Substrat SiC, Wafer Silikon Karbida Tipe 4H-N, Kekerasan Tinggi, Ketahanan Korosi, Kelas Utama, Pemolesan
Berikut ini adalah karakteristik wafer silikon karbida.
1. Konduktivitas termal yang lebih tinggi: Konduktivitas termal wafer SIC jauh lebih tinggi daripada silikon, yang berarti bahwa wafer SIC dapat secara efektif menghilangkan panas dan cocok untuk beroperasi di lingkungan suhu tinggi.
2. Mobilitas elektron yang lebih tinggi: Wafer SIC memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi daripada silikon, sehingga memungkinkan perangkat SIC beroperasi pada kecepatan yang lebih tinggi.
3. Tegangan tembus yang lebih tinggi: Material wafer SIC memiliki tegangan tembus yang lebih tinggi, sehingga cocok untuk pembuatan perangkat semikonduktor tegangan tinggi.
4. Stabilitas kimia yang lebih tinggi: Wafer SIC memiliki ketahanan korosi kimia yang lebih kuat, yang membantu meningkatkan keandalan dan daya tahan perangkat.
5. Celah pita yang lebih lebar: Wafer SIC memiliki celah pita yang lebih lebar daripada silikon, sehingga perangkat SIC lebih baik dan lebih stabil pada suhu tinggi.
Wafer silikon karbida memiliki beberapa aplikasi.
1. Bidang mekanik: alat potong dan bahan gerinda; komponen dan bushing tahan aus; katup dan seal industri; bantalan dan bola
2. Bidang daya elektronik: perangkat semikonduktor daya; elemen gelombang mikro frekuensi tinggi; elektronika daya tegangan tinggi dan suhu tinggi; material manajemen termal.
3. Industri kimia: reaktor dan peralatan kimia; pipa dan tangki penyimpanan tahan korosi; penyangga katalis kimia
4. Sektor energi: komponen turbin gas dan turbocharger; komponen inti dan struktur pembangkit listrik tenaga nuklir; komponen sel bahan bakar suhu tinggi.
5. Dirgantara: sistem perlindungan termal untuk rudal dan kendaraan luar angkasa; bilah turbin mesin jet; komposit canggih
6. Bidang lainnya: Sensor suhu tinggi dan termopile; Cetakan dan perkakas untuk proses sintering; Bidang penggilingan, pemolesan, dan pemotongan.
ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC (Silikon Karbida) kristal tunggal berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC adalah material semikonduktor generasi berikutnya, dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik. Dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih cocok untuk aplikasi perangkat suhu tinggi dan daya tinggi. Wafer SiC dapat dipasok dengan diameter 2-6 inci, baik SiC 4H dan 6H, tipe N, yang didoping nitrogen, dan tipe semi-isolasi tersedia. Silakan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.
Pabrik kami memiliki peralatan produksi dan tim teknis yang canggih, yang dapat menyesuaikan berbagai spesifikasi, ketebalan, dan bentuk wafer SiC sesuai dengan kebutuhan spesifik pelanggan.
Diagram Terperinci



