastikan penyelarasan yang tepat selama proses manufaktur, meningkatkan konsistensi produksi. Dengan ketebalan 350 μm, wafer ini sangat cocok untuk diintegrasikan ke dalam perangkat canggih dan kompak.
Diagram Terperinci
