GaN 100mm 4 inci pada wafer lapisan Epi Safir Wafer epitaksi Gallium nitrida
Proses pertumbuhan struktur sumur kuantum LED biru GaN.Alur proses detailnya adalah sebagai berikut
(1) Pemanggangan suhu tinggi, substrat safir pertama-tama dipanaskan hingga 1050℃ dalam atmosfer hidrogen, tujuannya adalah untuk membersihkan permukaan substrat;
(2) Ketika suhu substrat turun hingga 510℃, lapisan penyangga GaN/AlN bersuhu rendah dengan ketebalan 30nm diendapkan pada permukaan substrat safir;
(3) Suhu naik hingga 10 ℃, gas reaksi amonia, trimetilgallium, dan silan disuntikkan, masing-masing mengontrol laju aliran yang sesuai, dan GaN tipe N yang didoping silikon dengan ketebalan 4um ditanam;
(4) Gas reaksi trimetil aluminium dan trimetil galium digunakan untuk membuat benua tipe A⒑ yang didoping silikon dengan ketebalan 0,15um;
(5) InGaN yang didoping Zn 50nm dibuat dengan menginjeksi trimetilgallium, trimetilindium, dietilseng, dan amonia pada suhu 8O0℃ dan masing-masing mengontrol laju aliran yang berbeda;
(6) Suhu dinaikkan menjadi 1020℃, trimetilaluminium, trimetilgallium dan bis (siklopentadienil) magnesium diinjeksikan untuk menyiapkan 0,15um Mg doping AlGaN tipe P dan 0,5um Mg doping glukosa darah tipe P tipe G;
(7) Film GaN Sibuyan tipe P berkualitas tinggi diperoleh dengan anil dalam atmosfer nitrogen pada 700℃;
(8) Mengetsa permukaan stasis G tipe-P untuk memperlihatkan permukaan stasis G tipe-N;
(9) Penguapan pelat kontak Ni/Au pada permukaan p-GaNI, penguapan pelat kontak △/Al pada permukaan ll-GaN membentuk elektroda.
Spesifikasi
Barang | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
Ukuran | e 100 mm ± 0,1 mm | |
Ketebalan | 4,5±0,5 um Dapat disesuaikan | |
Orientasi | Bidang C(0001) ±0,5° | |
Tipe Konduksi | Tipe-N (Dibuka) | Tipe-N (doped Si) |
Resistivitas (300K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm |
Konsentrasi Pembawa | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 |
Mobilitas | ~ 300cm2/Vs | ~ 200 cm2/Vs |
Kepadatan Dislokasi | Kurang dari 5x108cm-2(dihitung oleh FWHM XRD) | |
Struktur substrat | GaN di Sapphire (Standar: Opsi SSP: DSP) | |
Luas Permukaan yang Dapat Digunakan | > 90% | |
Kemasan | Dikemas dalam lingkungan ruang bersih kelas 100, dalam kaset berisi 25 buah atau wadah wafer tunggal, dalam atmosfer nitrogen. |