Batangan Karbida Silikon SiC 6 inci tipe N Dummy/kelas utama ketebalan dapat disesuaikan

Batangan Karbida Silikon SiC 6 inci Tipe N Ketebalan Dummy/prime grade dapat disesuaikan Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Karbida Silikon (SiC) adalah material semikonduktor dengan celah pita lebar yang semakin diminati di berbagai industri karena sifat listrik, termal, dan mekanisnya yang unggul. Batangan SiC dalam kelas Dummy/Prime tipe-N berukuran 6 inci dirancang khusus untuk produksi perangkat semikonduktor canggih, termasuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan opsi ketebalan yang dapat disesuaikan dan spesifikasi yang tepat, batangan SiC ini memberikan solusi ideal untuk pengembangan perangkat yang digunakan dalam kendaraan listrik, sistem tenaga industri, telekomunikasi, dan sektor berkinerja tinggi lainnya. Ketahanan SiC dalam kondisi tegangan tinggi, suhu tinggi, dan frekuensi tinggi memastikan kinerja yang tahan lama, efisien, dan andal dalam berbagai aplikasi.
Batangan SiC tersedia dalam ukuran 6 inci, dengan diameter 150,25 mm ± 0,25 mm dan ketebalan lebih dari 10 mm, sehingga ideal untuk pemotongan wafer. Produk ini menawarkan orientasi permukaan yang jelas dari 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, yang memastikan presisi tinggi dalam pembuatan perangkat. Selain itu, batangan ini memiliki orientasi datar primer <1-100> ± 5°, yang berkontribusi pada penyelarasan kristal dan kinerja pemrosesan yang optimal.
Dengan resistivitas tinggi dalam kisaran 0,015–0,0285 Ω·cm, kerapatan mikropipa rendah <0,5, dan kualitas tepi yang sangat baik, Ingot SiC ini cocok untuk produksi perangkat daya yang memerlukan cacat minimal dan kinerja tinggi dalam kondisi ekstrem.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Properti

Kelas: Kelas Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran: diameter 6 inci
Diameter: 150,25mm ± 0,25mm
Ketebalan: >10mm (Ketebalan dapat disesuaikan berdasarkan permintaan)
Orientasi Permukaan: 4° ke arah <11-20> ± 0,2°, yang memastikan kualitas kristal tinggi dan penyelarasan akurat untuk fabrikasi perangkat.
Orientasi Datar Primer: <1-100> ± 5°, fitur utama untuk pemotongan ingot menjadi wafer secara efisien dan untuk pertumbuhan kristal yang optimal.
Panjang Datar Primer: 47,5mm ± 1,5mm, dirancang untuk penanganan mudah dan pemotongan presisi.
Resistivitas: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal untuk aplikasi pada perangkat daya efisiensi tinggi.
Kepadatan Mikropipa: <0,5, memastikan cacat minimal yang dapat memengaruhi kinerja perangkat yang dibuat.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, nilai rendah yang menunjukkan kemurnian kristal tinggi dan kepadatan cacat rendah.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, memastikan integritas material yang sangat baik untuk perangkat berkinerja tinggi.
Area Politipe: Tidak Ada – ingot bebas dari cacat politipe, menawarkan kualitas material unggul untuk aplikasi kelas atas.
Lekukan Tepi: <3, dengan lebar dan kedalaman 1 mm, memastikan kerusakan permukaan minimal dan menjaga integritas ingot untuk pemotongan wafer yang efisien.
Retakan Tepi: 3, <1 mm masing-masing, dengan tingkat kerusakan tepi yang rendah, memastikan penanganan dan pemrosesan lebih lanjut yang aman.
Pengepakan: Kotak wafer – ingot SiC dikemas dengan aman dalam kotak wafer untuk memastikan pengangkutan dan penanganan yang aman.

Aplikasi

Elektronika Daya:Batangan SiC berukuran 6 inci banyak digunakan dalam produksi perangkat elektronika daya seperti MOSFET, IGBT, dan dioda, yang merupakan komponen penting dalam sistem konversi daya. Perangkat ini banyak digunakan dalam inverter kendaraan listrik (EV), penggerak motor industri, catu daya, dan sistem penyimpanan energi. Kemampuan SiC untuk beroperasi pada tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu ekstrem membuatnya ideal untuk aplikasi di mana perangkat silikon (Si) tradisional akan kesulitan untuk bekerja secara efisien.

Kendaraan Listrik (EV):Pada kendaraan listrik, komponen berbasis SiC sangat penting untuk pengembangan modul daya pada inverter, konverter DC-DC, dan pengisi daya terpasang. Konduktivitas termal SiC yang unggul memungkinkan pengurangan panas yang dihasilkan dan efisiensi yang lebih baik dalam konversi daya, yang sangat penting untuk meningkatkan kinerja dan jarak tempuh kendaraan listrik. Selain itu, perangkat SiC memungkinkan komponen yang lebih kecil, lebih ringan, dan lebih andal, yang berkontribusi pada kinerja sistem EV secara keseluruhan.

Sistem Energi Terbarukan:Batangan SiC merupakan material penting dalam pengembangan perangkat konversi daya yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, termasuk inverter surya, turbin angin, dan solusi penyimpanan energi. Kemampuan penanganan daya yang tinggi dan manajemen termal yang efisien dari SiC memungkinkan efisiensi konversi energi yang lebih tinggi dan keandalan yang lebih baik dalam sistem ini. Penggunaannya dalam energi terbarukan membantu mendorong upaya global menuju keberlanjutan energi.

Telekomunikasi:Batangan SiC berukuran 6 inci juga cocok untuk memproduksi komponen yang digunakan dalam aplikasi RF (frekuensi radio) berdaya tinggi. Komponen ini meliputi amplifier, osilator, dan filter yang digunakan dalam sistem telekomunikasi dan komunikasi satelit. Kemampuan SiC untuk menangani frekuensi tinggi dan daya tinggi menjadikannya material yang sangat baik untuk perangkat telekomunikasi yang memerlukan kinerja tangguh dan kehilangan sinyal minimal.

Dirgantara dan Pertahanan:Tegangan tembus SiC yang tinggi dan ketahanannya terhadap suhu tinggi membuatnya ideal untuk aplikasi kedirgantaraan dan pertahanan. Komponen yang terbuat dari ingot SiC digunakan dalam sistem radar, komunikasi satelit, dan elektronika daya untuk pesawat terbang dan wahana antariksa. Material berbasis SiC memungkinkan sistem kedirgantaraan untuk bekerja dalam kondisi ekstrem yang ditemui di lingkungan luar angkasa dan dataran tinggi.

Otomasi Industri:Dalam otomasi industri, komponen SiC digunakan dalam sensor, aktuator, dan sistem kontrol yang harus beroperasi di lingkungan yang keras. Perangkat berbasis SiC digunakan dalam mesin yang membutuhkan komponen yang efisien dan tahan lama yang mampu menahan suhu tinggi dan tekanan listrik.

Tabel Spesifikasi Produk

Milik	Spesifikasi
Nilai	Produksi (Dummy/Prime)
Ukuran	6 inci
Diameter	150,25mm ± 0,25mm
Ketebalan	>10mm (Dapat disesuaikan)
Orientasi Permukaan	4° ke arah <11-20> ± 0,2°
Orientasi Datar Utama	<1-100> ± 5°
Panjang Datar Primer	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistivitas	0,015–0,0285 Ω·cm
Kepadatan Mikropipa	<0,5
Kepadatan Lubang Boron (BPD)	<2000
Kepadatan Dislokasi Sekrup Ulir (TSD)	<500
Area Politipe	Tidak ada
Indentasi Tepi	<3, lebar dan kedalaman 1mm
Retakan Tepi	3, <1mm/masing-masing
Sedang mengemas	Kasus wafer

Kesimpulan

Batangan SiC 6 inci – Tipe Dummy/Prime N merupakan material premium yang memenuhi persyaratan ketat industri semikonduktor. Konduktivitas termalnya yang tinggi, resistivitas yang luar biasa, dan kepadatan cacat yang rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk produksi perangkat elektronik daya canggih, komponen otomotif, sistem telekomunikasi, dan sistem energi terbarukan. Spesifikasi ketebalan dan presisi yang dapat disesuaikan memastikan bahwa batangan SiC ini dapat disesuaikan dengan berbagai aplikasi, memastikan kinerja dan keandalan yang tinggi di lingkungan yang menuntut. Untuk informasi lebih lanjut atau untuk memesan, silakan hubungi tim penjualan kami.