Templat AlN 50,8mm/100mm pada templat AlN NPSS/FSS pada safir

Templat AlN 50,8mm/100mm pada templat AlN NPSS/FSS pada gambar unggulan safir

Deskripsi Singkat:

AlN-On-Sapphire mengacu pada kombinasi bahan di mana film aluminium nitrida ditumbuhkan pada substrat Safir. Dalam struktur ini, film aluminium nitrida berkualitas tinggi dapat ditumbuhkan dengan deposisi uap kimia (CVD) atau deposisi uap kimia organometri (MOCVD), yang menjadikan film aluminium nitrida dan substrat safir memiliki kombinasi yang baik. Keuntungan dari struktur ini adalah aluminium nitrida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, stabilitas kimia yang tinggi, dan sifat optik yang sangat baik, sedangkan substrat safir memiliki sifat mekanik dan termal serta transparansi yang sangat baik.

Kirim email ke kami

Detil Produk

Label Produk

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire dapat digunakan untuk membuat berbagai macam perangkat fotolistrik, seperti:
1. Chip LED: Chip LED biasanya terbuat dari film aluminium nitrida dan bahan lainnya. Efisiensi dan stabilitas LED dapat ditingkatkan dengan menggunakan wafer AlN-On-Sapphire sebagai substrat chip LED.
2. Laser: Wafer AlN-On-Sapphire juga dapat digunakan sebagai substrat untuk laser, yang biasanya digunakan dalam bidang medis, komunikasi, dan pemrosesan material.
3. Sel surya: Pembuatan sel surya memerlukan penggunaan bahan seperti aluminium nitrida. AlN-On-Sapphire sebagai substrat dapat meningkatkan efisiensi dan umur sel surya.
4. Perangkat optoelektronik lainnya: Wafer AlN-On-Sapphire juga dapat digunakan untuk memproduksi fotodetektor, perangkat optoelektronik, dan perangkat optoelektronik lainnya.

Kesimpulannya, wafer AlN-On-Sapphire banyak digunakan di bidang opto-listrik karena konduktivitas termalnya yang tinggi, stabilitas kimia yang tinggi, kehilangan yang rendah, dan sifat optik yang sangat baik.

Templat AlN 50,8mm/100mm pada NPSS/FSS

Barang	Perkataan
Keterangan	Templat AlN-on-NPSS	Templat AlN-on-FSS
diameter wafer	50.8mm, 100mm
Substrat	NPSS pesawat-c	c-plane Planar Sapphire (FSS)
Ketebalan Substrat	Safir Planar (FSS) bidang 50,8 mm, 100 mmc, 100 mm : 650 um
Ketebalan lapisan epi AIN	3~4um (target: 3,3um)
Daya konduksi	Isolasi
Permukaan	Saat tumbuh
	RMS<1nm	RMS<2nm
Belakang	digiling
FWHM(002)XRC	< 150 detik busur	< 150 detik busur
FWHM(102)XRC	<300 detik busur	<300 detik busur
Pengecualian Tepi	< 2mm	< 3mm
Orientasi datar primer	sebuah bidang+0,1°
Panjang datar primer	50,8mm: 16+/-1mm 100mm: 30+/-1mm
Kemasan	Dikemas dalam kotak pengiriman atau wadah wafer tunggal