SiC Semi-Isolasi pada Substrat Komposit Si
| Barang | Spesifikasi | Barang | Spesifikasi |
| Diameter | 150±0,2 mm | Orientasi | <111>/<100>/<110> dan seterusnya |
| Politipe | 4H | Jenis | P/N |
| Resistivitas | ≥1E8ohm·cm | Kebosanan | Datar/Berlekuk |
| Ketebalan lapisan transfer | ≥0,1μm | Tepi Terkelupas, Goresan, Retak (inspeksi visual) | Tidak ada |
| Ruang kosong | ≤5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | TTV | ≤5 mikrometer |
| Kekasaran depan | Ra≤0,2nm (5 mikrometer x 5 mikrometer) | Ketebalan | 500/625/675±25μm |
Kombinasi ini menawarkan sejumlah keuntungan dalam manufaktur elektronik:
Kompatibilitas: Penggunaan substrat silikon membuatnya kompatibel dengan teknik pemrosesan berbasis silikon standar dan memungkinkan integrasi dengan proses manufaktur semikonduktor yang ada.
Kinerja suhu tinggi: SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat beroperasi pada suhu tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi elektronik daya tinggi dan frekuensi tinggi.
Tegangan Terobosan Tinggi: Material SiC memiliki tegangan tembus tinggi dan dapat menahan medan listrik tinggi tanpa kerusakan listrik.
Kehilangan Daya Berkurang: Substrat SiC memungkinkan konversi daya yang lebih efisien dan kehilangan daya yang lebih rendah pada perangkat elektronik dibandingkan dengan bahan berbasis silikon tradisional.
Bandwidth lebar: SiC memiliki bandwidth lebar, memungkinkan pengembangan perangkat elektronik yang dapat beroperasi pada suhu lebih tinggi dan kepadatan daya lebih tinggi.
Jadi SiC semi-isolasi pada substrat komposit Si menggabungkan kompatibilitas silikon dengan sifat listrik dan termal SiC yang unggul, membuatnya cocok untuk aplikasi elektronik berkinerja tinggi.
Pengepakan dan Pengiriman
1. Kami akan menggunakan plastik pelindung dan kotak khusus untuk pengemasan. (Bahan ramah lingkungan)
2. Kami dapat melakukan pengemasan khusus berdasarkan kuantitas.
3. DHL/Fedex/UPS Express biasanya membutuhkan waktu sekitar 3-7 hari kerja ke tujuan.
Diagram Rinci
