Silicon Carbide SiC Ingot 6 inci N tipe Dummy/ketebalan kelas prima dapat disesuaikan

Deskripsi Singkat:

Silicon Carbide (SiC) adalah bahan semikonduktor dengan celah pita lebar yang mendapatkan daya tarik signifikan di berbagai industri karena sifat listrik, termal, dan mekaniknya yang unggul. SiC Ingot dalam kelas Dummy/Prime tipe N 6 inci dirancang khusus untuk produksi perangkat semikonduktor canggih, termasuk aplikasi berdaya tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan opsi ketebalan yang dapat disesuaikan dan spesifikasi presisi, ingot SiC ini memberikan solusi ideal untuk pengembangan perangkat yang digunakan pada kendaraan listrik, sistem tenaga industri, telekomunikasi, dan sektor berkinerja tinggi lainnya. Ketahanan SiC dalam kondisi tegangan tinggi, suhu tinggi, dan frekuensi tinggi memastikan kinerja yang tahan lama, efisien, dan andal dalam berbagai aplikasi.
SiC Ingot tersedia dalam ukuran 6 inci, dengan diameter 150,25 mm ± 0,25 mm dan ketebalan lebih dari 10 mm, sehingga ideal untuk pengirisan wafer. Produk ini menawarkan orientasi permukaan yang jelas sebesar 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, memastikan presisi tinggi dalam fabrikasi perangkat. Selain itu, ingot memiliki orientasi datar primer <1-100> ± 5°, berkontribusi pada penyelarasan kristal dan kinerja pemrosesan yang optimal.
Dengan resistivitas tinggi di kisaran 0,015–0,0285 Ω·cm, kepadatan pipa mikro yang rendah <0,5, dan kualitas tepi yang sangat baik, SiC Ingot ini cocok untuk produksi perangkat listrik yang memerlukan cacat minimal dan kinerja tinggi dalam kondisi ekstrem.

Kirim email ke kami

Detil Produk

Label Produk

Properti

Kelas: Kelas Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran: diameter 6 inci
Diameter: 150,25mm ± 0,25mm
Ketebalan: >10mm (Ketebalan yang dapat disesuaikan tersedia berdasarkan permintaan)
Orientasi Permukaan: 4° menuju <11-20> ± 0,2°, yang memastikan kualitas kristal tinggi dan penyelarasan akurat untuk fabrikasi perangkat.
Orientasi Datar Primer: <1-100> ± 5°, fitur utama untuk pemotongan ingot menjadi wafer secara efisien dan untuk pertumbuhan kristal yang optimal.
Panjang Datar Primer: 47,5mm ± 1,5mm, dirancang untuk kemudahan penanganan dan pemotongan presisi.
Resistivitas: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal untuk aplikasi pada perangkat daya efisiensi tinggi.
Kepadatan Micropipe: <0,5, memastikan cacat minimal yang dapat mempengaruhi kinerja perangkat fabrikasi.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, nilai rendah yang menunjukkan kemurnian kristal tinggi dan kepadatan cacat rendah.
TSD (Kepadatan Dislokasi Sekrup Ulir): <500, memastikan integritas material yang sangat baik untuk perangkat berkinerja tinggi.
Area Polytype: Tidak ada – ingot bebas dari cacat polytype, menawarkan kualitas material yang unggul untuk aplikasi kelas atas.
Indentasi Tepi: <3, dengan lebar dan kedalaman 1 mm, memastikan kerusakan permukaan minimal dan menjaga integritas ingot untuk pemotongan wafer yang efisien.
Retakan Tepi: masing-masing 3, <1mm, dengan tingkat kerusakan tepi yang rendah, memastikan penanganan yang aman dan pemrosesan lebih lanjut.
Pengepakan: Wadah wafer – ingot SiC dikemas dengan aman dalam wadah wafer untuk memastikan pengangkutan dan penanganan yang aman.

Aplikasi

Elektronika Daya:Ingot SiC 6 inci banyak digunakan dalam produksi perangkat elektronik daya seperti MOSFET, IGBT, dan dioda, yang merupakan komponen penting dalam sistem konversi daya. Perangkat ini banyak digunakan pada inverter kendaraan listrik (EV), penggerak motor industri, catu daya, dan sistem penyimpanan energi. Kemampuan SiC untuk beroperasi pada tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu ekstrem menjadikannya ideal untuk aplikasi di mana perangkat silikon (Si) tradisional akan kesulitan bekerja secara efisien.

Kendaraan Listrik (EV):Pada kendaraan listrik, komponen berbasis SiC sangat penting untuk pengembangan modul daya pada inverter, konverter DC-DC, dan pengisi daya on-board. Konduktivitas termal SiC yang unggul memungkinkan pengurangan pembangkitan panas dan efisiensi konversi daya yang lebih baik, yang sangat penting untuk meningkatkan kinerja dan jangkauan berkendara kendaraan listrik. Selain itu, perangkat SiC memungkinkan komponen yang lebih kecil, lebih ringan, dan lebih andal, sehingga berkontribusi terhadap kinerja sistem EV secara keseluruhan.

Sistem Energi Terbarukan:Ingot SiC adalah material penting dalam pengembangan perangkat konversi daya yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, termasuk inverter surya, turbin angin, dan solusi penyimpanan energi. Kemampuan SiC dalam menangani daya yang tinggi dan manajemen termal yang efisien memungkinkan efisiensi konversi energi yang lebih tinggi dan peningkatan keandalan dalam sistem ini. Penggunaannya dalam energi terbarukan membantu mendorong upaya global menuju keberlanjutan energi.

Telekomunikasi:Ingot SiC 6 inci juga cocok untuk memproduksi komponen yang digunakan dalam aplikasi RF (frekuensi radio) berdaya tinggi. Ini termasuk amplifier, osilator, dan filter yang digunakan dalam sistem telekomunikasi dan komunikasi satelit. Kemampuan SiC untuk menangani frekuensi tinggi dan daya tinggi menjadikannya material yang sangat baik untuk perangkat telekomunikasi yang memerlukan kinerja kuat dan kehilangan sinyal minimal.

Dirgantara dan Pertahanan:Tegangan tembus SiC yang tinggi dan ketahanan terhadap suhu tinggi menjadikannya ideal untuk aplikasi luar angkasa dan pertahanan. Komponen yang terbuat dari ingot SiC digunakan dalam sistem radar, komunikasi satelit, dan elektronika daya untuk pesawat terbang dan pesawat ruang angkasa. Material berbasis SiC memungkinkan sistem dirgantara bekerja dalam kondisi ekstrem yang ditemui di ruang angkasa dan lingkungan dataran tinggi.

Otomasi Industri:Dalam otomasi industri, komponen SiC digunakan dalam sensor, aktuator, dan sistem kontrol yang perlu beroperasi di lingkungan yang keras. Perangkat berbasis SiC digunakan pada mesin yang membutuhkan komponen yang efisien dan tahan lama yang mampu menahan suhu tinggi dan tekanan listrik.

Tabel Spesifikasi Produk

Milik	Spesifikasi
Nilai	Produksi (Dummy/Perdana)
Ukuran	6 inci
Diameter	150,25mm ± 0,25mm
Ketebalan	>10mm (Dapat Disesuaikan)
Orientasi Permukaan	4° menuju <11-20> ± 0,2°
Orientasi Datar Primer	<1-100> ± 5°
Panjang Datar Primer	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistivitas	0,015–0,0285 Ω·cm
Kepadatan Mikropipa	<0,5
Kepadatan Lubang Boron (BPD)	<2000
Kepadatan Dislokasi Sekrup Ulir (TSD)	<500
Area Politipe	Tidak ada
Indentasi Tepi	<3, lebar dan kedalaman 1mm
Retak Tepi	3, <1mm/unit
Sedang mengemas	Kotak wafer

Kesimpulan

Ingot SiC 6 inci – kelas Dummy/Prime tipe N adalah material premium yang memenuhi persyaratan ketat industri semikonduktor. Konduktivitas termalnya yang tinggi, resistivitas yang luar biasa, dan kepadatan cacat yang rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk produksi perangkat elektronik daya canggih, komponen otomotif, sistem telekomunikasi, dan sistem energi terbarukan. Spesifikasi ketebalan dan presisi yang dapat disesuaikan memastikan bahwa ingot SiC ini dapat disesuaikan dengan berbagai aplikasi, memastikan kinerja tinggi dan keandalan dalam lingkungan yang menuntut. Untuk informasi lebih lanjut atau melakukan pemesanan, silakan menghubungi tim penjualan kami.