Metode Sapphire KY dan EFG Tabung batang safir pipa bertekanan tinggi
Keterangan
Batang Safir digunakan dalam berbagai aplikasi. Batang safir dapat dibuat dengan semua permukaan dipoles untuk aplikasi optik dan keausan atau dengan semua permukaan digiling halus (tidak dipoles) untuk berfungsi sebagai isolator.
Teknologi
Selama proses penarikan tabung safir dari lelehan dengan bantuan biji, gradien suhu memanjang di zona antara bagian depan yang mengeras dan daerah penarikan yang suhunya antara 1850 dan 1900 derajat. C dipertahankan tidak melebihi 30 derajat. C/cm. Tabung yang ditumbuhkan dianil pada suhu antara 1950 dan 2000 derajat. C dengan menaikkan suhu sebanyak 30 hingga 40 derajat. C/menit dan menjaga tabung pada suhu tersebut selama jangka waktu antara 3 dan 4 jam. Setelah itu tabung didinginkan sampai suhu kamar dengan kecepatan 30-40 derajat. C/menit.
Aplikasi Pemrosesan Semikonduktor
(HPD CVD, PECVD, Etch Kering, Etch Basah).
Tabung aplikator plasma.
Proses nozel injektor gas.
Detektor titik akhir.
Tabung Excimer Corona.
Tabung Penahan Plasma
Mesin penyegel tabung plasma adalah alat yang digunakan untuk merangkum komponen elektronik. Prinsipnya adalah menggunakan suhu tinggi dan tekanan tinggi plasma untuk melelehkan bahan pengemas dan merangkumnya pada komponen. Komponen utama mesin penyegel tabung plasma meliputi generator plasma, ruang penyegel tabung, sistem vakum, sistem kontrol, dll.
Selubung Pelindung Termokopel (Thermowell)
Termokopel adalah elemen pengukur suhu yang umum digunakan pada alat ukur suhu, yang secara langsung mengukur suhu, dan mengubah sinyal suhu menjadi sinyal gaya gerak listrik termoelektrik, melalui instrumen listrik (instrumen sekunder) menjadi suhu media yang diukur.
Pengolahan/pembersihan air
Sifat Tabung Safir (Teoretis)
Rumus Majemuk | Al2O3 |
Berat Molekul | 101,96 |
Penampilan | Tabung tembus pandang |
Titik lebur | 2050 °C (3720 °F) |
Titik didih | 2.977°C (5.391°F) |
Kepadatan | 4,0 gram/cm3 |
Morfologi | Trigonal (heksa), R3c |
Kelarutan dalam H2O | 98x10-6g/100g |
Indeks Bias | 1.8 |
Resistivitas Listrik | 17 10x Ω-m |
Rasio Poisson | 0,28 |
Panas Spesifik | 760 JKg-1 K-1 (293K) |
Kekuatan Tarik | 1390 MPa (Ultimate) |
Konduktivitas Termal | 30 W/mK |
Ekspansi Termal | 5,3 m/mK |
Modulus Young | 450 IPK |
Massa Tepat | 101,948 gram/mol |
Massa Monoisotopik | 101.94782 Hari |