Wadah Wafer Silikon Karbida (SiC)

Deskripsi Singkat:

Wafer boat Silikon Karbida (SiC) adalah pembawa proses semikonduktor yang terbuat dari material SiC dengan kemurnian tinggi, dirancang untuk menampung dan mengangkut wafer selama proses suhu tinggi yang kritis seperti epitaksi, oksidasi, difusi, dan anil.

Kirim email kepada kami

Fitur

Diagram Terperinci

Gambaran Umum Kaca Kuarsa

Dengan perkembangan pesat semikonduktor daya dan perangkat celah pita lebar, wadah kuarsa konvensional menghadapi keterbatasan seperti deformasi pada suhu tinggi, kontaminasi partikel yang parah, dan masa pakai yang singkat. Wadah wafer SiC, yang memiliki stabilitas termal superior, kontaminasi rendah, dan masa pakai yang lebih lama, semakin menggantikan wadah kuarsa dan menjadi pilihan utama dalam pembuatan perangkat SiC.

Fitur Utama

1. Keunggulan Material

Diproduksi dari SiC dengan kemurnian tinggi dengankekerasan dan kekuatan tinggi.
Titik leleh di atas 2700°C, jauh lebih tinggi daripada kuarsa, sehingga menjamin stabilitas jangka panjang di lingkungan ekstrem.

2. Sifat Termal

Konduktivitas termal tinggi untuk transfer panas yang cepat dan seragam, meminimalkan tegangan pada wafer.
Koefisien ekspansi termal (CTE) sangat cocok dengan substrat SiC, sehingga mengurangi pembengkokan dan keretakan wafer.

3. Stabilitas Kimia

Stabil pada suhu tinggi dan berbagai atmosfer (H₂, N₂, Ar, NH₃, dll.).
Ketahanan oksidasi yang sangat baik, mencegah dekomposisi dan pembentukan partikel.

4. Kinerja Proses

Permukaan yang halus dan padat mengurangi pelepasan partikel dan kontaminasi.
Mempertahankan stabilitas dimensi dan kapasitas beban setelah penggunaan jangka panjang.

5. Efisiensi Biaya

Masa pakai 3–5 kali lebih lama daripada perahu kuarsa.
Mengurangi frekuensi perawatan, sehingga mengurangi waktu henti dan biaya penggantian.

Aplikasi

Epitaksi SiCMendukung substrat SiC berukuran 4 inci, 6 inci, dan 8 inci selama pertumbuhan epitaksial suhu tinggi.
Fabrikasi Perangkat DayaIdeal untuk MOSFET SiC, Dioda Penghalang Schottky (SBD), IGBT, dan perangkat lainnya.
Perlakuan TermalProses anil, nitridasi, dan karbonisasi.
Oksidasi & Difusi: Platform penyangga wafer yang stabil untuk oksidasi dan difusi suhu tinggi.

Spesifikasi Teknis

Barang	Spesifikasi
Bahan	Silikon Karbida (SiC) dengan kemurnian tinggi
Ukuran Wafer	4 inci / 6 inci / 8 inci (dapat disesuaikan)
Suhu Operasi Maksimum.	≤ 1800°C
Ekspansi Termal CTE	4,2 × 10⁻⁶ /K (mendekati substrat SiC)
Konduktivitas Termal	120–200 W/m·K
Kekasaran Permukaan	Ra < 0,2 μm
Paralelisme	±0,1 mm
Masa Pakai Layanan	≥ 3 kali lebih panjang dari perahu kuarsa

Perbandingan: Perahu Kuarsa vs. Perahu SiC

Dimensi	Perahu Kuarsa	Perahu SiC
Ketahanan Suhu	≤ 1200°C, deformasi pada suhu tinggi.	≤ 1800°C, stabil secara termal
CTE Cocok dengan SiC	Ketidaksesuaian yang besar, risiko tekanan pada wafer.	Kecocokan yang tepat, mengurangi keretakan wafer
Kontaminasi Partikel	Tinggi, menghasilkan kotoran	Permukaan rendah, halus, dan padat.
Masa Pakai Layanan	Penggantian singkat dan sering.	Masa hidup yang panjang, 3–5 kali lebih lama.
Proses yang Sesuai	Epitaksi Si konvensional	Dioptimalkan untuk epitaksi SiC & perangkat daya

Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ) – Wadah Wafer Silikon Karbida (SiC)

1. Apa itu wadah wafer SiC?

Wafer boat SiC adalah pembawa proses semikonduktor yang terbuat dari silikon karbida dengan kemurnian tinggi. Wafer boat ini digunakan untuk menahan dan mengangkut wafer selama proses suhu tinggi seperti epitaksi, oksidasi, difusi, dan annealing. Dibandingkan dengan wafer boat kuarsa tradisional, wafer boat SiC menawarkan stabilitas termal yang lebih unggul, kontaminasi yang lebih rendah, dan masa pakai yang lebih lama.

2. Mengapa memilih wadah wafer SiC dibandingkan wadah kuarsa?

Ketahanan terhadap suhu yang lebih tinggi: Stabil hingga 1800°C dibandingkan dengan kuarsa (≤1200°C).
Kecocokan CTE yang lebih baik: Berdekatan dengan substrat SiC, meminimalkan tekanan dan keretakan pada wafer.
Generasi partikel yang lebih rendahPermukaan yang halus dan padat mengurangi kontaminasi.
Masa pakai lebih lama: 3–5 kali lebih lama daripada perahu kuarsa, sehingga menurunkan biaya kepemilikan.

3. Ukuran wafer apa saja yang dapat didukung oleh wadah wafer SiC?

Kami menyediakan desain standar untuk4 inci, 6 inci, dan 8 inciwafer, dengan opsi kustomisasi penuh untuk memenuhi kebutuhan pelanggan.

4. Dalam proses apa saja wadah wafer SiC umumnya digunakan?

Pertumbuhan epitaksial SiC
Manufaktur perangkat semikonduktor daya (SiC MOSFET, SBD, IGBT)
Pemanasan suhu tinggi, nitridasi, dan karbonisasi
Proses oksidasi dan difusi

Tentang Kami

XKH mengkhususkan diri dalam pengembangan, produksi, dan penjualan teknologi tinggi berupa kaca optik khusus dan material kristal baru. Produk kami melayani elektronik optik, elektronik konsumen, dan militer. Kami menawarkan komponen optik Safir, penutup lensa ponsel, Keramik, LT, Silikon Karbida SIC, Kuarsa, dan wafer kristal semikonduktor. Dengan keahlian yang mumpuni dan peralatan mutakhir, kami unggul dalam pemrosesan produk non-standar, dengan tujuan menjadi perusahaan teknologi tinggi terkemuka di bidang material optoelektronik.