6 inci Batang Semi-Isolasi Silikon Karbida 4H-SiC, Kelas Dummy
Properti
1. Sifat Fisik dan Struktural
●Jenis Material: Silikon Karbida (SiC)
●Politipe: 4H-SiC, struktur kristal heksagonal
●Diameter: 6 inci (150 mm)
●Ketebalan: Dapat dikonfigurasi (5-15 mm biasanya untuk kelas dummy)
●Orientasi Kristal:
oPrimer: [0001] (bidang C)
Opsi sekunder: Off-axis 4° untuk pertumbuhan epitaksial yang optimal.
●Orientasi Datar Utama: (10-10) ± 5°
●Orientasi Bidang Sekunder: 90° berlawanan arah jarum jam dari bidang utama ± 5°
2. Sifat-Sifat Kelistrikan
●Resistivitas:
oSemi-isolasi (>106^66 Ω·cm), ideal untuk meminimalkan kapasitansi parasit.
●Jenis Doping:
Tidak sengaja mengalami doping, sehingga menghasilkan resistivitas listrik dan stabilitas yang tinggi dalam berbagai kondisi pengoperasian.
3. Sifat Termal
●Konduktivitas Termal: 3,5-4,9 W/cm·K, memungkinkan pembuangan panas yang efektif dalam sistem daya tinggi.
●Koefisien Ekspansi Termal: 4,2×10−64,2 × 10⁻⁶4,2×10⁻⁶/K, memastikan stabilitas dimensi selama pemrosesan suhu tinggi.
4. Sifat Optik
●Celahan pita energi: Celahan pita energi yang lebar sebesar 3,26 eV, memungkinkan pengoperasian pada tegangan dan suhu tinggi.
●Transparansi: Transparansi tinggi terhadap panjang gelombang UV dan cahaya tampak, berguna untuk pengujian optoelektronik.
5. Sifat Mekanik
●Kekerasan: Skala Mohs 9, kedua setelah berlian, memastikan daya tahan selama pemrosesan.
●Kepadatan Cacat:
Dikendalikan untuk meminimalkan cacat makro, memastikan kualitas yang memadai untuk aplikasi kelas dummy.
●Kerataan: Keseragaman dengan penyimpangan
| Parameter | Detail | Satuan |
| Nilai | Nilai Dummy | |
| Diameter | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Orientasi Wafer | Pada sumbu: <0001> ± 0,5° | derajat |
| Resistivitas Listrik | > 1E5 | Ω·cm |
| Orientasi Datar Utama | {10-10} ± 5,0° | derajat |
| Panjang Datar Utama | Takik | |
| Retakan (Inspeksi Cahaya Intensitas Tinggi) | < 3 mm secara radial | mm |
| Pelat Heksagonal (Inspeksi Cahaya Intensitas Tinggi) | Luas kumulatif ≤ 5% | % |
| Area Politipe (Inspeksi Cahaya Intensitas Tinggi) | Luas kumulatif ≤ 10% | % |
| Kepadatan Mikropipa | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Pengelupasan Tepi | 3 diperbolehkan, masing-masing ≤ 3 mm | mm |
| Catatan | Ketebalan wafer yang dipotong < 1 mm, > 70% (tidak termasuk kedua ujung) memenuhi persyaratan di atas. |
Aplikasi
1. Pembuatan Prototipe dan Penelitian
Batangan 4H-SiC 6 inci kelas dummy merupakan material ideal untuk pembuatan prototipe dan penelitian, memungkinkan produsen dan laboratorium untuk:
●Menguji parameter proses dalam Chemical Vapor Deposition (CVD) atau Physical Vapor Deposition (PVD).
●Mengembangkan dan menyempurnakan teknik etsa, pemolesan, dan pemotongan wafer.
●Jelajahi desain perangkat baru sebelum beralih ke material tingkat produksi.
2. Kalibrasi dan Pengujian Perangkat
Sifat semi-isolasi membuat ingot ini sangat berharga untuk:
●Mengevaluasi dan mengkalibrasi sifat-sifat kelistrikan perangkat berdaya tinggi dan berfrekuensi tinggi.
●Mensimulasikan kondisi operasional untuk MOSFET, IGBT, atau dioda dalam lingkungan pengujian.
●Berfungsi sebagai pengganti yang hemat biaya untuk substrat dengan kemurnian tinggi selama tahap pengembangan awal.
3. Elektronika Daya
Konduktivitas termal yang tinggi dan karakteristik celah pita lebar dari 4H-SiC memungkinkan pengoperasian yang efisien dalam elektronika daya, termasuk:
● Catu daya tegangan tinggi.
●Inverter kendaraan listrik (EV).
●Sistem energi terbarukan, seperti inverter surya dan turbin angin.
4. Aplikasi Frekuensi Radio (RF)
Kerugian dielektrik yang rendah dan mobilitas elektron yang tinggi pada 4H-SiC menjadikannya cocok untuk:
● Penguat RF dan transistor dalam infrastruktur komunikasi.
●Sistem radar frekuensi tinggi untuk aplikasi kedirgantaraan dan pertahanan.
●Komponen jaringan nirkabel untuk teknologi 5G yang sedang berkembang.
5. Perangkat Tahan Radiasi
Karena ketahanannya yang melekat terhadap kerusakan akibat radiasi, 4H-SiC semi-isolasi sangat ideal untuk:
●Peralatan eksplorasi ruang angkasa, termasuk elektronik satelit dan sistem tenaga.
●Elektronik tahan radiasi untuk pemantauan dan pengendalian nuklir.
●Aplikasi pertahanan yang membutuhkan ketahanan di lingkungan ekstrem.
6. Optoelektronik
Transparansi optik dan celah pita lebar dari 4H-SiC memungkinkan penggunaannya dalam:
●Detektor foto UV dan LED daya tinggi.
●Pengujian lapisan optik dan perawatan permukaan.
●Pembuatan prototipe komponen optik untuk sensor canggih.
Keunggulan Material Kelas Dummy
Efisiensi Biaya:
Material dummy grade merupakan alternatif yang lebih terjangkau dibandingkan material grade penelitian atau produksi, sehingga ideal untuk pengujian rutin dan penyempurnaan proses.
Kemampuan kustomisasi:
Dimensi dan orientasi kristal yang dapat dikonfigurasi memastikan kompatibilitas dengan berbagai macam aplikasi.
Skalabilitas:
Diameter 6 inci sesuai dengan standar industri, memungkinkan penskalaan yang mulus ke proses tingkat produksi.
Ketahanan:
Kekuatan mekanik yang tinggi dan stabilitas termal membuat ingot tersebut tahan lama dan andal dalam berbagai kondisi eksperimental.
Fleksibilitas:
Cocok untuk berbagai industri, mulai dari sistem energi hingga komunikasi dan optoelektronik.
Kesimpulan
Batangan silikon karbida (4H-SiC) semi-isolasi berukuran 6 inci, kelas dummy, menawarkan platform yang andal dan serbaguna untuk penelitian, pembuatan prototipe, dan pengujian di sektor teknologi mutakhir. Sifat termal, listrik, dan mekaniknya yang luar biasa, dikombinasikan dengan harga yang terjangkau dan kemampuan kustomisasi, menjadikannya material yang sangat diperlukan baik untuk akademisi maupun industri. Dari elektronika daya hingga sistem RF dan perangkat tahan radiasi, batangan ini mendukung inovasi di setiap tahap pengembangan.
Untuk spesifikasi lebih detail atau untuk meminta penawaran harga, silakan hubungi kami langsung. Tim teknis kami siap membantu dengan solusi yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan Anda.
Diagram Terperinci
