6 dalam Ingot Semi-isolasi Silikon Karbida 4H-SiC, Kelas Dummy

6 dalam Ingot Semi-Insulasi Silikon Karbida 4H-SiC, Gambar Unggulan Kelas Dummy

Deskripsi Singkat:

Silicon Carbide (SiC) merevolusi industri semikonduktor, khususnya dalam aplikasi berdaya tinggi, frekuensi tinggi, dan tahan radiasi. Ingot semi-isolasi 4H-SiC 6 inci, ditawarkan dalam kelas tiruan, merupakan bahan penting untuk proses pembuatan prototipe, penelitian, dan kalibrasi. Dengan celah pita yang lebar, konduktivitas termal yang sangat baik, dan ketahanan mekanis, ingot ini berfungsi sebagai pilihan hemat biaya untuk pengujian dan optimalisasi proses tanpa mengurangi kualitas dasar yang diperlukan untuk pengembangan lebih lanjut. Produk ini melayani berbagai aplikasi, termasuk elektronika daya, perangkat frekuensi radio (RF), dan optoelektronik, menjadikannya alat yang sangat berharga bagi industri dan lembaga penelitian.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Properti

1. Sifat Fisik dan Struktural
●Jenis Bahan: Silikon Karbida (SiC)
●Politipe: 4H-SiC, struktur kristal heksagonal
●Diameter: 6 inci (150 mm)
●Ketebalan: Dapat dikonfigurasi (khas 5-15 mm untuk kelas tiruan)
●Orientasi Kristal:
o Utama: [0001] (bidang C)
oOpsi sekunder: Off-axis 4° untuk pertumbuhan epitaksi yang optimal
●Orientasi Datar Utama: (10-10) ± 5°
●Orientasi Flat Sekunder: 90° berlawanan arah jarum jam dari flat primer ± 5°

2. Sifat Listrik
●Resistivitas:
oSemi-isolasi (>106^66 Ω·cm), ideal untuk meminimalkan kapasitansi parasit.
●Jenis Doping:
o Didoping secara tidak sengaja, sehingga menghasilkan resistivitas dan stabilitas listrik yang tinggi dalam berbagai kondisi pengoperasian.

3. Sifat Termal
●Konduktivitas Termal: 3,5-4,9 W/cm·K, memungkinkan pembuangan panas yang efektif dalam sistem berdaya tinggi.
●Koefisien Ekspansi Termal: 4,2×10−64,2 \kali 10^{-6}4,2×10−6/K, memastikan stabilitas dimensi selama pemrosesan suhu tinggi.

4. Sifat Optik
●Bandgap: Celah pita lebar sebesar 3,26 eV, memungkinkan pengoperasian pada tegangan dan suhu tinggi.
●Transparansi: Transparansi tinggi terhadap panjang gelombang UV dan cahaya tampak, berguna untuk pengujian optoelektronik.

5. Sifat Mekanik
●Kekerasan: Skala Mohs 9, nomor dua setelah berlian, memastikan ketahanan selama pemrosesan.
●Kepadatan Cacat:
oTerkendali untuk meminimalkan cacat makro, memastikan kualitas yang memadai untuk aplikasi tingkat tiruan.
●Kerataan: Keseragaman dengan penyimpangan

Parameter	Detail	Satuan
Nilai	Kelas Boneka
Diameter	150,0 ± 0,5	mm
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	derajat
Resistivitas Listrik	> 1E5	Ω·cm
Orientasi Datar Primer	{10-10} ± 5,0°	derajat
Panjang Datar Primer	Takik
Retak (Pemeriksaan Cahaya Intensitas Tinggi)	< 3 mm secara radial	mm
Pelat Hex (Pemeriksaan Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif ≤ 5%	%
Area Politipe (Inspeksi Cahaya Intensitas Tinggi)	Luas kumulatif ≤ 10%	%
Kepadatan Mikropipa	<50	cm−2^-2−2
Pemotongan Tepi	3 diperbolehkan, masing-masing ≤ 3 mm	mm
Catatan	Ketebalan irisan wafer <1 mm, > 70% (tidak termasuk dua ujung) memenuhi persyaratan di atas

Aplikasi

1. Pembuatan Prototipe dan Penelitian
Ingot 4H-SiC 6 inci kelas tiruan adalah bahan yang ideal untuk pembuatan prototipe dan penelitian, memungkinkan produsen dan laboratorium untuk:
●Uji parameter proses dalam Deposisi Uap Kimia (CVD) atau Deposisi Uap Fisik (PVD).
●Mengembangkan dan menyempurnakan teknik etsa, pemolesan, dan pemotongan wafer.
●Jelajahi desain perangkat baru sebelum beralih ke material tingkat produksi.

2. Kalibrasi dan Pengujian Perangkat
Sifat semi-isolasi membuat ingot ini sangat berharga untuk:
●Mengevaluasi dan mengkalibrasi sifat kelistrikan perangkat berdaya tinggi dan frekuensi tinggi.
●Mensimulasikan kondisi operasional untuk MOSFET, IGBT, atau dioda di lingkungan pengujian.
●Berfungsi sebagai pengganti substrat dengan kemurnian tinggi yang hemat biaya selama pengembangan tahap awal.

3. Elektronika Daya
Konduktivitas termal yang tinggi dan karakteristik celah pita yang lebar dari 4H-SiC memungkinkan pengoperasian yang efisien dalam elektronika daya, termasuk:
●Pasokan listrik bertegangan tinggi.
●Inverter kendaraan listrik (EV).
●Sistem energi terbarukan, seperti inverter surya dan turbin angin.

4. Aplikasi Frekuensi Radio (RF).
Kerugian dielektrik 4H-SiC yang rendah dan mobilitas elektron yang tinggi membuatnya cocok untuk:
●Penguat RF dan transistor dalam infrastruktur komunikasi.
●Sistem radar frekuensi tinggi untuk aplikasi ruang angkasa dan pertahanan.
●Komponen jaringan nirkabel untuk teknologi 5G yang sedang berkembang.

5. Perangkat Tahan Radiasi
Karena ketahanannya terhadap cacat akibat radiasi, semi-isolasi 4H-SiC sangat ideal untuk:
●Peralatan eksplorasi ruang angkasa, termasuk elektronik satelit dan sistem tenaga.
●Elektronik yang diperkeras radiasi untuk pemantauan dan pengendalian nuklir.
●Aplikasi pertahanan yang memerlukan ketahanan di lingkungan ekstrem.

6. Optoelektronik
Transparansi optik dan celah pita lebar 4H-SiC memungkinkan penggunaannya dalam:
●Fotodetektor UV dan LED berdaya tinggi.
●Menguji pelapisan optik dan perawatan permukaan.
●Membuat prototipe komponen optik untuk sensor tingkat lanjut.

Keuntungan Bahan Kelas Dummy

Efisiensi Biaya:
Kelas dummy adalah alternatif yang lebih terjangkau dibandingkan bahan kelas penelitian atau produksi, sehingga ideal untuk pengujian rutin dan penyempurnaan proses.

Kemampuan penyesuaian:
Dimensi dan orientasi kristal yang dapat dikonfigurasi memastikan kompatibilitas dengan berbagai aplikasi.

Skalabilitas:
Diameter 6 inci selaras dengan standar industri, memungkinkan penskalaan yang mulus pada proses tingkat produksi.

Kekokohan:
Kekuatan mekanik yang tinggi dan stabilitas termal membuat ingot tahan lama dan dapat diandalkan dalam berbagai kondisi eksperimen.

Keserbagunaan:
Cocok untuk berbagai industri, mulai dari sistem energi hingga komunikasi dan optoelektronik.

Kesimpulan

Ingot semi-isolasi Silicon Carbide (4H-SiC) 6 inci, kelas tiruan, menawarkan platform yang andal dan serbaguna untuk penelitian, pembuatan prototipe, dan pengujian di sektor teknologi mutakhir. Sifat termal, listrik, dan mekaniknya yang luar biasa, dikombinasikan dengan keterjangkauan dan kemampuan penyesuaian, menjadikannya bahan yang sangat diperlukan baik bagi akademisi maupun industri. Mulai dari elektronika daya hingga sistem RF dan perangkat yang diperkeras radiasi, ingot ini mendukung inovasi di setiap tahap pengembangan.
Untuk spesifikasi lebih detail atau untuk meminta penawaran, silahkan langsung menghubungi kami. Tim teknis kami siap membantu dengan solusi yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan Anda.