Batangan Silikon Karbida SiC 6 inci tipe N, ketebalan standar dummy/prima dapat disesuaikan.

Batang Silikon Karbida SiC 6 inci tipe N, ketebalan standar dummy/prima dapat disesuaikan. Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Silikon Karbida (SiC) adalah material semikonduktor dengan celah pita lebar yang semakin banyak digunakan di berbagai industri karena sifat listrik, termal, dan mekaniknya yang unggul. Ingot SiC tipe N Dummy/Prime berukuran 6 inci dirancang khusus untuk produksi perangkat semikonduktor canggih, termasuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan pilihan ketebalan yang dapat disesuaikan dan spesifikasi yang tepat, ingot SiC ini memberikan solusi ideal untuk pengembangan perangkat yang digunakan dalam kendaraan listrik, sistem tenaga industri, telekomunikasi, dan sektor berkinerja tinggi lainnya. Ketahanan SiC dalam kondisi tegangan tinggi, suhu tinggi, dan frekuensi tinggi memastikan kinerja yang tahan lama, efisien, dan andal dalam berbagai aplikasi.
Batang SiC tersedia dalam ukuran 6 inci, dengan diameter 150,25 mm ± 0,25 mm dan ketebalan lebih dari 10 mm, sehingga ideal untuk pemotongan wafer. Produk ini menawarkan orientasi permukaan yang terdefinisi dengan baik sebesar 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, memastikan presisi tinggi dalam fabrikasi perangkat. Selain itu, batang ini memiliki orientasi datar utama <1-100> ± 5°, yang berkontribusi pada penyelarasan kristal dan kinerja pemrosesan yang optimal.
Dengan resistivitas tinggi dalam kisaran 0,015–0,0285 Ω·cm, kepadatan mikropipa rendah <0,5, dan kualitas tepi yang sangat baik, ingot SiC ini cocok untuk produksi perangkat daya yang membutuhkan cacat minimal dan kinerja tinggi dalam kondisi ekstrem.

Kirim email kepada kami

Fitur

Properti

Kelas: Kelas Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran: Diameter 6 inci
Diameter: 150,25 mm ± 0,25 mm
Ketebalan: >10mm (Ketebalan yang dapat disesuaikan tersedia berdasarkan permintaan)
Orientasi Permukaan: 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, yang memastikan kualitas kristal yang tinggi dan penyelarasan yang akurat untuk fabrikasi perangkat.
Orientasi Datar Utama: <1-100> ± 5°, fitur kunci untuk pemotongan ingot menjadi wafer secara efisien dan untuk pertumbuhan kristal yang optimal.
Panjang Pipih Utama: 47,5 mm ± 1,5 mm, dirancang untuk penanganan yang mudah dan pemotongan presisi.
Resistivitas: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal untuk aplikasi pada perangkat daya efisiensi tinggi.
Kepadatan Mikropipa: <0,5, memastikan minimalnya cacat yang dapat memengaruhi kinerja perangkat yang dibuat.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, nilai rendah yang menunjukkan kemurnian kristal tinggi dan kepadatan cacat rendah.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, memastikan integritas material yang sangat baik untuk perangkat berkinerja tinggi.
Area Politipe: Tidak ada – ingot bebas dari cacat politipe, menawarkan kualitas material yang unggul untuk aplikasi kelas atas.
Lekukan Tepi: <3, dengan lebar dan kedalaman 1mm, memastikan kerusakan permukaan minimal dan menjaga integritas ingot untuk pemotongan wafer yang efisien.
Retakan pada tepi: 3, masing-masing <1mm, dengan kemungkinan kerusakan tepi yang rendah, memastikan penanganan yang aman dan pemrosesan lebih lanjut.
Pengemasan: Kotak wafer – ingot SiC dikemas dengan aman di dalam kotak wafer untuk memastikan pengangkutan dan penanganan yang aman.

Aplikasi

Elektronik Daya:Batang SiC berukuran 6 inci banyak digunakan dalam produksi perangkat elektronik daya seperti MOSFET, IGBT, dan dioda, yang merupakan komponen penting dalam sistem konversi daya. Perangkat ini banyak digunakan dalam inverter kendaraan listrik (EV), penggerak motor industri, catu daya, dan sistem penyimpanan energi. Kemampuan SiC untuk beroperasi pada tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu ekstrem menjadikannya ideal untuk aplikasi di mana perangkat silikon (Si) tradisional akan kesulitan untuk berkinerja efisien.

Kendaraan Listrik (EV):Dalam kendaraan listrik, komponen berbasis SiC sangat penting untuk pengembangan modul daya pada inverter, konverter DC-DC, dan pengisi daya onboard. Konduktivitas termal SiC yang unggul memungkinkan pengurangan pembangkitan panas dan efisiensi yang lebih baik dalam konversi daya, yang sangat penting untuk meningkatkan kinerja dan jangkauan berkendara kendaraan listrik. Selain itu, perangkat SiC memungkinkan komponen yang lebih kecil, lebih ringan, dan lebih andal, yang berkontribusi pada kinerja keseluruhan sistem EV.

Sistem Energi Terbarukan:Batangan SiC merupakan material penting dalam pengembangan perangkat konversi daya yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, termasuk inverter surya, turbin angin, dan solusi penyimpanan energi. Kemampuan penanganan daya yang tinggi dan manajemen termal yang efisien dari SiC memungkinkan efisiensi konversi energi yang lebih tinggi dan keandalan yang lebih baik dalam sistem ini. Penggunaannya dalam energi terbarukan membantu mendorong upaya global menuju keberlanjutan energi.

Telekomunikasi:Batangan SiC berukuran 6 inci juga cocok untuk memproduksi komponen yang digunakan dalam aplikasi RF (frekuensi radio) daya tinggi. Ini termasuk penguat, osilator, dan filter yang digunakan dalam sistem telekomunikasi dan komunikasi satelit. Kemampuan SiC untuk menangani frekuensi tinggi dan daya tinggi menjadikannya material yang sangat baik untuk perangkat telekomunikasi yang membutuhkan kinerja yang kuat dan kehilangan sinyal minimal.

Dirgantara dan Pertahanan:Tegangan tembus SiC yang tinggi dan ketahanannya terhadap suhu tinggi menjadikannya ideal untuk aplikasi kedirgantaraan dan pertahanan. Komponen yang terbuat dari ingot SiC digunakan dalam sistem radar, komunikasi satelit, dan elektronika daya untuk pesawat terbang dan pesawat ruang angkasa. Material berbasis SiC memungkinkan sistem kedirgantaraan untuk beroperasi dalam kondisi ekstrem yang dihadapi di ruang angkasa dan lingkungan dataran tinggi.

Otomasi Industri:Dalam otomatisasi industri, komponen SiC digunakan dalam sensor, aktuator, dan sistem kontrol yang perlu beroperasi di lingkungan yang keras. Perangkat berbasis SiC digunakan dalam mesin yang membutuhkan komponen yang efisien dan tahan lama, serta mampu menahan suhu tinggi dan tekanan listrik.

Tabel Spesifikasi Produk

Milik	Spesifikasi
Nilai	Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran	6 inci
Diameter	150,25 mm ± 0,25 mm
Ketebalan	>10mm (Dapat disesuaikan)
Orientasi Permukaan	4° ke arah <11-20> ± 0,2°
Orientasi Datar Utama	<1-100> ± 5°
Panjang Datar Utama	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistivitas	0,015–0,0285 Ω·cm
Kepadatan Mikropipa	<0,5
Kepadatan Lubang Boron (BPD)	<2000
Kepadatan Dislokasi Ulir Sekrup (TSD)	<500
Area Politipe	Tidak ada
Lekukan Tepi	<3, lebar dan kedalaman 1mm
Retakan Tepi	3, <1mm/buah
Sedang mengemas	Kotak wafer

Kesimpulan

Batang SiC 6 inci – tipe N Dummy/Prime adalah material premium yang memenuhi persyaratan ketat industri semikonduktor. Konduktivitas termalnya yang tinggi, resistivitas yang luar biasa, dan kepadatan cacat yang rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk produksi perangkat elektronik daya canggih, komponen otomotif, sistem telekomunikasi, dan sistem energi terbarukan. Ketebalan yang dapat disesuaikan dan spesifikasi presisi memastikan bahwa batang SiC ini dapat disesuaikan dengan berbagai aplikasi, menjamin kinerja dan keandalan tinggi di lingkungan yang menuntut. Untuk informasi lebih lanjut atau untuk melakukan pemesanan, silakan hubungi tim penjualan kami.