Substrat Wafer Safir C-Plane SSP/DSP berdiameter 300x1,0 mm 12 inci
Situasi Pasar Substrat Safir 12 inci
Saat ini, safir memiliki dua kegunaan utama, satu sebagai bahan substrat, yang utamanya adalah bahan substrat LED, yang lainnya sebagai pelat jam, aviasi, kedirgantaraan, dan bahan jendela manufaktur khusus.
Meskipun silikon karbida, silikon, dan galium nitrida juga tersedia sebagai substrat untuk LED selain safir, produksi massal masih belum memungkinkan karena biaya dan beberapa hambatan teknis yang belum teratasi. Substrat safir melalui pengembangan teknis dalam beberapa tahun terakhir, pencocokan kisi, konduktivitas listrik, sifat mekanis, konduktivitas termal, dan sifat-sifat lainnya telah sangat ditingkatkan dan dipromosikan, keuntungan hemat biaya sangat signifikan, sehingga safir telah menjadi bahan substrat yang paling matang dan stabil dalam industri LED, telah banyak digunakan di pasar, pangsa pasar setinggi 90%.
Karakteristik Substrat Wafer Safir 12 Inci
1. Permukaan substrat safir memiliki jumlah partikel yang sangat rendah, dengan kurang dari 50 partikel berukuran 0,3 mikron atau lebih besar per 2 inci dalam kisaran ukuran 2 hingga 8 inci, dan logam utama (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) di bawah 2E10/cm2. Bahan dasar berukuran 12 inci juga diharapkan mencapai mutu ini.
2. Dapat digunakan sebagai wafer pembawa untuk proses manufaktur semikonduktor 12 inci (palet transportasi dalam perangkat) dan sebagai substrat untuk pengikatan.
3. Dapat mengontrol bentuk permukaan cekung dan cembung.
Bahan: Kristal tunggal Al2O3 dengan kemurnian tinggi, wafer safir.
Kualitas LED, tidak ada gelembung, retak, kembar, garis keturunan, tidak ada warna...dll.
Wafer Safir 12 inci
Orientasi | Bidang C<0001> +/- 1 derajat. |
Diameter | 300,0 +/-0,25 mm |
Ketebalan | 1,0 +/-25um |
Takik | Takik atau Datar |
TV Televisi | <50um |
BUSUR | <50um |
Tepi | Talang Protaktif |
Sisi depan – dipoles 80/50 | |
Tanda laser | Tidak ada |
Kemasan | Kotak pembawa wafer tunggal |
Sisi depan Epi siap dipoles (Ra <0,3nm) | |
Sisi belakang Epi siap dipoles (Ra <0,3nm) |
Diagram Rinci

