Wafer SiC 4H-N 8 Inci 200mm Konduktif Dummy Kelas Penelitian

Wafer SiC 4H-N 8 Inci 200mm Gambar Unggulan Dummy Konduktif Kelas Penelitian

Deskripsi Singkat:

Seiring berkembangnya pasar transportasi, energi, dan industri, permintaan akan elektronika daya yang andal dan berkinerja tinggi terus meningkat. Untuk memenuhi kebutuhan peningkatan kinerja semikonduktor, produsen perangkat mencari material semikonduktor dengan celah pita lebar, seperti portofolio wafer silikon karbida (SiC) tipe-n 4H SiC Prime Grade kami.

Kirim email ke kami

Fitur

Karena sifat fisik dan elektroniknya yang unik, material semikonduktor wafer SiC 200 mm digunakan untuk menciptakan perangkat elektronik berkinerja tinggi, tahan suhu tinggi, radiasi, dan frekuensi tinggi. Harga substrat SiC 8 inci menurun secara bertahap seiring dengan kemajuan teknologi dan meningkatnya permintaan. Perkembangan teknologi terkini mendorong produksi wafer SiC 200 mm dalam skala besar. Keunggulan utama material semikonduktor wafer SiC dibandingkan wafer Si dan GaAs adalah: Kekuatan medan listrik 4H-SiC selama kerusakan longsor lebih dari satu orde magnitudo dibandingkan nilai yang sesuai untuk Si dan GaAs. Hal ini menyebabkan penurunan resistivitas aktif (Ron) yang signifikan. Resistivitas aktif yang rendah, dikombinasikan dengan rapat arus dan konduktivitas termal yang tinggi, memungkinkan penggunaan die yang sangat kecil untuk perangkat daya. Konduktivitas termal SiC yang tinggi mengurangi resistansi termal chip. Sifat elektronik perangkat berbasis wafer SiC sangat stabil seiring waktu dan suhu, yang menjamin keandalan produk yang tinggi. Silikon karbida sangat tahan terhadap radiasi keras, sehingga tidak menurunkan sifat elektronik chip. Batas suhu operasi kristal yang tinggi (lebih dari 6000°C) memungkinkan terciptanya perangkat yang sangat andal untuk kondisi operasi yang berat dan aplikasi khusus. Saat ini, kami dapat memasok wafer SiC 200mm dalam jumlah kecil secara stabil dan berkelanjutan, serta memiliki stok di gudang.

Spesifikasi

Nomor	Barang	Satuan	Produksi	Riset	Contoh
1. Parameter
1.1	politipe	--	4H	4H	4H
1.2	orientasi permukaan	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Parameter listrik
2.1	dopan	--	Nitrogen tipe-n	Nitrogen tipe-n	Nitrogen tipe-n
2.2	resistivitas	ohm·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Parameter mekanis
3.1	diameter	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	ketebalan	mikrometer	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientasi takik	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Kedalaman Takik	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	Nilai Tukar Tambah (LTV)	mikrometer	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	Televisi	mikrometer	≤10	≤10	≤15
3.7	Busur	mikrometer	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Melengkung	mikrometer	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Struktur
4.1	kepadatan mikropipa	masing-masing/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	kandungan logam	atom/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	masing-masing/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	Penyakit Jantung Koroner (BPBD)	masing-masing/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	masing-masing/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Kualitas positif
5.1	depan	--	Si	Si	Si
5.2	permukaan akhir	--	CMP muka-Si	CMP muka-Si	CMP muka-Si
5.3	partikel	ea/wafer	≤100 (ukuran ≥ 0,3μm)	NA	NA
5.4	menggores	ea/wafer	≤5, Panjang Total ≤200mm	NA	NA
5.5	Tepian serpihan/lekukan/retak/noda/kontaminasi	--	Tidak ada	Tidak ada	NA
5.6	Area politipe	--	Tidak ada	Luas ≤10%	Luas ≤30%
5.7	tanda depan	--	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
6. Kualitas punggung
6.1	bagian belakang selesai	--	MP berwajah C	MP berwajah C	MP berwajah C
6.2	menggores	mm	NA	NA	NA
6.3	Cacat tepi belakang keripik/lekukan	--	Tidak ada	Tidak ada	NA
6.4	Kekasaran punggung	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Penandaan kembali	--	Takik	Takik	Takik
7. Tepi
7.1	tepian	--	Talang	Talang	Talang
8. Paket
8.1	kemasan	--	Siap epi dengan vakum kemasan	Siap epi dengan vakum kemasan	Siap epi dengan vakum kemasan
8.2	kemasan	--	Multi-wafer kemasan kaset	Multi-wafer kemasan kaset	Multi-wafer kemasan kaset