Wafer SiC 4H-N 8 inci 200mm konduktif kelas penelitian
Karena sifat fisik dan elektroniknya yang unik, bahan semikonduktor wafer SiC 200mm digunakan untuk membuat perangkat elektronik berkinerja tinggi, suhu tinggi, tahan radiasi, dan frekuensi tinggi. Harga substrat SiC 8 inci menurun secara bertahap karena teknologi menjadi lebih maju dan permintaan tumbuh. Perkembangan teknologi terkini mengarah pada produksi skala produksi wafer SiC 200mm. Keuntungan utama bahan semikonduktor wafer SiC dibandingkan dengan wafer Si dan GaAs: Kekuatan medan listrik 4H-SiC selama kerusakan longsor lebih dari satu orde besaran lebih tinggi daripada nilai yang sesuai untuk Si dan GaAs. Hal ini menyebabkan penurunan yang signifikan dalam resistivitas on-state Ron. Resistivitas on-state yang rendah, dikombinasikan dengan kepadatan arus dan konduktivitas termal yang tinggi, memungkinkan penggunaan die yang sangat kecil untuk perangkat daya. Konduktivitas termal SiC yang tinggi mengurangi resistansi termal chip. Sifat elektronik perangkat berbasis wafer SiC sangat stabil dari waktu ke waktu dan pada suhu stabil, yang memastikan keandalan produk yang tinggi. Karbida silikon sangat tahan terhadap radiasi keras, yang tidak menurunkan sifat elektronik chip. Suhu operasi kristal yang membatasi tinggi (lebih dari 6000C) memungkinkan Anda membuat perangkat yang sangat andal untuk kondisi operasi yang keras dan aplikasi khusus. Saat ini, kami dapat memasok wafer SiC 200mm dalam jumlah kecil secara stabil dan terus-menerus serta memiliki stok di gudang.
Spesifikasi
| Nomor | Barang | Satuan | Produksi | Riset | Contoh |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | politipe | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parameter listrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n |
| 2.2 | resistivitas | ohm·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parameter mekanis | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | ketebalan | mikrometer | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takik | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1,5 tahun | 1~1,5 tahun | 1~1,5 tahun |
| 3.5 | Nilai Tukar Tambah | mikrometer | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TV Televisi | mikrometer | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Busur | mikrometer | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Melengkung | mikrometer | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | kepadatan mikropipa | satuan/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | satuan/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Penyakit Akibat Penyakit Berdarah | satuan/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | satuan/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualitas positif | |||||
| 5.1 | depan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | permukaan akhir | -- | CMP muka-Si | CMP muka-Si | CMP muka-Si |
| 5.3 | partikel | masing-masing/wafer | ≤100 (ukuran ≥ 0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | menggores | masing-masing/wafer | ≤5, Panjang Total ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Tepian serpihan/lekukan/retak/noda/kontaminasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 5.6 | Area politipe | -- | Tidak ada | Luas wilayah ≤10% | Luas wilayah ≤30% |
| 5.7 | tanda depan | -- | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
| 6. Kualitas punggung | |||||
| 6.1 | selesai kembali | -- | Wajah C MP | Wajah C MP | Wajah C MP |
| 6.2 | menggores | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Cacat tepi belakang keripik/indentasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 6.4 | Kekasaran punggung | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan kembali | -- | Takik | Takik | Takik |
| 7. Tepi | |||||
| 7.1 | tepian | -- | Talang | Talang | Talang |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | kemasan | -- | Siap epi dengan vakum kemasan | Siap epi dengan vakum kemasan | Siap epi dengan vakum kemasan |
| 8.2 | kemasan | -- | wafer ganda kemasan kaset | wafer ganda kemasan kaset | wafer ganda kemasan kaset |
Diagram Rinci
