Wafer Indium Antimonide (InSb) tipe N tipe P Epi siap tanpa doping Te doping atau Ge doping ketebalan 2 inci 3 inci 4 inci Wafer Indium Antimonide (InSb)

Deskripsi Singkat:

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan komponen kunci dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik berkinerja tinggi. Wafer ini tersedia dalam berbagai jenis, termasuk tipe-N, tipe-P, dan tanpa doping, serta dapat didoping dengan unsur-unsur seperti Telurium (Te) atau Germanium (Ge). Wafer InSb banyak digunakan dalam deteksi inframerah, transistor berkecepatan tinggi, perangkat sumur kuantum, dan aplikasi khusus lainnya karena mobilitas elektronnya yang sangat baik dan celah pita yang sempit. Wafer ini tersedia dalam berbagai diameter seperti 2 inci, 3 inci, dan 4 inci, dengan kontrol ketebalan yang presisi dan permukaan poles/terukir berkualitas tinggi.

Kirim email ke kami

Fitur

Opsi Doping:
1.Tidak didoping:Wafer ini bebas dari bahan doping apa pun, sehingga ideal untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaksial.
2.Te Doped (Tipe-N):Doping telurium (Te) umumnya digunakan untuk membuat wafer tipe-N, yang ideal untuk aplikasi seperti detektor inframerah dan elektronik berkecepatan tinggi.
3.Ge Doped (Tipe P):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk membuat wafer tipe-P, menawarkan mobilitas lubang tinggi untuk aplikasi semikonduktor tingkat lanjut.

Pilihan Ukuran:
1. Tersedia dalam diameter 2 inci, 3 inci, dan 4 inci. Wafer ini memenuhi berbagai kebutuhan teknologi, mulai dari penelitian dan pengembangan hingga manufaktur skala besar.
2. Toleransi diameter yang tepat memastikan konsistensi di seluruh batch, dengan diameter 50,8±0,3 mm (untuk wafer 2 inci) dan 76,2±0,3 mm (untuk wafer 3 inci).

Kontrol Ketebalan:
1. Wafer tersedia dengan ketebalan 500±5μm untuk kinerja optimal dalam berbagai aplikasi.
2.Pengukuran tambahan seperti TTV (Total Thickness Variation), BOW, dan Warp dikontrol dengan cermat untuk memastikan keseragaman dan kualitas tinggi.

Kualitas Permukaan:
1. Wafer dilengkapi dengan permukaan yang dipoles/terukir untuk meningkatkan kinerja optik dan listrik.
2. Permukaan ini ideal untuk pertumbuhan epitaksial, menawarkan dasar yang halus untuk pemrosesan lebih lanjut pada perangkat berkinerja tinggi.

Siap Epi:
1. Wafer InSb siap untuk proses epitaksial, artinya telah diolah terlebih dahulu untuk proses deposisi epitaksial. Hal ini menjadikannya ideal untuk aplikasi manufaktur semikonduktor di mana lapisan epitaksial perlu ditumbuhkan di atas wafer.

Aplikasi

1. Detektor Inframerah:Wafer InSb umumnya digunakan dalam deteksi inframerah (IR), terutama pada rentang inframerah panjang gelombang menengah (MWIR). Wafer ini penting untuk aplikasi penglihatan malam, pencitraan termal, dan spektroskopi inframerah.

2. Elektronik Kecepatan Tinggi:Karena mobilitas elektronnya yang tinggi, wafer InSb digunakan dalam perangkat elektronik berkecepatan tinggi seperti transistor frekuensi tinggi, perangkat sumur kuantum, dan transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT).

3.Perangkat Sumur Kuantum:Celah pita yang sempit dan mobilitas elektron yang sangat baik membuat wafer InSb cocok untuk digunakan dalam perangkat sumur kuantum. Perangkat ini merupakan komponen kunci dalam laser, detektor, dan sistem optoelektronik lainnya.

4.Perangkat Spintronik:InSb juga sedang dieksplorasi dalam aplikasi spintronik, di mana spin elektron digunakan untuk pemrosesan informasi. Kopling spin-orbit yang rendah pada material ini menjadikannya ideal untuk perangkat berkinerja tinggi ini.

5.Aplikasi Radiasi Terahertz (THz):Perangkat berbasis InSb digunakan dalam aplikasi radiasi THz, termasuk penelitian ilmiah, pencitraan, dan karakterisasi material. Perangkat ini memungkinkan teknologi canggih seperti spektroskopi THz dan sistem pencitraan THz.

6.Perangkat Termoelektrik:Sifat unik InSb menjadikannya material yang menarik untuk aplikasi termoelektrik, yang dapat digunakan untuk mengubah panas menjadi listrik secara efisien, terutama dalam aplikasi khusus seperti teknologi luar angkasa atau pembangkitan daya di lingkungan ekstrem.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci	4 inci
Diameter	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm	-
Ketebalan	500±5μm	650±5μm	-
Permukaan	Dipoles/Terukir	Dipoles/Terukir	Dipoles/Terukir
Jenis Doping	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)
Orientasi	(100)	(100)	(100)
Kemasan	Lajang	Lajang	Lajang
Siap Epi	Ya	Ya	Ya

Parameter Listrik untuk Te Doped (Tipe-N):

Mobilitas: 2000-5000 cm²/V·s
Resistivitas: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Parameter Listrik untuk Ge Doped (Tipe P):

Mobilitas: 4000-8000 cm²/V·s
Resistivitas: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Kesimpulan

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan material penting untuk berbagai aplikasi berkinerja tinggi di bidang elektronika, optoelektronika, dan teknologi inframerah. Dengan mobilitas elektronnya yang sangat baik, kopling spin-orbit yang rendah, dan beragam pilihan doping (Te untuk tipe-N, Ge untuk tipe-P), wafer InSb ideal untuk digunakan dalam perangkat seperti detektor inframerah, transistor berkecepatan tinggi, perangkat sumur kuantum, dan perangkat spintronik.

Wafer ini tersedia dalam berbagai ukuran (2 inci, 3 inci, dan 4 inci), dengan kontrol ketebalan yang presisi dan permukaan yang siap untuk epi, memastikan bahwa wafer ini memenuhi tuntutan ketat fabrikasi semikonduktor modern. Wafer ini sempurna untuk aplikasi di bidang-bidang seperti deteksi inframerah, elektronik berkecepatan tinggi, dan radiasi THz, yang memungkinkan teknologi canggih dalam penelitian, industri, dan pertahanan.