Templat AlN 50,8mm/100mm pada templat AlN NPSS/FSS pada safir

Deskripsi Singkat:

AlN-On-Sapphire mengacu pada kombinasi material di mana film aluminium nitrida ditumbuhkan di atas substrat safir. Dalam struktur ini, film aluminium nitrida berkualitas tinggi dapat ditumbuhkan melalui deposisi uap kimia (CVD) atau deposisi uap kimia organometrik (MOCVD), sehingga menghasilkan kombinasi yang baik antara film aluminium nitrida dan substrat safir. Keunggulan struktur ini adalah aluminium nitrida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, stabilitas kimia yang tinggi, dan sifat optik yang sangat baik, sementara substrat safir memiliki sifat mekanik dan termal serta transparansi yang sangat baik.

Kirim email ke kami

Fitur

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire dapat digunakan untuk membuat berbagai perangkat fotolistrik, seperti:
1. Chip LED: Chip LED biasanya terbuat dari film aluminium nitrida dan material lainnya. Efisiensi dan stabilitas LED dapat ditingkatkan dengan menggunakan wafer AlN-On-Sapphire sebagai substrat chip LED.
2. Laser: Wafer AlN-On-Sapphire juga dapat digunakan sebagai substrat untuk laser, yang umum digunakan dalam bidang medis, komunikasi, dan pemrosesan material.
3. Sel surya: Pembuatan sel surya membutuhkan penggunaan material seperti aluminium nitrida. AlN-On-Sapphire sebagai substrat dapat meningkatkan efisiensi dan masa pakai sel surya.
4. Perangkat optoelektronik lainnya: Wafer AlN-On-Sapphire juga dapat digunakan untuk memproduksi fotodetektor, perangkat optoelektronik, dan perangkat optoelektronik lainnya.

Kesimpulannya, wafer AlN-On-Sapphire banyak digunakan dalam bidang opto-listrik karena konduktivitas termalnya yang tinggi, stabilitas kimianya yang tinggi, kehilangannya yang rendah, dan sifat optiknya yang sangat baik.

Templat AlN 50,8mm/100mm pada NPSS/FSS

Barang	Perkataan
Keterangan	Templat AlN-pada-NPSS	Templat AlN-on-FSS
Diameter wafer	50,8 mm, 100 mm
Substrat	NPSS bidang-c	Safir Planar bidang-c (FSS)
Ketebalan Substrat	Safir Planar 50,8 mm, bidang 100 mm (FSS) 100 mm : 650 um
Ketebalan lapisan epi AIN	3~4 um (target: 3,3 um)
Daya konduksi	Isolasi
Permukaan	Saat tumbuh dewasa
	RMS<1nm	RMS<2nm
Bagian belakang	Digiling
FWHM(002)XRC	< 150 detik busur	< 150 detik busur
FWHM(102)XRC	< 300 detik busur	< 300 detik busur
Pengecualian Tepi	< 2 mm	< 3 mm
Orientasi datar primer	bidang a+0,1°
Panjang datar primer	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Kemasan	Dikemas dalam kotak pengiriman atau wadah wafer tunggal