Template AlN 50,8mm/100mm pada template AlN NPSS/FSS pada safir

Templat AlN 50,8mm/100mm pada templat AlN NPSS/FSS pada safir Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

AlN-On-Sapphire mengacu pada kombinasi material di mana film aluminium nitrida ditumbuhkan pada substrat Safir. Dalam struktur ini, film aluminium nitrida berkualitas tinggi dapat ditumbuhkan melalui pengendapan uap kimia (CVD) atau pengendapan uap kimia organometrik (MOCVD), yang membuat film aluminium nitrida dan substrat safir memiliki kombinasi yang baik. Keunggulan struktur ini adalah aluminium nitrida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, stabilitas kimia yang tinggi, dan sifat optik yang sangat baik, sedangkan substrat safir memiliki sifat mekanis dan termal serta transparansi yang sangat baik.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

AlN-Pada-Safir

AlN-On-Sapphire dapat digunakan untuk membuat berbagai perangkat fotolistrik, seperti:
1. Chip LED: Chip LED biasanya terbuat dari lapisan aluminium nitrida dan bahan lainnya. Efisiensi dan stabilitas LED dapat ditingkatkan dengan menggunakan wafer AlN-On-Sapphire sebagai substrat chip LED.
2. Laser: Wafer AlN-On-Sapphire juga dapat digunakan sebagai substrat untuk laser, yang umum digunakan dalam bidang medis, komunikasi, dan pemrosesan material.
3. Sel surya: Pembuatan sel surya memerlukan penggunaan bahan seperti aluminium nitrida. AlN-On-Sapphire sebagai substrat dapat meningkatkan efisiensi dan masa pakai sel surya.
4. Perangkat optoelektronik lainnya: Wafer AlN-On-Sapphire juga dapat digunakan untuk memproduksi fotodetektor, perangkat optoelektronik, dan perangkat optoelektronik lainnya.

Kesimpulannya, wafer AlN-On-Sapphire banyak digunakan dalam bidang opto-listrik karena konduktivitas termalnya tinggi, stabilitas kimianya tinggi, kehilangannya rendah, dan sifat optiknya sangat baik.

Templat AlN 50,8mm/100mm pada NPSS/FSS

Barang	Perkataan
Keterangan	Templat AlN-pada-NPSS	Templat AlN-pada-FSS
Diameter wafer	50,8mm, 100mm
Substrat	NPSS bidang-c	Safir Planar bidang-c (FSS)
Ketebalan Substrat	50,8mm, 100mmc-plane Planar Safir (FSS) 100mm : 650 um
Ketebalan lapisan epi AIN	3~4 um (target: 3,3 um)
Daya konduksi	Isolasi
Permukaan	Saat tumbuh dewasa
	RMS < 1nm	RMS<2nm
Bagian belakang	digiling
FWHM(002)XRC	< 150 detik busur	< 150 detik busur
FWHM(102)XRC	< 300 detik busur	< 300 detik busur
Pengecualian Tepi	< 2 mm	< 3 mm
Orientasi datar primer	bidang datar +0,1°
Panjang datar primer	50,8mm: 16+/-1mm 100mm: 30+/-1mm
Kemasan	Dikemas dalam kotak pengiriman atau wadah wafer tunggal