Wafer substrat SiC 4H-N 8 inci Silicon Carbide Dummy Research kelas ketebalan 500um

Wafer substrat SiC 4H-N 8 inci Silicon Carbide Dummy Kelas penelitian ketebalan 500um

Deskripsi Singkat:

Wafer silikon karbida digunakan dalam perangkat elektronik seperti dioda daya, MOSFET, perangkat gelombang mikro berdaya tinggi, dan transistor RF, memungkinkan konversi energi dan manajemen daya yang efisien. Wafer dan substrat SiC juga digunakan dalam elektronik otomotif, sistem luar angkasa, dan teknologi energi terbarukan.

Kirim email ke kami

Detil Produk

Label Produk

Bagaimana Anda Memilih Wafer Silikon Karbida & Substrat SiC?

Saat memilih wafer dan substrat silikon karbida (SiC), ada beberapa faktor yang perlu dipertimbangkan. Berikut beberapa kriteria penting:

Tipe Material: Tentukan jenis material SiC yang sesuai dengan aplikasi Anda, seperti 4H-SiC atau 6H-SiC. Struktur kristal yang paling umum digunakan adalah 4H-SiC.

Jenis Doping: Putuskan apakah Anda memerlukan media SiC yang didoping atau tidak. Tipe doping yang umum adalah tipe-N (doped-n) atau tipe-P (doped-p), bergantung pada kebutuhan spesifik Anda.

Kualitas Kristal: Menilai kualitas kristal wafer atau substrat SiC. Kualitas yang diinginkan ditentukan oleh parameter seperti jumlah cacat, orientasi kristalografi, dan kekasaran permukaan.

Diameter Wafer: Pilih ukuran wafer yang sesuai berdasarkan aplikasi Anda. Ukuran umum termasuk 2 inci, 3 inci, 4 inci, dan 6 inci. Semakin besar diameternya, semakin banyak hasil yang bisa Anda peroleh per wafer.

Ketebalan: Pertimbangkan ketebalan wafer atau substrat SiC yang diinginkan. Pilihan ketebalan umumnya berkisar dari beberapa mikrometer hingga beberapa ratus mikrometer.

Orientasi: Tentukan orientasi kristalografi yang selaras dengan kebutuhan aplikasi Anda. Orientasi umum mencakup (0001) untuk 4H-SiC dan (0001) atau (0001̅) untuk 6H-SiC.

Permukaan Akhir: Evaluasi permukaan akhir wafer atau substrat SiC. Permukaannya harus halus, halus, dan bebas dari goresan atau kontaminan.

Reputasi Pemasok: Pilih pemasok terkemuka dengan pengalaman luas dalam memproduksi wafer dan substrat SiC berkualitas tinggi. Pertimbangkan faktor-faktor seperti kemampuan manufaktur, kontrol kualitas, dan ulasan pelanggan.

Biaya: Pertimbangkan implikasi biaya, termasuk harga per wafer atau substrat dan biaya penyesuaian tambahan lainnya.

Penting untuk menilai faktor-faktor ini secara cermat dan berkonsultasi dengan pakar industri atau pemasok untuk memastikan bahwa wafer dan substrat SiC yang dipilih memenuhi persyaratan aplikasi spesifik Anda.