Wafer InSb 2 inci 3 inci tanpa doping, orientasi tipe N dan P 111 100 untuk Detektor Inframerah

Deskripsi Singkat:

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan material kunci yang digunakan dalam teknologi deteksi inframerah karena celah pita yang sempit dan mobilitas elektron yang tinggi. Tersedia dalam diameter 2 inci dan 3 inci, wafer ini ditawarkan dalam variasi tanpa doping, tipe-N, dan tipe-P. Wafer ini dibuat dengan orientasi 100 dan 111, memberikan fleksibilitas untuk berbagai aplikasi deteksi inframerah dan semikonduktor. Sensitivitas tinggi dan derau rendah dari wafer InSb menjadikannya ideal untuk digunakan dalam detektor inframerah panjang gelombang menengah (MWIR), sistem pencitraan inframerah, dan aplikasi optoelektronik lainnya yang membutuhkan presisi dan kemampuan kinerja tinggi.

Kirim email ke kami

Fitur

Opsi Doping:
1.Tidak didoping:Wafer ini bebas dari agen doping apa pun dan terutama digunakan untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaksial, di mana wafer bertindak sebagai substrat murni.
2. Tipe N (Terdoping Te):Doping telurium (Te) digunakan untuk membuat wafer tipe-N, menawarkan mobilitas elektron tinggi dan membuatnya cocok untuk detektor inframerah, elektronik berkecepatan tinggi, dan aplikasi lain yang memerlukan aliran elektron yang efisien.
3.Tipe P (Ge Doped):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk membuat wafer tipe-P, menyediakan mobilitas lubang tinggi dan menawarkan kinerja yang sangat baik untuk sensor inframerah dan fotodetektor.

Pilihan Ukuran:
1. Wafer tersedia dalam diameter 2 inci dan 3 inci. Hal ini memastikan kompatibilitas dengan berbagai proses dan perangkat fabrikasi semikonduktor.
2. Wafer 2 inci memiliki diameter 50,8±0,3 mm, sedangkan wafer 3 inci memiliki diameter 76,2±0,3 mm.

Orientasi:
1. Wafer tersedia dengan orientasi 100 dan 111. Orientasi 100 ideal untuk elektronik berkecepatan tinggi dan detektor inframerah, sedangkan orientasi 111 sering digunakan untuk perangkat yang memerlukan sifat listrik atau optik tertentu.

Kualitas Permukaan:
1. Wafer ini hadir dengan permukaan yang dipoles/terukir untuk kualitas yang sangat baik, memungkinkan kinerja optimal dalam aplikasi yang memerlukan karakteristik optik atau listrik yang tepat.
2. Persiapan permukaan memastikan kepadatan cacat yang rendah, membuat wafer ini ideal untuk aplikasi deteksi inframerah di mana konsistensi kinerja sangat penting.

Siap Epi:
1. Wafer ini siap epi, membuatnya cocok untuk aplikasi yang melibatkan pertumbuhan epitaksial di mana lapisan material tambahan akan disimpan pada wafer untuk fabrikasi perangkat semikonduktor atau optoelektronik canggih.

Aplikasi

1. Detektor Inframerah:Wafer InSb banyak digunakan dalam fabrikasi detektor inframerah, terutama pada rentang inframerah panjang gelombang menengah (MWIR). Wafer ini penting untuk sistem penglihatan malam, pencitraan termal, dan aplikasi militer.
2.Sistem Pencitraan Inframerah:Sensitivitas tinggi wafer InSb memungkinkan pencitraan inframerah yang tepat di berbagai sektor, termasuk keamanan, pengawasan, dan penelitian ilmiah.
3. Elektronik Kecepatan Tinggi:Karena mobilitas elektronnya yang tinggi, wafer ini digunakan dalam perangkat elektronik canggih seperti transistor berkecepatan tinggi dan perangkat optoelektronik.
4.Perangkat Sumur Kuantum:Wafer InSb ideal untuk aplikasi sumur kuantum dalam laser, detektor, dan sistem optoelektronik lainnya.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci
Diameter	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Ketebalan	500±5μm	650±5μm
Permukaan	Dipoles/Terukir	Dipoles/Terukir
Jenis Doping	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)
Orientasi	100, 111	100, 111
Kemasan	Lajang	Lajang
Siap Epi	Ya	Ya

Parameter Listrik untuk Te Doped (Tipe-N):

Mobilitas: 2000-5000 cm²/V·s
Resistivitas: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Parameter Listrik untuk Ge Doped (Tipe-P):

Mobilitas: 4000-8000 cm²/V·s
Resistivitas: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Q&A (Pertanyaan yang Sering Diajukan)

Q1: Apa jenis doping yang ideal untuk aplikasi deteksi inframerah?

Sebuah nomor 1:Te-doped (tipe-N)wafer biasanya merupakan pilihan ideal untuk aplikasi deteksi inframerah, karena menawarkan mobilitas elektron tinggi dan kinerja luar biasa dalam detektor inframerah panjang gelombang menengah (MWIR) dan sistem pencitraan.

Q2: Dapatkah saya menggunakan wafer ini untuk aplikasi elektronik berkecepatan tinggi?

A2: Ya, wafer InSb, terutama yang memilikiDoping tipe-Ndan100 orientasi, sangat cocok untuk elektronik berkecepatan tinggi seperti transistor, perangkat sumur kuantum, dan komponen optoelektronik karena mobilitas elektronnya yang tinggi.

Q3: Apa perbedaan antara orientasi 100 dan 111 untuk wafer InSb?

A3: Itu100orientasi umumnya digunakan untuk perangkat yang membutuhkan kinerja elektronik berkecepatan tinggi, sedangkan111Orientasi sering digunakan untuk aplikasi spesifik yang memerlukan karakteristik listrik atau optik yang berbeda, termasuk perangkat optoelektronik dan sensor tertentu.

Q4: Apa pentingnya fitur Epi-Ready untuk wafer InSb?

A4: ItuSiap EpiFitur ini berarti wafer telah diolah terlebih dahulu untuk proses deposisi epitaksial. Hal ini penting untuk aplikasi yang membutuhkan pertumbuhan lapisan material tambahan di atas wafer, seperti dalam produksi semikonduktor canggih atau perangkat optoelektronik.

Q5: Apa saja aplikasi khas wafer InSb di bidang teknologi inframerah?

A5: Wafer InSb terutama digunakan dalam deteksi inframerah, pencitraan termal, sistem penglihatan malam, dan teknologi penginderaan inframerah lainnya. Sensitivitasnya yang tinggi dan noise yang rendah menjadikannya ideal untukinframerah panjang gelombang menengah (MWIR)detektor.

Q6: Bagaimana ketebalan wafer mempengaruhi kinerjanya?

A6: Ketebalan wafer memainkan peran penting dalam stabilitas mekanis dan karakteristik listriknya. Wafer yang lebih tipis sering digunakan dalam aplikasi yang lebih sensitif yang membutuhkan kontrol presisi atas sifat material, sementara wafer yang lebih tebal memberikan daya tahan yang lebih baik untuk aplikasi industri tertentu.

Q7: Bagaimana cara memilih ukuran wafer yang tepat untuk aplikasi saya?

A7: Ukuran wafer yang tepat bergantung pada perangkat atau sistem spesifik yang sedang dirancang. Wafer yang lebih kecil (2 inci) sering digunakan untuk penelitian dan aplikasi skala kecil, sementara wafer yang lebih besar (3 inci) biasanya digunakan untuk produksi massal dan perangkat yang lebih besar yang membutuhkan lebih banyak material.

Kesimpulan

Wafer InSb di2 inciDan3 inciukuran, dengantidak didoping, Tipe-N, DanTipe Pvariasi, sangat berharga dalam aplikasi semikonduktor dan optoelektronik, terutama dalam sistem deteksi inframerah.100Dan111Orientasinya memberikan fleksibilitas untuk berbagai kebutuhan teknologi, mulai dari elektronik berkecepatan tinggi hingga sistem pencitraan inframerah. Dengan mobilitas elektronnya yang luar biasa, noise yang rendah, dan kualitas permukaan yang presisi, wafer ini ideal untukdetektor inframerah panjang gelombang menengahdan aplikasi berkinerja tinggi lainnya.