GaN 100mm 4 inci pada wafer lapisan Epi Safir Wafer epitaksi Gallium nitrida

(1) Pemanggangan suhu tinggi, substrat safir pertama kali dipanaskan hingga 1050℃ dalam atmosfer hidrogen, tujuannya adalah untuk membersihkan permukaan substrat;

(2) Ketika suhu substrat turun hingga 510℃, lapisan penyangga GaN/AlN bersuhu rendah dengan ketebalan 30nm diendapkan pada permukaan substrat safir;

(3) Suhu naik hingga 10 ℃, gas reaksi amonia, trimetilgallium, dan silan disuntikkan, masing-masing mengontrol laju aliran yang sesuai, dan GaN tipe N yang didoping silikon dengan ketebalan 4um ditanam;

(4) Gas reaksi trimetil aluminium dan trimetil galium digunakan untuk membuat benua tipe A⒑ yang didoping silikon dengan ketebalan 0,15um;

(5) InGaN yang didoping Zn 50nm dibuat dengan menginjeksi trimetilgallium, trimetilindium, dietilseng, dan amonia pada suhu 8O0℃ dan masing-masing mengontrol laju aliran yang berbeda;

(6) Suhu dinaikkan menjadi 1020℃, trimetilaluminium, trimetilgallium dan bis (siklopentadienil) magnesium diinjeksikan untuk menyiapkan 0,15um Mg doping AlGaN tipe P dan 0,5um Mg doping glukosa darah tipe P tipe G;

(7) Film GaN Sibuyan tipe P berkualitas tinggi diperoleh dengan anil dalam atmosfer nitrogen pada 700℃;

(8) Mengetsa permukaan stasis G tipe-P untuk memperlihatkan permukaan stasis G tipe-N;

(9) Penguapan pelat kontak Ni/Au pada permukaan p-GaNI, penguapan pelat kontak △/Al pada permukaan ll-GaN membentuk elektroda.