Wafer InSb 2 inci 3 inci tipe N tanpa doping, orientasi tipe P 111 100 untuk Detektor Inframerah

Deskripsi Singkat:

Wafer Indium Antimonide (InSb) merupakan material utama yang digunakan dalam teknologi deteksi inframerah karena celah pita yang sempit dan mobilitas elektron yang tinggi. Tersedia dalam diameter 2 inci dan 3 inci, wafer ini ditawarkan dalam variasi tipe N, tipe P, dan tipe tanpa doping. Wafer dibuat dengan orientasi 100 dan 111, sehingga memberikan fleksibilitas untuk berbagai aplikasi deteksi inframerah dan semikonduktor. Sensitivitas tinggi dan kebisingan rendah dari wafer InSb membuatnya ideal untuk digunakan dalam detektor inframerah panjang gelombang menengah (MWIR), sistem pencitraan inframerah, dan aplikasi optoelektronik lainnya yang memerlukan presisi dan kemampuan kinerja tinggi.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Fitur

Opsi Doping:
1. Tidak didoping:Wafer ini bebas dari agen doping apa pun dan terutama digunakan untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaksial, di mana wafer bertindak sebagai substrat murni.
2. Tipe N (Te Doped):Doping telurium (Te) digunakan untuk membuat wafer tipe-N, menawarkan mobilitas elektron tinggi dan membuatnya cocok untuk detektor inframerah, elektronik berkecepatan tinggi, dan aplikasi lain yang memerlukan aliran elektron yang efisien.
3.Tipe P (Doping Ge):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk membuat wafer tipe-P, menyediakan mobilitas lubang yang tinggi dan menawarkan kinerja yang sangat baik untuk sensor inframerah dan fotodetektor.

Pilihan Ukuran:
1. Wafer tersedia dalam diameter 2 inci dan 3 inci. Ini memastikan kompatibilitas dengan berbagai proses dan perangkat fabrikasi semikonduktor.
2. Wafer 2 inci memiliki diameter 50,8±0,3 mm, sedangkan wafer 3 inci memiliki diameter 76,2±0,3 mm.

Orientasi:
1. Wafer tersedia dengan orientasi 100 dan 111. Orientasi 100 ideal untuk elektronik berkecepatan tinggi dan detektor inframerah, sedangkan orientasi 111 sering digunakan untuk perangkat yang memerlukan sifat listrik atau optik tertentu.

Kualitas Permukaan:
1. Wafer ini hadir dengan permukaan yang dipoles/terukir untuk kualitas yang sangat baik, memungkinkan kinerja optimal dalam aplikasi yang memerlukan karakteristik optik atau listrik yang tepat.
2. Persiapan permukaan memastikan kepadatan cacat yang rendah, membuat wafer ini ideal untuk aplikasi deteksi inframerah di mana konsistensi kinerja sangat penting.

Siap Epi:
1. Wafer ini siap untuk epi, membuatnya cocok untuk aplikasi yang melibatkan pertumbuhan epitaksial di mana lapisan material tambahan akan diendapkan pada wafer untuk fabrikasi perangkat semikonduktor atau optoelektronik tingkat lanjut.

Aplikasi

1. Detektor Inframerah:Wafer InSb banyak digunakan dalam pembuatan detektor inframerah, terutama dalam rentang inframerah gelombang menengah (MWIR). Wafer ini penting untuk sistem penglihatan malam, pencitraan termal, dan aplikasi militer.
2. Sistem Pencitraan Inframerah:Sensitivitas tinggi wafer InSb memungkinkan pencitraan inframerah yang tepat di berbagai sektor, termasuk keamanan, pengawasan, dan penelitian ilmiah.
3. Elektronik Berkecepatan Tinggi:Karena mobilitas elektronnya yang tinggi, wafer ini digunakan dalam perangkat elektronik canggih seperti transistor berkecepatan tinggi dan perangkat optoelektronik.
4.Perangkat Sumur Kuantum:Wafer InSb ideal untuk aplikasi sumur kuantum dalam laser, detektor, dan sistem optoelektronik lainnya.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci
Diameter	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Ketebalan	Ukuran 500±5 mikrometer	Ukuran 650±5 mikrometer
Permukaan	Dipoles/Terukir	Dipoles/Terukir
Jenis Doping	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)
Orientasi	100, 111	100, 111
Kemasan	Lajang	Lajang
Siap Epi	Ya	Ya

Parameter Listrik untuk Te Doped (Tipe-N):

Mobilitas: 2000-5000 cm²/V·s
Resistivitas: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Parameter Listrik untuk Ge Doped (Tipe P):

Mobilitas: 4000-8000 cm²/V·s
Resistivitas: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Tanya Jawab (Pertanyaan yang Sering Diajukan)

Q1: Apa jenis doping yang ideal untuk aplikasi deteksi inframerah?

Sebuah nomor 1:Terdoping-Te (tipe-N)wafer biasanya merupakan pilihan ideal untuk aplikasi deteksi inframerah, karena menawarkan mobilitas elektron tinggi dan kinerja luar biasa dalam detektor inframerah gelombang menengah (MWIR) dan sistem pencitraan.

Q2: Dapatkah saya menggunakan wafer ini untuk aplikasi elektronik berkecepatan tinggi?

A2: Ya, wafer InSb, terutama yang memilikiDoping tipe Ndan100 orientasi, sangat cocok untuk elektronik berkecepatan tinggi seperti transistor, perangkat sumur kuantum, dan komponen optoelektronik karena mobilitas elektronnya yang tinggi.

Q3: Apa perbedaan antara orientasi 100 dan 111 untuk wafer InSb?

A3: Itu100orientasi umumnya digunakan untuk perangkat yang membutuhkan kinerja elektronik kecepatan tinggi, sedangkan111Orientasi sering digunakan untuk aplikasi spesifik yang memerlukan karakteristik listrik atau optik yang berbeda, termasuk perangkat optoelektronik dan sensor tertentu.

Q4: Apa pentingnya fitur Epi-Ready untuk wafer InSb?

A4: ItuSiap EpiFitur ini berarti wafer telah diolah terlebih dahulu untuk proses pengendapan epitaksial. Hal ini penting untuk aplikasi yang memerlukan pertumbuhan lapisan material tambahan di atas wafer, seperti dalam produksi semikonduktor canggih atau perangkat optoelektronik.

Q5: Apa saja aplikasi khas wafer InSb di bidang teknologi inframerah?

A5: Wafer InSb terutama digunakan dalam deteksi inframerah, pencitraan termal, sistem penglihatan malam, dan teknologi penginderaan inframerah lainnya. Sensitivitasnya yang tinggi dan kebisingan yang rendah membuatnya ideal untukinframerah gelombang menengah (MWIR)detektor.

Q6: Bagaimana ketebalan wafer mempengaruhi kinerjanya?

A6: Ketebalan wafer berperan penting dalam stabilitas mekanis dan karakteristik listriknya. Wafer yang lebih tipis sering digunakan dalam aplikasi yang lebih sensitif di mana kontrol yang tepat atas sifat material diperlukan, sementara wafer yang lebih tebal memberikan ketahanan yang lebih baik untuk aplikasi industri tertentu.

Q7: Bagaimana cara memilih ukuran wafer yang tepat untuk aplikasi saya?

A7: Ukuran wafer yang tepat bergantung pada perangkat atau sistem tertentu yang sedang dirancang. Wafer yang lebih kecil (2 inci) sering digunakan untuk penelitian dan aplikasi berskala lebih kecil, sedangkan wafer yang lebih besar (3 inci) biasanya digunakan untuk produksi massal dan perangkat yang lebih besar yang membutuhkan lebih banyak material.

Kesimpulan

Wafer InSb di2 inciDan3 inciukuran, dengantidak didoping, Tipe N, DanTipe Pvariasi, sangat berharga dalam aplikasi semikonduktor dan optoelektronik, terutama dalam sistem deteksi inframerah.100Dan111orientasi memberikan fleksibilitas untuk berbagai kebutuhan teknologi, dari elektronik berkecepatan tinggi hingga sistem pencitraan inframerah. Dengan mobilitas elektron yang luar biasa, kebisingan rendah, dan kualitas permukaan yang presisi, wafer ini ideal untukdetektor inframerah gelombang menengahdan aplikasi berkinerja tinggi lainnya.