SiC Semi-Isolasi pada Substrat Komposit Si
| Barang | Spesifikasi | Barang | Spesifikasi |
| Diameter | 150±0,2 mm | Orientasi | <111>/<100>/<110> dan seterusnya |
| Politipe | 4H | Jenis | P/N |
| Resistivitas | ≥1E8ohm·cm | Kebosanan | Datar/Berlekuk |
| Transfer lapisan Ketebalan | ≥0,1μm | Tepi terkelupas, tergores, retak (inspeksi visual) | Tidak ada |
| Ruang kosong | ≤5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | TV Televisi | ≤5 mikron |
| Kekasaran depan | Ra≤0,2nm (ukuran 5 mikrometer) | Ketebalan | Ukuran 500/625/675±25μm |
Kombinasi ini menawarkan sejumlah keuntungan dalam manufaktur elektronik:
Kompatibilitas: Penggunaan substrat silikon membuatnya kompatibel dengan teknik pemrosesan berbasis silikon standar dan memungkinkan integrasi dengan proses manufaktur semikonduktor yang ada.
Kinerja suhu tinggi: SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat beroperasi pada suhu tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi elektronik daya tinggi dan frekuensi tinggi.
Tegangan Terobosan Tinggi: Material SiC memiliki tegangan tembus tinggi dan dapat menahan medan listrik tinggi tanpa kerusakan listrik.
Kehilangan Daya yang Lebih Rendah: Substrat SiC memungkinkan konversi daya yang lebih efisien dan kehilangan daya yang lebih rendah pada perangkat elektronik dibandingkan dengan bahan berbasis silikon tradisional.
Bandwidth yang lebar: SiC memiliki bandwidth yang lebar, memungkinkan pengembangan perangkat elektronik yang dapat beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan kepadatan daya yang lebih tinggi.
Jadi SiC semi-isolasi pada substrat komposit Si menggabungkan kompatibilitas silikon dengan sifat listrik dan termal SiC yang unggul, membuatnya cocok untuk aplikasi elektronik berkinerja tinggi.
Pengepakan dan Pengiriman
1. Kami akan menggunakan plastik pelindung dan kotak khusus untuk mengemasnya. (Bahan yang ramah lingkungan)
2. Kami dapat melakukan pengemasan khusus berdasarkan kuantitas.
3. DHL/Fedex/UPS Express biasanya membutuhkan waktu sekitar 3-7 hari kerja ke tujuan.
Diagram Rinci
