Wafer Indium Antimonida (InSb) tipe N tipe P siap pakai Epi tanpa doping dengan doping Te atau Ge ketebalan 2 inci 3 inci 4 inci Wafer Indium Antimonida (InSb)

Wafer Indium Antimonida (InSb) tipe N, tipe P, siap pakai Epi, tanpa doping, didoping Te atau didoping Ge, ketebalan 2 inci, 3 inci, 4 inci. Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan komponen kunci dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik berkinerja tinggi. Wafer ini tersedia dalam berbagai jenis, termasuk tipe N, tipe P, dan tanpa doping, serta dapat didoping dengan unsur-unsur seperti Tellurium (Te) atau Germanium (Ge). Wafer InSb banyak digunakan dalam deteksi inframerah, transistor berkecepatan tinggi, perangkat sumur kuantum, dan aplikasi khusus lainnya karena mobilitas elektronnya yang sangat baik dan celah pita yang sempit. Wafer tersedia dalam berbagai diameter seperti 2 inci, 3 inci, dan 4 inci, dengan kontrol ketebalan yang presisi dan permukaan yang dipoles/diukir berkualitas tinggi.

Kirim email kepada kami

Fitur

Pilihan Doping:
1. Tidak Didoping:Wafer ini bebas dari zat pendoping apa pun, sehingga ideal untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaksial.
2. Doping Te (Tipe-N):Doping Tellurium (Te) umumnya digunakan untuk membuat wafer tipe N, yang ideal untuk aplikasi seperti detektor inframerah dan elektronik berkecepatan tinggi.
3. Doping Ge (Tipe P):Doping germanium (Ge) digunakan untuk membuat wafer tipe P, yang menawarkan mobilitas lubang tinggi untuk aplikasi semikonduktor canggih.

Pilihan Ukuran:
1. Tersedia dalam diameter 2 inci, 3 inci, dan 4 inci. Wafer ini memenuhi berbagai kebutuhan teknologi, mulai dari penelitian dan pengembangan hingga manufaktur skala besar.
2. Toleransi diameter yang tepat memastikan konsistensi antar batch, dengan diameter 50,8±0,3mm (untuk wafer 2 inci) dan 76,2±0,3mm (untuk wafer 3 inci).

Kontrol Ketebalan:
1. Wafer tersedia dengan ketebalan 500±5μm untuk performa optimal dalam berbagai aplikasi.
2. Pengukuran tambahan seperti TTV (Total Thickness Variation), BOW, dan Warp dikontrol dengan cermat untuk memastikan keseragaman dan kualitas yang tinggi.

Kualitas Permukaan:
1. Wafer tersebut memiliki permukaan yang dipoles/diukir untuk meningkatkan kinerja optik dan listrik.
2. Permukaan ini ideal untuk pertumbuhan epitaksial, menawarkan dasar yang halus untuk pemrosesan lebih lanjut dalam perangkat berkinerja tinggi.

Siap untuk Epi:
1. Wafer InSb sudah siap untuk proses epitaksi, artinya sudah diberi perlakuan awal untuk proses pengendapan epitaksi. Hal ini menjadikannya ideal untuk aplikasi dalam manufaktur semikonduktor di mana lapisan epitaksi perlu ditumbuhkan di atas wafer.

Aplikasi

1. Detektor Inframerah:Wafer InSb umumnya digunakan dalam deteksi inframerah (IR), khususnya dalam rentang inframerah panjang gelombang menengah (MWIR). Wafer ini sangat penting untuk aplikasi penglihatan malam, pencitraan termal, dan spektroskopi inframerah.

2. Elektronik Kecepatan Tinggi:Karena mobilitas elektronnya yang tinggi, wafer InSb digunakan dalam perangkat elektronik berkecepatan tinggi seperti transistor frekuensi tinggi, perangkat sumur kuantum, dan transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT).

3. Perangkat Sumur Kuantum:Celahan pita yang sempit dan mobilitas elektron yang sangat baik menjadikan wafer InSb cocok untuk digunakan dalam perangkat sumur kuantum. Perangkat ini merupakan komponen kunci dalam laser, detektor, dan sistem optoelektronik lainnya.

4. Perangkat Spintronik:InSb juga sedang dieksplorasi dalam aplikasi spintronik, di mana putaran elektron digunakan untuk pemrosesan informasi. Kopling spin-orbit material yang rendah menjadikannya ideal untuk perangkat berkinerja tinggi ini.

5. Aplikasi Radiasi Terahertz (THz):Perangkat berbasis InSb digunakan dalam aplikasi radiasi THz, termasuk penelitian ilmiah, pencitraan, dan karakterisasi material. Perangkat ini memungkinkan teknologi canggih seperti spektroskopi THz dan sistem pencitraan THz.

6. Perangkat Termoelektrik:Sifat unik InSb menjadikannya material yang menarik untuk aplikasi termoelektrik, di mana ia dapat digunakan untuk mengubah panas menjadi listrik secara efisien, terutama dalam aplikasi khusus seperti teknologi luar angkasa atau pembangkit listrik di lingkungan ekstrem.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci	4 inci
Diameter	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm	-
Ketebalan	500±5μm	650±5μm	-
Permukaan	Dipoles/Diukir	Dipoles/Diukir	Dipoles/Diukir
Jenis Doping	Tidak didoping, didoping Te (N), didoping Ge (P)	Tidak didoping, didoping Te (N), didoping Ge (P)	Tidak didoping, didoping Te (N), didoping Ge (P)
Orientasi	(100)	(100)	(100)
Kemasan	Lajang	Lajang	Lajang
Siap untuk Epi	Ya	Ya	Ya

Parameter Listrik untuk Te Doped (Tipe-N):

Mobilitas: 2000-5000 cm²/V·s
Resistivitas: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Parameter Listrik untuk Ge Doped (Tipe-P):

Mobilitas: 4000-8000 cm²/V·s
Resistivitas: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Kesimpulan

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan material penting untuk berbagai aplikasi berkinerja tinggi di bidang elektronik, optoelektronik, dan teknologi inframerah. Dengan mobilitas elektron yang sangat baik, kopling spin-orbit yang rendah, dan berbagai pilihan doping (Te untuk tipe-N, Ge untuk tipe-P), wafer InSb ideal untuk digunakan dalam perangkat seperti detektor inframerah, transistor berkecepatan tinggi, perangkat sumur kuantum, dan perangkat spintronik.

Wafer tersedia dalam berbagai ukuran (2 inci, 3 inci, dan 4 inci), dengan kontrol ketebalan yang presisi dan permukaan siap pakai untuk epitaksi, memastikan bahwa wafer tersebut memenuhi tuntutan ketat fabrikasi semikonduktor modern. Wafer ini sangat cocok untuk aplikasi di bidang seperti deteksi IR, elektronik kecepatan tinggi, dan radiasi THz, memungkinkan teknologi canggih dalam penelitian, industri, dan pertahanan.