Ingot Karbida Silikon SiC 6 inci tipe N Dummy/ketebalan kelas prima dapat disesuaikan

Batangan Karbida Silikon SiC 6 inci tipe N Dummy/kelas utama ketebalan dapat disesuaikan Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Silikon Karbida (SiC) adalah material semikonduktor dengan celah pita lebar yang semakin diminati di berbagai industri berkat sifat listrik, termal, dan mekaniknya yang unggul. Ingot SiC dengan grade Dummy/Prime tipe-N 6 inci dirancang khusus untuk produksi perangkat semikonduktor canggih, termasuk aplikasi daya dan frekuensi tinggi. Dengan pilihan ketebalan yang dapat disesuaikan dan spesifikasi yang presisi, ingot SiC ini memberikan solusi ideal untuk pengembangan perangkat yang digunakan dalam kendaraan listrik, sistem tenaga industri, telekomunikasi, dan sektor berkinerja tinggi lainnya. Ketahanan SiC dalam kondisi tegangan tinggi, suhu tinggi, dan frekuensi tinggi memastikan kinerja yang tahan lama, efisien, dan andal dalam berbagai aplikasi.
Ingot SiC tersedia dalam ukuran 6 inci, dengan diameter 150,25 mm ± 0,25 mm dan ketebalan lebih dari 10 mm, sehingga ideal untuk pemotongan wafer. Produk ini menawarkan orientasi permukaan yang terdefinisi dengan baik, yaitu 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, memastikan presisi tinggi dalam fabrikasi perangkat. Selain itu, ingot ini memiliki orientasi datar primer <1-100> ± 5°, yang berkontribusi pada penyelarasan kristal dan kinerja pemrosesan yang optimal.
Dengan resistivitas tinggi dalam kisaran 0,015–0,0285 Ω·cm, kepadatan mikropipa rendah <0,5, dan kualitas tepi yang sangat baik, Ingot SiC ini cocok untuk produksi perangkat daya yang memerlukan cacat minimal dan kinerja tinggi dalam kondisi ekstrem.

Kirim email ke kami

Fitur

Properti

Kelas: Kelas Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran: diameter 6 inci
Diameter: 150,25 mm ± 0,25 mm
Ketebalan: >10mm (Ketebalan dapat disesuaikan tersedia berdasarkan permintaan)
Orientasi Permukaan: 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, yang memastikan kualitas kristal tinggi dan penyelarasan akurat untuk fabrikasi perangkat.
Orientasi Datar Primer: <1-100> ± 5°, fitur utama untuk pemotongan ingot menjadi wafer secara efisien dan untuk pertumbuhan kristal yang optimal.
Panjang Datar Primer: 47,5 mm ± 1,5 mm, dirancang untuk penanganan mudah dan pemotongan presisi.
Resistivitas: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal untuk aplikasi pada perangkat daya efisiensi tinggi.
Kepadatan Mikropipa: <0,5, memastikan cacat minimal yang dapat memengaruhi kinerja perangkat yang dibuat.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, nilai rendah yang menunjukkan kemurnian kristal tinggi dan kepadatan cacat rendah.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, memastikan integritas material yang sangat baik untuk perangkat berkinerja tinggi.
Area Politipe: Tidak Ada – ingot bebas dari cacat politipe, menawarkan kualitas material unggul untuk aplikasi kelas atas.
Lekukan Tepi: <3, dengan lebar dan kedalaman 1 mm, memastikan kerusakan permukaan minimal dan menjaga integritas ingot untuk pemotongan wafer yang efisien.
Retakan Tepi: 3, <1 mm masing-masing, dengan tingkat kerusakan tepi yang rendah, memastikan penanganan dan pemrosesan lebih lanjut yang aman.
Pengepakan: Wadah wafer – ingot SiC dikemas dengan aman dalam wadah wafer untuk memastikan pengangkutan dan penanganan yang aman.

Aplikasi

Elektronika Daya:Ingot SiC 6 inci banyak digunakan dalam produksi perangkat elektronika daya seperti MOSFET, IGBT, dan dioda, yang merupakan komponen penting dalam sistem konversi daya. Perangkat ini banyak digunakan dalam inverter kendaraan listrik (EV), penggerak motor industri, catu daya, dan sistem penyimpanan energi. Kemampuan SiC untuk beroperasi pada tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu ekstrem menjadikannya ideal untuk aplikasi di mana perangkat silikon (Si) tradisional sulit berkinerja efisien.

Kendaraan Listrik (EV):Pada kendaraan listrik, komponen berbasis SiC sangat penting untuk pengembangan modul daya pada inverter, konverter DC-DC, dan pengisi daya on-board. Konduktivitas termal SiC yang unggul memungkinkan pengurangan panas yang dihasilkan dan efisiensi konversi daya yang lebih baik, yang sangat penting untuk meningkatkan performa dan jangkauan berkendara kendaraan listrik. Selain itu, perangkat SiC memungkinkan komponen yang lebih kecil, lebih ringan, dan lebih andal, yang berkontribusi pada performa sistem EV secara keseluruhan.

Sistem Energi Terbarukan:Ingot SiC merupakan material penting dalam pengembangan perangkat konversi daya yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, termasuk inverter surya, turbin angin, dan solusi penyimpanan energi. Kemampuan SiC dalam menangani daya secara tinggi dan manajemen termal yang efisien memungkinkan efisiensi konversi energi yang lebih tinggi dan keandalan yang lebih baik dalam sistem ini. Penggunaannya dalam energi terbarukan turut mendorong upaya global menuju keberlanjutan energi.

Telekomunikasi:Ingot SiC 6 inci juga cocok untuk memproduksi komponen yang digunakan dalam aplikasi RF (frekuensi radio) berdaya tinggi. Komponen ini meliputi penguat, osilator, dan filter yang digunakan dalam sistem telekomunikasi dan komunikasi satelit. Kemampuan SiC untuk menangani frekuensi dan daya tinggi menjadikannya material yang sangat baik untuk perangkat telekomunikasi yang membutuhkan kinerja tangguh dan kehilangan sinyal minimal.

Dirgantara dan Pertahanan:Tegangan tembus SiC yang tinggi dan ketahanannya terhadap suhu tinggi menjadikannya ideal untuk aplikasi kedirgantaraan dan pertahanan. Komponen yang terbuat dari ingot SiC digunakan dalam sistem radar, komunikasi satelit, dan elektronika daya untuk pesawat terbang dan wahana antariksa. Material berbasis SiC memungkinkan sistem kedirgantaraan untuk beroperasi dalam kondisi ekstrem yang dihadapi di luar angkasa dan lingkungan ketinggian tinggi.

Otomasi Industri:Dalam otomasi industri, komponen SiC digunakan dalam sensor, aktuator, dan sistem kontrol yang perlu beroperasi di lingkungan yang keras. Perangkat berbasis SiC digunakan dalam mesin yang membutuhkan komponen yang efisien dan tahan lama yang mampu menahan suhu tinggi dan tekanan listrik.

Tabel Spesifikasi Produk

Milik	Spesifikasi
Nilai	Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran	6 inci
Diameter	150,25 mm ± 0,25 mm
Ketebalan	>10mm (Dapat Disesuaikan)
Orientasi Permukaan	4° menuju <11-20> ± 0,2°
Orientasi Datar Utama	<1-100> ± 5°
Panjang Datar Primer	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistivitas	0,015–0,0285 Ω·cm
Kepadatan Mikropipa	<0,5
Kepadatan Lubang Boron (BPD)	<2000
Kepadatan Dislokasi Sekrup Ulir (TSD)	<500
Area Politipe	Tidak ada
Indentasi Tepi	<3, lebar dan kedalaman 1mm
Retakan Tepi	3, <1mm/masing-masing
Sedang mengemas	Kotak wafer

Kesimpulan

Ingot SiC 6 inci – Dummy/Prime tipe-N merupakan material premium yang memenuhi persyaratan ketat industri semikonduktor. Konduktivitas termalnya yang tinggi, resistivitas yang luar biasa, dan kepadatan cacat yang rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk produksi perangkat elektronika daya canggih, komponen otomotif, sistem telekomunikasi, dan sistem energi terbarukan. Spesifikasi ketebalan dan presisi yang dapat disesuaikan memastikan ingot SiC ini dapat disesuaikan untuk berbagai aplikasi, memastikan kinerja dan keandalan tinggi di lingkungan yang menantang. Untuk informasi lebih lanjut atau untuk memesan, silakan hubungi tim penjualan kami.