Tabung Safir batang safir bentuk khusus tekanan tinggi KY dan EFG
Keterangan
Batang Safir digunakan dalam berbagai aplikasi. Batang safir dapat dibuat dengan seluruh permukaan dipoles untuk aplikasi optik dan keausan, atau dengan seluruh permukaan digiling halus (tidak dipoles) untuk berfungsi sebagai isolator.
Teknologi
Selama proses penarikan tabung safir dari lelehan dengan bantuan benih, gradien suhu longitudinal di zona antara bagian depan yang telah dipadatkan dan area penarikan, yang suhunya berada di antara 1850 dan 1900 derajat Celcius, dipertahankan tidak lebih dari 30 derajat Celcius/cm. Tabung yang telah ditumbuhkan tersebut dianil pada suhu antara 1950 dan 2000 derajat Celcius dengan meningkatkan suhu sebesar 30 hingga 40 derajat Celcius/menit dan mempertahankan suhu tersebut selama 3 hingga 4 jam. Setelah itu, tabung didinginkan hingga mencapai suhu ruang dengan laju 30-40 derajat Celcius/menit.
Aplikasi Pemrosesan Semikonduktor:
(HPD CVD, PECVD, Etsa Kering, Etsa Basah)
Tabung aplikator plasma
Nozel injektor gas proses
Detektor titik akhir
Tabung Korona Excimer
Tabung penampung plasma
Mesin penyegel tabung plasma adalah perangkat yang digunakan untuk membungkus komponen elektronik. Prinsip kerjanya adalah menggunakan suhu dan tekanan plasma yang tinggi untuk melelehkan bahan kemasan dan membungkusnya pada komponen. Komponen utama mesin penyegel tabung plasma meliputi generator plasma, ruang penyegel tabung, sistem vakum, sistem kontrol, dan lain-lain.
Selubung pelindung termokopel (Thermowell): Termokopel adalah elemen pengukur suhu yang umum digunakan dalam instrumen pengukur suhu, ia secara langsung mengukur suhu, dan mengubah sinyal suhu menjadi sinyal gaya gerak listrik termoelektrik, melalui instrumen listrik (instrumen sekunder) menjadi suhu media yang diukur.
Pengolahan/pembersihan air
Properti Tabung Safir (Teoretis)
| Rumus Senyawa | Al2O3 |
| Berat Molekul | 101.96 |
| Penampilan | Tabung tembus pandang |
| Titik lebur | 2050 °C (3720 °F) |
| Titik didih | 2.977°C (5.391°F) |
| Kepadatan | 4,0 gram/cm3 |
| Morfologi | Trigonal (heksagonal), R3c |
| Kelarutan dalam H2O | 98 x 10-6 gram/100 gram |
| Indeks Bias | 1.8 |
| Resistivitas Listrik | 17 10x Ω-m |
| Rasio Poisson | 0.28 |
| Panas Spesifik | 760 J Kg-1 K-1 (293K) |
| Kekuatan Tarik | 1390 MPa (Ultimate) |
| Konduktivitas Termal | 30 W/mK |
| Ekspansi Termal | 5,3 µm/mK |
| Modulus Young | 450 GPa |
| Massa Tepat | 101,948 gram/mol |
| Massa Monoisotopik | 101.94782 Hari |
Diagram Rinci
