Pelat/baki keramik SiC untuk dudukan wafer 4 inci 6 inci untuk ICP

Deskripsi Singkat:

Pelat keramik SiC adalah komponen berkinerja tinggi yang direkayasa dari Silikon Karbida dengan kemurnian tinggi, dirancang untuk digunakan di lingkungan termal, kimia, dan mekanis yang ekstrem. Terkenal karena kekerasan, konduktivitas termal, dan ketahanan korosinya yang luar biasa, pelat SiC banyak digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, atau komponen struktural dalam industri semikonduktor, LED, fotovoltaik, dan kedirgantaraan.

Kirim email ke kami

Fitur

Abstrak plat keramik SiC

Dengan stabilitas termal yang luar biasa hingga 1600°C dan ketahanan yang sangat baik terhadap gas reaktif dan lingkungan plasma, pelat SiC memastikan kinerja yang konsisten selama proses etsa, deposisi, dan difusi suhu tinggi. Mikrostrukturnya yang padat dan tidak berpori meminimalkan pembentukan partikel, sehingga ideal untuk aplikasi ultra-bersih dalam ruang vakum atau ruang bersih.

Aplikasi pelat keramik SiC

1. Manufaktur Semikonduktor

Pelat keramik SiC umumnya digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, dan pelat pedestal pada peralatan fabrikasi semikonduktor seperti CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition), dan sistem etsa. Konduktivitas termalnya yang sangat baik dan ekspansi termal yang rendah memungkinkannya mempertahankan distribusi suhu yang seragam, yang sangat penting untuk pemrosesan wafer presisi tinggi. Ketahanan SiC terhadap gas dan plasma korosif memastikan ketahanan di lingkungan yang keras, membantu mengurangi kontaminasi partikel dan perawatan peralatan.

2. Industri LED – Pengetsaan ICP

Di sektor manufaktur LED, pelat SiC merupakan komponen kunci dalam sistem etsa ICP (Inductively Coupled Plasma). Berfungsi sebagai penahan wafer, pelat ini menyediakan platform yang stabil dan tahan panas untuk menopang wafer safir atau GaN selama pemrosesan plasma. Ketahanan plasma, kerataan permukaan, dan stabilitas dimensinya yang luar biasa membantu memastikan akurasi dan keseragaman etsa yang tinggi, sehingga menghasilkan peningkatan hasil dan kinerja perangkat pada chip LED.

3. Fotovoltaik (PV) dan Energi Surya

Pelat keramik SiC juga digunakan dalam produksi sel surya, terutama selama tahap sintering dan anil suhu tinggi. Ketahanannya terhadap suhu tinggi dan kemampuannya menahan lengkungan memastikan pemrosesan wafer silikon yang konsisten. Selain itu, risiko kontaminasi yang rendah sangat penting untuk menjaga efisiensi sel fotovoltaik.

Properti pelat keramik SiC

1. Kekuatan Mekanik dan Kekerasan Luar Biasa

Pelat keramik SiC menunjukkan kekuatan mekanis yang sangat tinggi, dengan kekuatan lentur tipikal melebihi 400 MPa dan kekerasan Vickers mencapai >2000 HV. Hal ini membuatnya sangat tahan terhadap keausan mekanis, abrasi, dan deformasi, memastikan masa pakai yang panjang bahkan di bawah beban tinggi atau siklus termal berulang.

2. Konduktivitas Termal Tinggi

SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik (biasanya 120–200 W/m·K), yang memungkinkannya mendistribusikan panas secara merata di seluruh permukaannya. Sifat ini penting dalam proses seperti etsa wafer, deposisi, atau sintering, di mana keseragaman suhu secara langsung memengaruhi hasil dan kualitas produk.

3. Stabilitas Termal yang Unggul

Dengan titik leleh yang tinggi (2700°C) dan koefisien muai termal yang rendah (4,0 × 10⁻⁶/K), pelat keramik SiC mempertahankan akurasi dimensi dan integritas struktural dalam siklus pemanasan dan pendinginan yang cepat. Hal ini menjadikannya ideal untuk aplikasi di tungku suhu tinggi, ruang vakum, dan lingkungan plasma.

Properti Teknis
Indeks	Satuan	Nilai
Nama Material		Karbida Silikon Sinter Reaksi	Karbida Silikon Sinter Tanpa Tekanan	Karbida Silikon Rekristalisasi
Komposisi		RBSiC	SSiC	R-SiC
Kepadatan Massal	gram/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Kekuatan Lentur	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Kekuatan Kompresi	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Kekerasan	Knoop	2700	2800	/
Mematahkan Keuletan	MPa m1/2	4.5	4	/
Konduktivitas Termal	Dengan mk	95	120	23
Koefisien Ekspansi Termal	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Panas Spesifik	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Suhu maksimum di udara	℃	tahun 1200	tahun 1500	tahun 1600
Modulus Elastisitas	IPK	360	410	240

Tanya Jawab pelat keramik SiC

T: Apa saja sifat pelat silikon karbida?

A: Pelat silikon karbida (SiC) dikenal karena kekuatan, kekerasan, dan stabilitas termalnya yang tinggi. Pelat ini menawarkan konduktivitas termal yang sangat baik dan ekspansi termal yang rendah, yang memastikan kinerja yang andal dalam suhu ekstrem. SiC juga bersifat inert secara kimia, tahan terhadap asam, alkali, dan lingkungan plasma, sehingga ideal untuk pemrosesan semikonduktor dan LED. Permukaannya yang padat dan halus meminimalkan pembentukan partikel, sehingga menjaga kompatibilitas ruang bersih. Pelat SiC banyak digunakan sebagai pembawa wafer, susceptor, dan komponen pendukung dalam lingkungan suhu tinggi dan korosif di seluruh industri semikonduktor, fotovoltaik, dan kedirgantaraan.