Tabung Tungku Horizontal Silikon Karbida (SiC)

Deskripsi Singkat:

Tabung Tungku Horizontal Silikon Karbida (SiC) berfungsi sebagai ruang proses utama dan batas tekanan untuk reaksi fase gas suhu tinggi dan perlakuan panas yang digunakan dalam fabrikasi semikonduktor, manufaktur fotovoltaik, dan pemrosesan material canggih.

Kirim email kepada kami

Fitur

Diagram Terperinci

Penentuan Posisi Produk & Proposisi Nilai

Dirancang dengan struktur SiC satu bagian yang diproduksi secara aditif dan dikombinasikan dengan lapisan pelindung CVD-SiC yang padat, tabung ini memberikan konduktivitas termal yang luar biasa, kontaminasi minimal, integritas mekanik yang kuat, dan ketahanan kimia yang unggul.
Desainnya memastikan keseragaman suhu yang unggul, interval servis yang lebih panjang, dan pengoperasian jangka panjang yang stabil.

Keunggulan Utama

Meningkatkan konsistensi suhu sistem, kebersihan, dan efektivitas peralatan secara keseluruhan (OEE).
Mengurangi waktu henti untuk pembersihan dan memperpanjang siklus penggantian, sehingga menurunkan total biaya kepemilikan (TCO).
Menyediakan ruang tahan lama yang mampu menangani reaksi oksidatif suhu tinggi dan reaksi kimia kaya klorin dengan risiko minimal.

Atmosfer dan Jendela Proses yang Berlaku

Gas reaktif: oksigen (O₂) dan campuran pengoksidasi lainnya
Gas pembawa/pelindung: nitrogen (N₂) dan gas mulia ultra-murni
Spesies yang kompatibel: gas yang mengandung klorin dalam jumlah kecil (konsentrasi dan waktu kontak dikontrol sesuai resep)

Proses Khas: oksidasi kering/basah, anil, difusi, deposisi LPCVD/CVD, aktivasi permukaan, pasivasi fotovoltaik, pertumbuhan film tipis fungsional, karbonisasi, nitridasi, dan banyak lagi.

Kondisi Operasi

Suhu: suhu ruangan hingga 1250 °C (berikan margin keamanan 10–15 % tergantung pada desain pemanas dan ΔT)
Tekanan: dari tingkat vakum tekanan rendah/LPCVD hingga tekanan positif mendekati atmosfer (spesifikasi akhir sesuai pesanan pembelian)

Bahan & Logika Struktural

Bodi SiC Monolitik (Diproduksi dengan Manufaktur Aditif)

β-SiC dengan kepadatan tinggi atau SiC multifase, dibangun sebagai komponen tunggal—tanpa sambungan atau jahitan yang disolder yang dapat bocor atau menciptakan titik tegangan.
Konduktivitas termal yang tinggi memungkinkan respons termal yang cepat dan keseragaman suhu aksial/radial yang sangat baik.
Koefisien ekspansi termal (CTE) yang rendah dan stabil memastikan stabilitas dimensi dan penyegelan yang andal pada suhu tinggi.

Pelapisan Fungsional SiC CVD

Dideposisikan secara in-situ, sangat murni (ketidakmurnian permukaan/lapisan < 5 ppm) untuk menekan pembentukan partikel dan pelepasan ion logam.
Ketahanan kimia yang luar biasa terhadap gas pengoksidasi dan gas yang mengandung klorin, mencegah serangan pada dinding atau pengendapan ulang.
Opsi ketebalan spesifik zona untuk menyeimbangkan ketahanan korosi dan respons termal.

Manfaat Gabungan: bodi SiC yang kokoh memberikan kekuatan struktural dan konduksi panas, sementara lapisan CVD menjamin kebersihan dan ketahanan terhadap korosi untuk keandalan dan throughput maksimum.

Target Kinerja Utama

Suhu penggunaan terus menerus:≤ 1250 °C
Pengotor substrat massal:< 300 ppm
Pengotor permukaan CVD-SiC:< 5 ppm
Toleransi dimensi: OD ±0,3–0,5 mm; koaksialitas ≤ 0,3 mm/m (tersedia toleransi yang lebih ketat)
Kekasaran dinding bagian dalam: Ra ≤ 0,8–1,6 µm (dipoles atau hasil akhir mendekati cermin opsional)
Laju kebocoran helium: ≤ 1 × 10⁻⁹ Pa·m³/s
Ketahanan terhadap guncangan termal: mampu bertahan terhadap siklus panas/dingin berulang tanpa retak atau pecah.
Perakitan ruang bersih: Kelas ISO 5–6 dengan tingkat residu partikel/ion logam bersertifikat.

Konfigurasi & Opsi

GeometriDiameter luar (OD) 50–400 mm (lebih besar berdasarkan evaluasi) dengan konstruksi satu bagian yang panjang; ketebalan dinding dioptimalkan untuk kekuatan mekanik, berat, dan fluks panas.
Desain akhir: flensa, corong, bayonet, cincin penahan, alur O-ring, dan port pemompaan atau tekanan khusus.
Pelabuhan fungsional: saluran tembus termokopel, dudukan kaca pengintai, saluran masuk gas bypass—semuanya dirancang untuk pengoperasian suhu tinggi dan kedap bocor.
Skema pelapisan: dinding bagian dalam (standar), dinding bagian luar, atau cakupan penuh; perisai yang ditargetkan atau ketebalan bertingkat untuk wilayah dengan benturan tinggi.
Perawatan permukaan & kebersihan: berbagai tingkat kekasaran permukaan, pembersihan ultrasonik/DI, dan protokol pemanggangan/pengeringan khusus.
Aksesoris: flensa grafit/keramik/logam, segel, perlengkapan penempatan, selongsong penanganan, dan dudukan penyimpanan.

Perbandingan Kinerja

Metrik	Tabung SiC	Tabung Kuarsa	Tabung Alumina	Tabung Grafit
Konduktivitas termal	Tinggi, seragam	Rendah	Rendah	Tinggi
Kekuatan/perambatan suhu tinggi	Bagus sekali	Adil	Bagus	Baik (sensitif terhadap oksidasi)
Kejut termal	Bagus sekali	Lemah	Sedang	Bagus sekali
Kebersihan / ion logam	Sangat baik (rendah)	Sedang	Sedang	Miskin
Oksidasi & Kimia Cl	Bagus sekali	Adil	Bagus	Buruk (mengoksidasi)
Biaya vs. masa pakai	Umur pakai sedang/panjang	Rendah / pendek	Sedang / sedang	Sedang / terbatas lingkungan

Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)

Q1. Mengapa memilih bodi SiC monolitik yang dicetak 3D?
A. Ini menghilangkan sambungan dan patri yang dapat bocor atau memusatkan tegangan, dan mendukung geometri kompleks dengan akurasi dimensi yang konsisten.

Q2. Apakah SiC tahan terhadap gas yang mengandung klorin?
A. Ya. CVD-SiC sangat inert dalam batas suhu dan tekanan yang ditentukan. Untuk area dengan dampak tinggi, disarankan menggunakan lapisan tebal lokal dan sistem pembersihan/pembuangan yang kuat.

Q3. Bagaimana cara kerjanya yang lebih unggul daripada tabung kuarsa?
A. SiC menawarkan masa pakai yang lebih lama, keseragaman suhu yang lebih baik, kontaminasi partikel/ion logam yang lebih rendah, dan TCO yang lebih baik—terutama di atas ~900 °C atau dalam atmosfer pengoksidasi/terklorinasi.

Q4. Apakah tabung tersebut mampu menahan peningkatan suhu yang cepat?
A. Ya, asalkan ΔT maksimum dan pedoman laju peningkatan suhu dipatuhi. Memadukan material SiC dengan konstanta dielektrik tinggi (high-κ) dengan lapisan CVD tipis mendukung transisi termal yang cepat.

Q5. Kapan penggantian diperlukan?
A. Ganti tabung jika Anda mendeteksi retakan pada flensa atau tepi, lubang atau pengelupasan lapisan, peningkatan laju kebocoran, pergeseran profil suhu yang signifikan, atau pembentukan partikel yang tidak normal.

Tentang Kami

XKH mengkhususkan diri dalam pengembangan, produksi, dan penjualan teknologi tinggi berupa kaca optik khusus dan material kristal baru. Produk kami melayani elektronik optik, elektronik konsumen, dan militer. Kami menawarkan komponen optik Safir, penutup lensa ponsel, Keramik, LT, Silikon Karbida SIC, Kuarsa, dan wafer kristal semikonduktor. Dengan keahlian yang mumpuni dan peralatan mutakhir, kami unggul dalam pemrosesan produk non-standar, dengan tujuan menjadi perusahaan teknologi tinggi terkemuka di bidang material optoelektronik.