Wafer SiC 2 inci 6H atau 4H Substrat SiC Semi-Isolasi Diameter 50,8 mm

Substrat silikon karbida dapat dibagi menjadi tipe konduktif dan tipe semi-isolasi berdasarkan resistivitasnya. Perangkat silikon karbida konduktif terutama digunakan dalam kendaraan listrik, pembangkit listrik fotovoltaik, transportasi kereta api, pusat data, pengisian daya, dan infrastruktur lainnya. Industri kendaraan listrik memiliki permintaan yang sangat besar untuk substrat silikon karbida konduktif, dan saat ini, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng, dan perusahaan kendaraan energi baru lainnya telah berencana untuk menggunakan perangkat atau modul diskrit silikon karbida.

Perangkat silikon karbida semi-isolasi terutama digunakan dalam komunikasi 5G, komunikasi kendaraan, aplikasi pertahanan nasional, transmisi data, kedirgantaraan, dan bidang lainnya. Dengan menumbuhkan lapisan epitaksial galium nitrida pada substrat silikon karbida semi-isolasi, wafer epitaksial galium nitrida berbasis silikon dapat lebih lanjut dibuat menjadi perangkat RF gelombang mikro, yang terutama digunakan di bidang RF, seperti penguat daya dalam komunikasi 5G dan detektor radio dalam pertahanan nasional.

Pembuatan produk substrat silikon karbida melibatkan pengembangan peralatan, sintesis bahan baku, pertumbuhan kristal, pemotongan kristal, pemrosesan wafer, pembersihan dan pengujian, serta banyak tahapan lainnya. Dari segi bahan baku, industri Songshan Boron menyediakan bahan baku silikon karbida untuk pasar, dan telah mencapai penjualan dalam jumlah kecil. Material semikonduktor generasi ketiga yang diwakili oleh silikon karbida memainkan peran kunci dalam industri modern, dengan percepatan penetrasi kendaraan energi baru dan aplikasi fotovoltaik, permintaan akan substrat silikon karbida akan segera mencapai titik balik.