SiC Semi-Insulasi pada Substrat Komposit Si
| Barang | Spesifikasi | Barang | Spesifikasi |
| Diameter | 150±0,2mm | Orientasi | <111>/<100>/<110> dan seterusnya |
| Politipe | 4H | Jenis | P/N |
| Resistivitas | ≥1E8ohm·cm | Kebosanan | Datar / Takik |
| Ketebalan lapisan transfer | ≥0,1μm | Tepi Chip, Goresan, Retak (inspeksi visual) | Tidak ada |
| Ruang kosong | ≤5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | TV | ≤5μm |
| Kekasaran depan | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | Ketebalan | 500/625/675±25μm |
Kombinasi ini menawarkan sejumlah keunggulan dalam manufaktur elektronik:
Kompatibilitas: Penggunaan substrat silikon membuatnya kompatibel dengan teknik pemrosesan berbasis silikon standar dan memungkinkan integrasi dengan proses manufaktur semikonduktor yang ada.
Kinerja suhu tinggi: SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat beroperasi pada suhu tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi elektronik berdaya tinggi dan frekuensi tinggi.
Tegangan Kerusakan Tinggi: Bahan SiC memiliki tegangan rusaknya tinggi dan dapat menahan medan listrik tinggi tanpa gangguan listrik.
Mengurangi Kehilangan Daya: Substrat SiC memungkinkan konversi daya yang lebih efisien dan kehilangan daya yang lebih rendah pada perangkat elektronik dibandingkan dengan bahan berbasis silikon tradisional.
Bandwidth lebar: SiC memiliki bandwidth yang lebar, memungkinkan pengembangan perangkat elektronik yang dapat beroperasi pada suhu lebih tinggi dan kepadatan daya lebih tinggi.
Jadi semi-isolasi SiC pada substrat komposit Si menggabungkan kompatibilitas silikon dengan sifat listrik dan termal SiC yang unggul, sehingga cocok untuk aplikasi elektronik berkinerja tinggi.
Pengepakan dan Pengiriman
1. Kami akan menggunakan plastik pelindung dan kotak khusus untuk dikemas. (Bahan ramah lingkungan)
2. Kita bisa melakukan pengepakan khusus sesuai dengan kuantitas.
3. DHL/Fedex/UPS Express biasanya memakan waktu sekitar 3-7 hari kerja sampai tujuan.
Diagram Terperinci
