KY dan EFG Sapphire Method Tabung batang safir pipa bertekanan tinggi
Keterangan
Batang Safir digunakan dalam berbagai macam aplikasi. Batang safir dapat dibuat dengan semua permukaan dipoles untuk aplikasi optik dan keausan atau dengan semua permukaan digiling halus (tidak dipoles) untuk berfungsi sebagai isolator.
Teknologi
Selama proses penarikan tabung safir dari lelehan dengan bantuan benih, gradien suhu longitudinal di zona antara bagian depan yang dipadatkan dan wilayah penarikan di mana suhu berada di antara 1850 dan 1900 derajat C dipertahankan tidak lebih dari 30 derajat C/cm. Tabung yang tumbuh tersebut dianil pada suhu antara 1950 dan 2000 derajat C dengan meningkatkan suhu pada laju 30 hingga 40 derajat C/menit dan menjaga tabung pada suhu tersebut selama periode antara 3 dan 4 jam. Setelah itu tabung didinginkan hingga suhu ruangan pada laju 30-40 derajat C/menit.
Aplikasi Pemrosesan Semikonduktor
(HPD CVD, PECVD, Etsa Kering, Etsa Basah).
Tabung aplikator plasma.
Nozel injektor gas proses.
Detektor titik akhir.
Tabung Korona Excimer.
Tabung Penahan Plasma
Mesin penyegel tabung plasma merupakan perangkat yang digunakan untuk membungkus komponen elektronik. Prinsip kerjanya adalah menggunakan suhu dan tekanan plasma yang tinggi untuk melelehkan bahan kemasan dan membungkusnya pada komponen. Komponen utama mesin penyegel tabung plasma meliputi generator plasma, ruang penyegel tabung, sistem vakum, sistem kontrol, dll.
Selubung Pelindung Termokopel (Thermowell)
Termokopel merupakan elemen pengukur suhu yang umum digunakan dalam instrumen pengukur suhu. Ia mengukur suhu secara langsung, lalu mengubah sinyal suhu menjadi sinyal gaya gerak listrik termoelektrik, melalui instrumen listrik (instrumen sekunder) menjadi suhu media yang diukur.
Pengolahan/pembersihan air
Properti Tabung Safir (Teoretis)
| Rumus Senyawa | Al2O3 |
| Berat Molekul | 101.96 |
| Penampilan | Tabung tembus pandang |
| Titik lebur | 2050 °C (3720 °F) |
| Titik didih | 2.977°C (5.391°F) |
| Kepadatan | 4,0 gram/cm3 |
| Morfologi | Trigonal (segi enam), R3c |
| Kelarutan dalam H2O | 98x10-6 gram/100 gram |
| Indeks Bias | 1.8 |
| Resistivitas Listrik | 17 10x Ω-m |
| Rasio Poisson | 0.28 |
| Panas Spesifik | 760 J Kg-1 K-1 (293K) |
| Kekuatan Tarik | 1390 MPa (Ultimate) |
| Konduktivitas Termal | 30 W/mK |
| Ekspansi Termal | 5,3 µm/mK |
| Modulus Young | 450 GPa |
| Massa Tepat | 101.948 gram/mol |
| Massa Monoisotopik | 101.94782 Hari |
Diagram Rinci
