Susunan fotodetektor PD Array substrat wafer epitaksial InGaAs dapat digunakan untuk LiDAR.
Fitur utama lembaran epitaksial laser InGaAs meliputi:
1. Pencocokan kisi: Pencocokan kisi yang baik dapat dicapai antara lapisan epitaksial InGaAs dan substrat InP atau GaAs, sehingga mengurangi kepadatan cacat pada lapisan epitaksial dan meningkatkan kinerja perangkat.
2. Celah pita yang dapat disesuaikan: Celah pita material InGaAs dapat dicapai dengan menyesuaikan proporsi komponen In dan Ga, yang membuat lembaran epitaksial InGaAs memiliki prospek aplikasi yang luas dalam perangkat optoelektronik.
3. Sensitivitas cahaya yang tinggi: Film epitaksial InGaAs memiliki sensitivitas cahaya yang tinggi, yang menjadikannya unggul dalam bidang deteksi fotolistrik, komunikasi optik, dan bidang lainnya.
4. Stabilitas suhu tinggi: Struktur epitaksial InGaAs/InP memiliki stabilitas suhu tinggi yang sangat baik, dan dapat mempertahankan kinerja perangkat yang stabil pada suhu tinggi.
Aplikasi utama tablet epitaksi laser InGaAs meliputi:
1. Perangkat optoelektronik: Tablet epitaksial InGaAs dapat digunakan untuk memproduksi fotodioda, fotodetektor, dan perangkat optoelektronik lainnya, yang memiliki berbagai aplikasi dalam komunikasi optik, penglihatan malam, dan bidang lainnya.
2. Laser: Lembaran epitaksial InGaAs juga dapat digunakan untuk memproduksi laser, terutama laser panjang gelombang, yang memainkan peran penting dalam komunikasi serat optik, pengolahan industri, dan bidang lainnya.
3. Sel surya: Material InGaAs memiliki rentang penyesuaian celah pita yang lebar, yang dapat memenuhi persyaratan celah pita yang dibutuhkan oleh sel fotovoltaik termal, sehingga lembaran epitaksial InGaAs juga memiliki potensi aplikasi tertentu di bidang sel surya.
4. Pencitraan medis: Pada peralatan pencitraan medis (seperti CT, MRI, dll.), untuk deteksi dan pencitraan.
5. Jaringan sensor: dalam pemantauan lingkungan dan deteksi gas, beberapa parameter dapat dipantau secara bersamaan.
6. Otomasi industri: digunakan dalam sistem visi mesin untuk memantau status dan kualitas objek pada lini produksi.
Di masa depan, sifat material substrat epitaksial InGaAs akan terus meningkat, termasuk peningkatan efisiensi konversi fotolistrik dan pengurangan tingkat kebisingan. Hal ini akan membuat substrat epitaksial InGaAs lebih banyak digunakan dalam perangkat optoelektronik, dan kinerjanya lebih unggul. Pada saat yang sama, proses preparasi juga akan terus dioptimalkan untuk mengurangi biaya dan meningkatkan efisiensi, sehingga dapat memenuhi kebutuhan pasar yang lebih besar.
Secara umum, substrat epitaksial InGaAs menempati posisi penting di bidang material semikonduktor dengan karakteristik unik dan prospek aplikasi yang luas.
XKH menawarkan kustomisasi lembaran epitaksial InGaAs dengan berbagai struktur dan ketebalan, mencakup berbagai aplikasi untuk perangkat optoelektronik, laser, dan sel surya. Produk XKH diproduksi dengan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan kinerja dan keandalan yang tinggi. Dari segi logistik, XKH memiliki berbagai saluran sumber internasional, yang dapat secara fleksibel menangani jumlah pesanan, dan menyediakan layanan bernilai tambah seperti pemurnian dan segmentasi. Proses pengiriman yang efisien memastikan pengiriman tepat waktu dan memenuhi persyaratan pelanggan untuk kualitas dan waktu pengiriman.
Diagram Terperinci



