Ingot Litium Tantalat LiTaO3 dengan Doping Fe/Mg yang Disesuaikan 4 inci, 6 inci, 8 inci untuk Penginderaan Industri

Batangan Litium Tantalat LiTaO3 dengan Doping Fe/Mg yang Disesuaikan 4 inci, 6 inci, 8 inci untuk Penginderaan Industri Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Batangan LiTaO3 (Batang Lithium Tantalate), sebagai bahan inti untuk semikonduktor celah pita lebar generasi ketiga dan optoelektronik, memanfaatkan suhu Curie yang tinggi (607°C), rentang transparansi yang luas (400–5.200 nm), koefisien kopling elektromekanis yang sangat baik (Kt² >15%), dan rugi dielektrik rendah (tanδ <2%) untuk merevolusi komunikasi 5G, komputasi kuantum, dan integrasi fotonik. Melalui teknologi fabrikasi canggih seperti transportasi uap fisik (PVT) dan deposisi uap kimia (CVD), kami menyediakan ingot potongan X/Y/Z, potongan 42°Y, dan pole periodik (PPLT) dalam spesifikasi 3–8 inci, yang menampilkan kerapatan pipa mikro <0,1 cm⁻² dan kerapatan dislokasi <500 cm⁻². Layanan kami meliputi doping Fe/Mg, pandu gelombang pertukaran proton, dan integrasi heterogen (POI) berbasis silikon, yang menangani filter optik berkinerja tinggi, sumber cahaya kuantum, dan detektor inframerah. Material ini mendorong terobosan dalam miniaturisasi, operasi frekuensi tinggi, dan stabilitas termal, yang mempercepat substitusi domestik dan kemajuan teknologi.

Kirim email ke kami

Fitur

Parameter teknis

Spesifikasi	Konvensional	Presisi Tinggi
Bahan	Wafer LiTaO3(LT)/ LiNbO3	Wafer LiTaO3(LT)/LiNbO3
Orientasi	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°
Paralel	30 inci	10''
Tegak lurus	10 kaki	5'
Kualitas Permukaan	40/20	20/10
Distorsi Muka Gelombang	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Kerataan Permukaan	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Bukaan Jernih	>90%	>90%
Talang	<0,2×45°	<0,2×45°
Toleransi Ketebalan/Diameter	±0,1 mm	±0,1 mm
Dimensi maksimum	diameter 150×50mm	diameter 150×50mm

Layanan XKH

1. Pembuatan Ingot Skala BesarBahasa Indonesia:

Ukuran dan Pemotongan: Ingot 3–8 inci dengan potongan X/Y/Z, potongan 42°Y, dan potongan sudut khusus (toleransi ±0,01°).

Kontrol Doping: Ko-doping Fe/Mg melalui metode Czochralski (kisaran konsentrasi 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) untuk mengoptimalkan ketahanan fotorefraksi dan stabilitas termal.

2. Teknologi Proses LanjutanBahasa Indonesia:

Integrasi Heterogen: Wafer komposit LiTaO3 berbasis silikon (POI) dengan kontrol ketebalan (300–600 nm) dan konduktivitas termal hingga 8,78 W/m·K untuk filter SAW frekuensi tinggi.

Pembuatan Pandu Gelombang: Teknik pertukaran proton (PE) dan pertukaran proton terbalik (RPE), mencapai pandu gelombang submikron (Δn >0,7) untuk modulator elektro-optik berkecepatan tinggi (lebar pita >40 GHz).

3. Sistem Manajemen Mutu

Pengujian Ujung-ke-Ujung: Spektroskopi Raman (verifikasi politipe), XRD (kristalinitas), AFM (morfologi permukaan), dan pengujian keseragaman optik (Δn <5×10⁻⁵).

4. Dukungan Rantai Pasokan Global

Kapasitas Produksi: Output bulanan >5.000 ingot (8 inci: 70%), mendukung pengiriman darurat 48 jam.

Jaringan Logistik: Cakupan di Eropa, Amerika Utara, dan Asia-Pasifik melalui angkutan udara/laut dengan pengemasan yang suhunya terkontrol.

5. Pengembangan Teknis Bersama

Lab Penelitian dan Pengembangan Gabungan: Berkolaborasi pada platform integrasi fotonik (misalnya, ikatan lapisan SiO2 dengan kehilangan rendah).

Ringkasan

Batangan LiTaO3 berfungsi sebagai material strategis yang membentuk kembali teknologi optoelektronik dan kuantum. Melalui inovasi dalam pertumbuhan kristal (misalnya, PVT), mitigasi cacat, dan integrasi heterogen (misalnya, POI), kami menghadirkan solusi yang sangat andal dan hemat biaya untuk komunikasi 5G/6G, komputasi kuantum, dan IoT industri. Komitmen XKH untuk memajukan pengurangan cacat batangan dan penskalaan produksi 8 inci memastikan klien memimpin dalam rantai pasokan global, mendorong era baru ekosistem semikonduktor dengan celah pita lebar.