Pelat/baki keramik SiC untuk dudukan wafer 4 inci 6 inci untuk ICP

Deskripsi Singkat:

Pelat keramik SiC merupakan komponen berkinerja tinggi yang direkayasa dari Karbida Silikon dengan kemurnian tinggi, yang dirancang untuk digunakan dalam lingkungan termal, kimia, dan mekanis yang ekstrem. Terkenal karena kekerasannya yang luar biasa, konduktivitas termal, dan ketahanan terhadap korosi, pelat SiC banyak digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, atau komponen struktural dalam industri semikonduktor, LED, fotovoltaik, dan kedirgantaraan.

Kirim email ke kami

Fitur

Abstrak plat keramik SiC

Dengan stabilitas termal yang luar biasa hingga 1600°C dan ketahanan yang sangat baik terhadap gas reaktif dan lingkungan plasma, pelat SiC memastikan kinerja yang konsisten selama proses etsa, pengendapan, dan difusi suhu tinggi. Struktur mikronya yang padat dan tidak berpori meminimalkan pembentukan partikel, sehingga ideal untuk aplikasi ultra-bersih dalam pengaturan vakum atau ruang bersih.

Aplikasi pelat keramik SiC

1. Manufaktur Semikonduktor

Pelat keramik SiC umumnya digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, dan pelat pedestal dalam peralatan fabrikasi semikonduktor seperti CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), dan sistem etsa. Konduktivitas termalnya yang sangat baik dan ekspansi termal yang rendah memungkinkannya mempertahankan distribusi suhu yang seragam, yang sangat penting untuk pemrosesan wafer presisi tinggi. Ketahanan SiC terhadap gas dan plasma korosif memastikan ketahanan di lingkungan yang keras, membantu mengurangi kontaminasi partikel dan perawatan peralatan.

2. Industri LED – Pengetsaan ICP

Di sektor manufaktur LED, pelat SiC merupakan komponen utama dalam sistem etsa ICP (Inductively Coupled Plasma). Berfungsi sebagai penahan wafer, pelat ini menyediakan platform yang stabil dan kuat secara termal untuk menopang wafer safir atau GaN selama pemrosesan plasma. Ketahanan plasma yang sangat baik, kerataan permukaan, dan stabilitas dimensi membantu memastikan akurasi dan keseragaman etsa yang tinggi, yang menghasilkan peningkatan hasil dan kinerja perangkat dalam chip LED.

3. Fotovoltaik (PV) dan Energi Surya

Pelat keramik SiC juga digunakan dalam produksi sel surya, khususnya selama tahap sintering dan annealing suhu tinggi. Kelembamannya pada suhu tinggi dan kemampuannya untuk menahan lengkungan memastikan pemrosesan wafer silikon yang konsisten. Selain itu, risiko kontaminasi yang rendah sangat penting untuk menjaga efisiensi sel fotovoltaik.

Properti pelat keramik SiC

1. Kekuatan Mekanik dan Kekerasan Luar Biasa

Pelat keramik SiC memiliki kekuatan mekanis yang sangat tinggi, dengan kekuatan lentur tipikal melebihi 400 MPa dan kekerasan Vickers mencapai >2000 HV. Hal ini membuat pelat ini sangat tahan terhadap keausan mekanis, abrasi, dan deformasi, sehingga memastikan masa pakai yang lama bahkan di bawah beban tinggi atau siklus termal berulang.

2. Konduktivitas Termal Tinggi

SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik (biasanya 120–200 W/m·K), yang memungkinkannya mendistribusikan panas secara merata di seluruh permukaannya. Properti ini sangat penting dalam proses seperti etsa wafer, pengendapan, atau sintering, di mana keseragaman suhu secara langsung memengaruhi hasil dan kualitas produk.

3. Stabilitas Termal yang Unggul

Dengan titik leleh yang tinggi (2700°C) dan koefisien ekspansi termal yang rendah (4,0 × 10⁻⁶/K), pelat keramik SiC mempertahankan akurasi dimensi dan integritas struktural di bawah siklus pemanasan dan pendinginan yang cepat. Hal ini membuatnya ideal untuk aplikasi di tungku suhu tinggi, ruang vakum, dan lingkungan plasma.

Properti Teknis
Indeks	Satuan	Nilai
Nama Material		Reaksi Sintering Karbida Silikon	Karbida Silikon Sinter Tanpa Tekanan	Karbida Silikon Rekristalisasi
Komposisi		Bahasa Indonesia: RBSiC	SSiC	R-SiC
Kepadatan Massal	gram/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Kekuatan Lentur	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Kekuatan Kompresi	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Kekerasan	Knoop	2700	2800	/
Mematahkan Keuletan	MPa m1/2	4.5	4	/
Konduktivitas Termal	Dengan/mk	95	120	23
Koefisien Ekspansi Termal	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Panas Spesifik	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Suhu maksimum di udara	℃	tahun 1200	tahun 1500	tahun 1600
Modulus Elastisitas	IPK	360	410	240

Tanya Jawab tentang pelat keramik SiC

T: Apa saja sifat pelat silikon karbida?

A: Pelat silikon karbida (SiC) dikenal karena kekuatan, kekerasan, dan stabilitas termalnya yang tinggi. Pelat ini menawarkan konduktivitas termal yang sangat baik dan ekspansi termal yang rendah, yang memastikan kinerja yang andal dalam suhu ekstrem. SiC juga bersifat inert secara kimia, tahan terhadap asam, alkali, dan lingkungan plasma, sehingga ideal untuk pemrosesan semikonduktor dan LED. Permukaannya yang padat dan halus meminimalkan pembentukan partikel, sehingga menjaga kompatibilitas ruang bersih. Pelat SiC banyak digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, dan komponen pendukung dalam lingkungan suhu tinggi dan korosif di seluruh industri semikonduktor, fotovoltaik, dan kedirgantaraan.