Wafer GaN pada lapisan silikon Epi-layer berukuran 150mm 200mm 6 inci 8 inci Wafer galium nitrida epitaksial

Wafer GaN pada lapisan silikon Epi-layer berukuran 150mm 200mm 6 inci 8 inci Gambar Unggulan Wafer Gallium Nitrida Epitaksial

Deskripsi Singkat:

Wafer GaN Epi-layer berukuran 6 inci merupakan material semikonduktor berkualitas tinggi yang terdiri dari lapisan galium nitrida (GaN) yang tumbuh pada substrat silikon. Material ini memiliki sifat transpor elektronik yang sangat baik dan ideal untuk memproduksi perangkat semikonduktor berdaya tinggi dan berfrekuensi tinggi.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Metode pembuatan

Proses pembuatannya melibatkan penumbuhan lapisan GaN pada substrat safir menggunakan teknik canggih seperti deposisi uap kimia organik-logam (MOCVD) atau epitaksi berkas molekuler (MBE). Proses deposisi dilakukan dalam kondisi terkendali untuk memastikan kualitas kristal tinggi dan film yang seragam.

Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: Chip substrat safir 6 inci banyak digunakan dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi nirkabel, dan optoelektronik.

Beberapa aplikasi umum meliputi:

1. Penguat daya RF

2. Industri pencahayaan LED

3. Peralatan komunikasi jaringan nirkabel

4. Perangkat elektronik di lingkungan bersuhu tinggi

5. Perangkat optoelektronik

Spesifikasi produk

- Ukuran: Diameter substrat 6 inci (sekitar 150 mm).

- Kualitas permukaan: Permukaan telah dipoles halus untuk menghasilkan kualitas cermin yang sangat baik.

- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN dapat disesuaikan menurut persyaratan spesifik.

- Pengemasan: Substrat dikemas dengan hati-hati dengan bahan anti-statis untuk mencegah kerusakan selama transportasi.

- Tepi pemosisian: Substrat memiliki tepi pemosisian khusus yang memudahkan penyelarasan dan pengoperasian selama persiapan perangkat.

- Parameter lainnya: Parameter khusus seperti ketipisan, resistivitas, dan konsentrasi doping dapat disesuaikan menurut kebutuhan pelanggan.

Dengan sifat materialnya yang unggul dan aplikasi yang beragam, wafer substrat safir berukuran 6 inci merupakan pilihan yang andal untuk pengembangan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi di berbagai industri.

Substrat	6” 1mm <111> tipe-p Si	6” 1mm <111> tipe-p Si
Epi TebalRata-rata	~5um	~7um
Epi TebalUnif	<2%	<2%
Busur	+/-45um	+/-45um
Retak	<5 mm	<5 mm
BV Vertikal	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT TebalRata-rata	20-30nm	20-30nm
Tutup Insitu SiN	5-60nm	5-60nm
konsentrasi 2DEG	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilitas	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/persegi (<2%)	<330ohm/persegi (<2%)