Proses yang dilakukan oleh Peralatan Pelepasan Laser Semikonduktor dimulai dengan menyinari ingot donor dari satu sisi menggunakan sinar laser ultraviolet berenergi tinggi. Sinar ini difokuskan secara ketat pada kedalaman internal tertentu, biasanya di sepanjang antarmuka yang direkayasa, di mana penyerapan energi dimaksimalkan karena kontras optik, termal, atau kimia.

Pada lapisan penyerapan energi ini, pemanasan lokal menyebabkan ledakan mikro yang cepat, ekspansi gas, atau dekomposisi lapisan antarmuka (misalnya, lapisan penekan tegangan atau oksida pengorbanan). Gangguan yang dikontrol secara tepat ini menyebabkan lapisan kristal atas—dengan ketebalan puluhan mikrometer—terlepas dari ingot dasar dengan bersih.

Peralatan Pelepasan Laser Semikonduktor memanfaatkan kepala pemindaian yang disinkronkan dengan gerakan, kontrol sumbu z yang dapat diprogram, dan reflektometri waktu nyata untuk memastikan setiap pulsa memberikan energi tepat pada bidang target. Peralatan ini juga dapat dikonfigurasi dengan kemampuan mode burst atau multi-pulsa untuk meningkatkan kelancaran pelepasan dan meminimalkan tegangan sisa. Yang penting, karena sinar laser tidak pernah bersentuhan langsung dengan material, risiko keretakan mikro, pembengkokan, atau pengelupasan permukaan berkurang drastis.

Hal ini menjadikan metode penipisan laser lift-off sebagai terobosan besar, khususnya dalam aplikasi yang membutuhkan wafer ultra-datar dan ultra-tipis dengan TTV (Total Thickness Variation/Variasi Ketebalan Total) sub-mikron.