SiC Semi-Isolasi pada Substrat Komposit Si
| Barang-barang | Spesifikasi | Barang-barang | Spesifikasi |
| Diameter | 150±0,2 mm | Orientasi | <111>/<100>/<110> dan seterusnya |
| Politipe | 4H | Jenis | Nomor P/N |
| Resistivitas | ≥1E8ohm·cm | Kebosanan | Datar/Lekukan |
| Ketebalan lapisan transfer | ≥0,1μm | Kerusakan pada tepi, goresan, retakan (inspeksi visual) | Tidak ada |
| Ruang kosong | ≤5 buah/wafer (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5μm |
| Kekasaran bagian depan | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | Ketebalan | 500/625/675±25μm |
Kombinasi ini menawarkan sejumlah keunggulan dalam manufaktur elektronik:
Kompatibilitas: Penggunaan substrat silikon membuatnya kompatibel dengan teknik pemrosesan berbasis silikon standar dan memungkinkan integrasi dengan proses manufaktur semikonduktor yang ada.
Performa suhu tinggi: SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat beroperasi pada suhu tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi elektronik daya tinggi dan frekuensi tinggi.
Tegangan Tembus Tinggi: Material SiC memiliki tegangan tembus yang tinggi dan dapat menahan medan listrik tinggi tanpa mengalami kerusakan listrik.
Pengurangan Kehilangan Daya: Substrat SiC memungkinkan konversi daya yang lebih efisien dan kehilangan daya yang lebih rendah pada perangkat elektronik dibandingkan dengan material berbasis silikon tradisional.
Bandwidth lebar: SiC memiliki bandwidth yang lebar, memungkinkan pengembangan perangkat elektronik yang dapat beroperasi pada suhu lebih tinggi dan kepadatan daya lebih tinggi.
Dengan demikian, SiC semi-isolasi pada substrat komposit Si menggabungkan kompatibilitas silikon dengan sifat listrik dan termal SiC yang unggul, sehingga cocok untuk aplikasi elektronik berkinerja tinggi.
Pengemasan dan Pengiriman
1. Kami akan menggunakan plastik pelindung dan kotak khusus untuk pengemasan. (Bahan ramah lingkungan)
2. Kami dapat melakukan pengemasan khusus sesuai dengan jumlah pesanan.
3. DHL/Fedex/UPS Express biasanya membutuhkan waktu sekitar 3-7 hari kerja untuk sampai ke tujuan.
Diagram Terperinci
