Proses yang dilakukan oleh Peralatan Semiconductor Laser Lift-Off dimulai dengan menyinari ingot donor dari satu sisi menggunakan sinar laser ultraviolet berenergi tinggi. Sinar ini difokuskan secara ketat pada kedalaman internal tertentu, biasanya di sepanjang antarmuka yang direkayasa, di mana penyerapan energi dimaksimalkan karena kontras optik, termal, atau kimia.

Pada lapisan penyerapan energi ini, pemanasan lokal menyebabkan ledakan mikro yang cepat, ekspansi gas, atau dekomposisi lapisan antarmuka (misalnya, lapisan film stresor atau oksida pengorbanan). Gangguan yang terkontrol secara presisi ini menyebabkan lapisan kristal atas—dengan ketebalan puluhan mikrometer—terlepas dengan rapi dari ingot dasar.

Peralatan Semiconductor Laser Lift-Off memanfaatkan kepala pemindai yang disinkronkan dengan gerakan, kontrol sumbu-z yang dapat diprogram, dan reflektometri waktu nyata untuk memastikan setiap pulsa menyalurkan energi tepat pada bidang target. Peralatan ini juga dapat dikonfigurasi dengan kemampuan mode burst atau multi-pulsa untuk meningkatkan kelancaran pelepasan dan meminimalkan tegangan sisa. Yang terpenting, karena sinar laser tidak pernah menyentuh material secara fisik, risiko retakan mikro, lengkungan, atau pengelupasan permukaan berkurang drastis.

Hal ini menjadikan metode penipisan laser lift-off sebagai pengubah permainan, khususnya dalam aplikasi yang memerlukan wafer ultra-datar dan ultra-tipis dengan TTV (Total Thickness Variation) sub-mikron.