Wafer SiC 2 inci Substrat SiC Semi-Insulasi 6H atau 4H Dia50.8mm

Substrat silikon karbida dapat dibagi menjadi tipe konduktif dan tipe semi-isolasi sesuai dengan resistivitasnya. Perangkat silikon karbida konduktif terutama digunakan pada kendaraan listrik, pembangkit listrik fotovoltaik, angkutan kereta api, pusat data, pengisian daya, dan infrastruktur lainnya. Industri kendaraan listrik memiliki permintaan yang besar terhadap substrat silikon karbida konduktif, dan saat ini, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng dan perusahaan kendaraan energi baru lainnya telah berencana untuk menggunakan perangkat atau modul diskrit silikon karbida.

Perangkat silikon karbida semi-terisolasi terutama digunakan dalam komunikasi 5G, komunikasi kendaraan, aplikasi pertahanan nasional, transmisi data, dirgantara, dan bidang lainnya. Dengan menumbuhkan lapisan epitaksi galium nitrida pada substrat silikon karbida semi-terisolasi, wafer epitaksi galium nitrida berbasis silikon selanjutnya dapat dibuat menjadi perangkat RF gelombang mikro, yang terutama digunakan di bidang RF, seperti penguat daya dalam komunikasi 5G dan detektor radio dalam pertahanan negara.

Pembuatan produk substrat silikon karbida melibatkan pengembangan peralatan, sintesis bahan mentah, pertumbuhan kristal, pemotongan kristal, pemrosesan wafer, pembersihan dan pengujian, dan banyak tautan lainnya. Dalam hal bahan baku, industri Songshan Boron menyediakan bahan baku silikon karbida untuk pasar, dan telah mencapai penjualan dalam jumlah kecil. Bahan semikonduktor generasi ketiga yang diwakili oleh silikon karbida memainkan peran penting dalam industri modern, dengan percepatan penetrasi kendaraan energi baru dan aplikasi fotovoltaik, permintaan substrat silikon karbida akan segera mencapai titik perubahan.