Detektor cahaya APD substrat wafer epitaksial InP 2 inci, 3 inci, 4 inci untuk komunikasi serat optik atau LiDAR.
Fitur utama lembaran epitaksial laser InP meliputi:
1. Karakteristik celah pita: InP memiliki celah pita yang sempit, yang cocok untuk deteksi cahaya inframerah gelombang panjang, terutama dalam rentang panjang gelombang 1,3μm hingga 1,5μm.
2. Kinerja optik: Film epitaksial InP memiliki kinerja optik yang baik, seperti daya pancaran dan efisiensi kuantum eksternal pada panjang gelombang yang berbeda. Misalnya, pada 480 nm, daya pancaran dan efisiensi kuantum eksternal masing-masing adalah 11,2% dan 98,8%.
3. Dinamika pembawa muatan: Nanopartikel InP (NPs) menunjukkan perilaku peluruhan eksponensial ganda selama pertumbuhan epitaksial. Waktu peluruhan yang cepat disebabkan oleh injeksi pembawa muatan ke dalam lapisan InGaAs, sedangkan waktu peluruhan yang lambat berkaitan dengan rekombinasi pembawa muatan dalam InP NPs.
4. Karakteristik suhu tinggi: Material sumur kuantum AlGaInAs/InP memiliki kinerja yang sangat baik pada suhu tinggi, yang secara efektif dapat mencegah kebocoran aliran dan meningkatkan karakteristik suhu tinggi laser.
5. Proses manufaktur: Lembaran epitaksial InP biasanya ditumbuhkan pada substrat dengan teknologi epitaksi berkas molekuler (MBE) atau deposisi uap kimia organometalik (MOCVD) untuk menghasilkan film berkualitas tinggi.
Karakteristik ini menjadikan wafer epitaksi laser InP memiliki aplikasi penting dalam komunikasi serat optik, distribusi kunci kuantum, dan deteksi optik jarak jauh.
Aplikasi utama tablet epitaksi laser InP meliputi:
1. Fotonika: Laser dan detektor InP banyak digunakan dalam komunikasi optik, pusat data, pencitraan inframerah, biometrik, penginderaan 3D, dan LiDAR.
2. Telekomunikasi: Material InP memiliki aplikasi penting dalam integrasi skala besar laser panjang gelombang berbasis silikon, terutama dalam komunikasi serat optik.
3. Laser inframerah: Aplikasi laser sumur kuantum berbasis InP pada pita inframerah menengah (seperti 4-38 mikron), termasuk penginderaan gas, deteksi bahan peledak, dan pencitraan inframerah.
4. Fotonik silikon: Melalui teknologi integrasi heterogen, laser InP ditransfer ke substrat berbasis silikon untuk membentuk platform integrasi optoelektronik silikon multifungsi.
5. Laser berkinerja tinggi: Material InP digunakan untuk memproduksi laser berkinerja tinggi, seperti laser transistor InGaAsP-InP dengan panjang gelombang 1,5 mikron.
XKH menawarkan wafer epitaksial InP yang disesuaikan dengan berbagai struktur dan ketebalan, mencakup berbagai aplikasi seperti komunikasi optik, sensor, stasiun pangkalan 4G/5G, dll. Produk XKH diproduksi menggunakan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan kinerja dan keandalan yang tinggi. Dari segi logistik, XKH memiliki berbagai saluran sumber internasional, dapat secara fleksibel menangani jumlah pesanan, dan menyediakan layanan bernilai tambah seperti penipisan, segmentasi, dll. Proses pengiriman yang efisien memastikan pengiriman tepat waktu dan memenuhi persyaratan pelanggan untuk kualitas dan waktu pengiriman. Setelah tiba, pelanggan dapat memperoleh dukungan teknis komprehensif dan layanan purna jual untuk memastikan produk dapat digunakan dengan lancar.
Diagram Terperinci



