Batangan Karbida Silikon 4H-SiC Semi-Isolasi 6 inci, Kelas Dummy
Properti
1. Sifat Fisik dan Struktural
●Jenis Material: Karbida Silikon (SiC)
●Politipe: 4H-SiC, struktur kristal heksagonal
●Diameter: 6 inci (150 mm)
●Ketebalan: Dapat dikonfigurasi (umumnya 5-15 mm untuk kelas dummy)
●Orientasi Kristal:
oUtama: [0001] (bidang C)
oPilihan sekunder: Off-axis 4° untuk pertumbuhan epitaksial yang dioptimalkan
●Orientasi Datar Utama: (10-10) ± 5°
●Orientasi Datar Sekunder: 90° berlawanan arah jarum jam dari datar primer ± 5°
2. Sifat Listrik
●Resistivitas:
oSemi-isolasi (>106^66 Ω·cm), ideal untuk meminimalkan kapasitansi parasit.
●Jenis Doping:
oDidoping secara tidak sengaja, menghasilkan resistivitas dan stabilitas listrik yang tinggi dalam berbagai kondisi operasi.
3. Sifat Termal
●Konduktivitas Termal: 3,5-4,9 W/cm·K, memungkinkan pembuangan panas yang efektif dalam sistem berdaya tinggi.
●Koefisien Ekspansi Termal: 4,2×10−64,2 \kali 10^{-6}4,2×10−6/K, memastikan stabilitas dimensi selama pemrosesan suhu tinggi.
4. Sifat Optik
●Celah pita: Celah pita lebar 3,26 eV, memungkinkan operasi pada tegangan dan suhu tinggi.
●Transparansi: Transparansi tinggi terhadap panjang gelombang UV dan tampak, berguna untuk pengujian optoelektronik.
5. Sifat Mekanik
●Kekerasan: Skala Mohs 9, kedua setelah berlian, memastikan ketahanan selama pemrosesan.
●Kepadatan Cacat:
oDikendalikan untuk cacat makro minimal, memastikan kualitas yang memadai untuk aplikasi kelas tiruan.
●Kerataan: Keseragaman dengan penyimpangan
| Parameter | Rincian | Satuan |
| Nilai | Kelas Boneka | |
| Diameter | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Orientasi Wafer | Pada sumbu: <0001> ± 0,5° | derajat |
| Resistivitas Listrik | > 1E5 | Ω·cm |
| Orientasi Datar Utama | {10-10} ± 5,0° | derajat |
| Panjang Datar Primer | Takik | |
| Retakan (Pemeriksaan Cahaya Intensitas Tinggi) | < 3 mm dalam radial | mm |
| Pelat Hex (Pemeriksaan Cahaya Intensitas Tinggi) | Luas kumulatif ≤ 5% | % |
| Area Politipe (Inspeksi Cahaya Intensitas Tinggi) | Luas kumulatif ≤ 10% | % |
| Kepadatan Mikropipa | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Pemotongan Tepi | 3 diizinkan, masing-masing ≤ 3 mm | mm |
| Catatan | Ketebalan wafer pengiris < 1 mm, > 70% (tidak termasuk dua ujung) memenuhi persyaratan di atas |
Aplikasi
1. Prototyping dan Penelitian
Batangan 4H-SiC berukuran 6 inci dengan mutu tiruan merupakan material ideal untuk pembuatan prototipe dan penelitian, yang memungkinkan produsen dan laboratorium untuk:
●Uji parameter proses dalam Chemical Vapor Deposition (CVD) atau Physical Vapor Deposition (PVD).
●Mengembangkan dan menyempurnakan teknik etsa, pemolesan, dan pengirisan wafer.
●Jelajahi desain perangkat baru sebelum beralih ke material tingkat produksi.
2. Kalibrasi dan Pengujian Perangkat
Sifat semi-isolasi membuat ingot ini sangat berharga untuk:
●Mengevaluasi dan mengkalibrasi sifat kelistrikan perangkat daya tinggi dan frekuensi tinggi.
●Mensimulasikan kondisi operasional untuk MOSFET, IGBT, atau dioda di lingkungan pengujian.
●Berfungsi sebagai pengganti substrat dengan kemurnian tinggi yang hemat biaya selama pengembangan tahap awal.
3. Elektronika Daya
Konduktivitas termal yang tinggi dan karakteristik celah pita lebar dari 4H-SiC memungkinkan pengoperasian yang efisien dalam elektronika daya, termasuk:
●Catu daya tegangan tinggi.
●Inverter kendaraan listrik (EV).
●Sistem energi terbarukan, seperti inverter surya dan turbin angin.
4. Aplikasi Frekuensi Radio (RF)
Kerugian dielektrik 4H-SiC yang rendah dan mobilitas elektron yang tinggi membuatnya cocok untuk:
●Penguat RF dan transistor dalam infrastruktur komunikasi.
●Sistem radar frekuensi tinggi untuk aplikasi kedirgantaraan dan pertahanan.
●Komponen jaringan nirkabel untuk teknologi 5G yang sedang berkembang.
5. Perangkat Tahan Radiasi
Karena ketahanannya terhadap cacat akibat radiasi, 4H-SiC semi-isolasi ideal untuk:
●Peralatan eksplorasi ruang angkasa, termasuk elektronik satelit dan sistem tenaga.
●Elektronik antiradiasi untuk pemantauan dan pengendalian nuklir.
●Aplikasi pertahanan yang membutuhkan ketahanan di lingkungan ekstrem.
6. Optoelektronik
Transparansi optik dan celah pita lebar 4H-SiC memungkinkan penggunaannya dalam:
●Fotodetektor UV dan LED daya tinggi.
●Menguji lapisan optik dan perawatan permukaan.
●Membuat prototipe komponen optik untuk sensor canggih.
Keunggulan Material Dummy Grade
Efisiensi Biaya:
Kelas dummy merupakan alternatif yang lebih terjangkau dibandingkan material kelas penelitian atau produksi, sehingga ideal untuk pengujian rutin dan penyempurnaan proses.
Kustomisasi:
Dimensi yang dapat dikonfigurasi dan orientasi kristal memastikan kompatibilitas dengan berbagai aplikasi.
Skalabilitas:
Diameter 6 inci selaras dengan standar industri, memungkinkan penskalaan yang mulus ke proses tingkat produksi.
Ketahanan:
Kekuatan mekanik dan stabilitas termal yang tinggi membuat ingot tersebut tahan lama dan dapat diandalkan dalam berbagai kondisi percobaan.
Keserbagunaan:
Cocok untuk berbagai industri, dari sistem energi hingga komunikasi dan optoelektronik.
Kesimpulan
Batangan silikon karbida (4H-SiC) semi-isolasi 6 inci, kelas tiruan, menawarkan platform yang andal dan serbaguna untuk penelitian, pembuatan prototipe, dan pengujian di sektor teknologi mutakhir. Sifat termal, listrik, dan mekanisnya yang luar biasa, dipadukan dengan keterjangkauan dan kemampuan penyesuaian, menjadikannya material yang sangat diperlukan baik untuk akademisi maupun industri. Dari elektronika daya hingga sistem RF dan perangkat yang tahan radiasi, batangan ini mendukung inovasi di setiap tahap pengembangan.
Untuk spesifikasi yang lebih rinci atau untuk meminta penawaran harga, silakan hubungi kami secara langsung. Tim teknis kami siap membantu dengan solusi yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan Anda.
Diagram Rinci
