Wafer Indium Antimonide (InSb) tipe N tipe P Epi siap tanpa doping Te doping atau Ge doping ketebalan 2 inci 3 inci 4 inci Wafer Indium Antimonide (InSb)

Deskripsi Singkat:

Wafer Indium Antimonide (InSb) merupakan komponen utama dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik berkinerja tinggi. Wafer ini tersedia dalam berbagai jenis, termasuk tipe-N, tipe-P, dan tanpa doping, serta dapat didoping dengan unsur-unsur seperti Tellurium (Te) atau Germanium (Ge). Wafer InSb banyak digunakan dalam deteksi inframerah, transistor berkecepatan tinggi, perangkat sumur kuantum, dan aplikasi khusus lainnya karena mobilitas elektronnya yang sangat baik dan celah pita yang sempit. Wafer tersedia dalam berbagai diameter seperti 2 inci, 3 inci, dan 4 inci, dengan kontrol ketebalan yang presisi dan permukaan yang dipoles/diukir berkualitas tinggi.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Fitur

Opsi Doping:
1. Tidak didoping:Wafer ini bebas dari zat doping apa pun, membuatnya ideal untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaksial.
2.Te Doped (Tipe N):Doping telurium (Te) umumnya digunakan untuk membuat wafer tipe-N, yang ideal untuk aplikasi seperti detektor inframerah dan elektronik berkecepatan tinggi.
3.Ge Doped (Tipe P):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk membuat wafer tipe-P, menawarkan mobilitas lubang tinggi untuk aplikasi semikonduktor tingkat lanjut.

Pilihan Ukuran:
1. Tersedia dalam diameter 2 inci, 3 inci, dan 4 inci. Wafer ini memenuhi berbagai kebutuhan teknologi, mulai dari penelitian dan pengembangan hingga produksi skala besar.
2. Toleransi diameter yang tepat memastikan konsistensi di seluruh batch, dengan diameter 50,8±0,3 mm (untuk wafer 2 inci) dan 76,2±0,3 mm (untuk wafer 3 inci).

Kontrol Ketebalan:
1. Wafer tersedia dengan ketebalan 500±5μm untuk kinerja optimal dalam berbagai aplikasi.
2.Pengukuran tambahan seperti TTV (Total Thickness Variation), BOW, dan Warp dikontrol dengan cermat untuk memastikan keseragaman dan kualitas tinggi.

Kualitas Permukaan:
1. Wafer dilengkapi dengan permukaan yang dipoles/terukir untuk meningkatkan kinerja optik dan listrik.
2. Permukaan ini ideal untuk pertumbuhan epitaksial, menawarkan dasar yang halus untuk pemrosesan lebih lanjut pada perangkat berkinerja tinggi.

Siap Epi:
1. Wafer InSb bersifat epi-ready, artinya wafer tersebut telah diolah terlebih dahulu untuk proses pengendapan epitaksial. Hal ini membuatnya ideal untuk aplikasi dalam manufaktur semikonduktor di mana lapisan epitaksial perlu ditumbuhkan di atas wafer.

Aplikasi

1. Detektor Inframerah:Wafer InSb umumnya digunakan dalam deteksi inframerah (IR), khususnya dalam rentang inframerah panjang gelombang menengah (MWIR). Wafer ini penting untuk aplikasi penglihatan malam, pencitraan termal, dan spektroskopi inframerah.

2. Elektronik Berkecepatan Tinggi:Karena mobilitas elektronnya yang tinggi, wafer InSb digunakan dalam perangkat elektronik berkecepatan tinggi seperti transistor frekuensi tinggi, perangkat sumur kuantum, dan transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT).

3.Perangkat Sumur Kuantum:Celah pita yang sempit dan mobilitas elektron yang sangat baik membuat wafer InSb cocok untuk digunakan dalam perangkat sumur kuantum. Perangkat ini merupakan komponen utama dalam laser, detektor, dan sistem optoelektronik lainnya.

4.Perangkat Spintronik:InSb juga sedang dieksplorasi dalam aplikasi spintronik, di mana spin elektron digunakan untuk pemrosesan informasi. Kopling spin-orbit rendah pada material ini membuatnya ideal untuk perangkat berkinerja tinggi ini.

5. Aplikasi Radiasi Terahertz (THz):Perangkat berbasis InSb digunakan dalam aplikasi radiasi THz, termasuk penelitian ilmiah, pencitraan, dan karakterisasi material. Perangkat ini memungkinkan teknologi canggih seperti spektroskopi THz dan sistem pencitraan THz.

6.Perangkat Termoelektrik:Sifat-sifat InSb yang unik menjadikannya material yang menarik untuk aplikasi termoelektrik, yang dapat digunakan untuk mengubah panas menjadi listrik secara efisien, terutama dalam aplikasi khusus seperti teknologi ruang angkasa atau pembangkitan listrik di lingkungan ekstrem.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci	4 inci
Diameter	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm	-
Ketebalan	Ukuran 500±5 mikrometer	Ukuran 650±5 mikrometer	-
Permukaan	Dipoles/Terukir	Dipoles/Terukir	Dipoles/Terukir
Jenis Doping	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)	Tidak terdoping, Terdoping Te (N), Terdoping Ge (P)
Orientasi	(100)	(100)	(100)
Kemasan	Lajang	Lajang	Lajang
Siap Epi	Ya	Ya	Ya

Parameter Listrik untuk Te Doped (Tipe-N):

Mobilitas: 2000-5000 cm²/V·s
Resistivitas: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Parameter Listrik untuk Ge Doped (Tipe P):

Mobilitas: 4000-8000 cm²/V·s
Resistivitas: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Kepadatan Cacat): ≤2000 cacat/cm²

Kesimpulan

Wafer Indium Antimonide (InSb) merupakan material penting untuk berbagai aplikasi berkinerja tinggi di bidang elektronik, optoelektronik, dan teknologi inframerah. Dengan mobilitas elektron yang sangat baik, kopling spin-orbit yang rendah, dan berbagai pilihan doping (Te untuk tipe-N, Ge untuk tipe-P), wafer InSb ideal untuk digunakan dalam perangkat seperti detektor inframerah, transistor berkecepatan tinggi, perangkat sumur kuantum, dan perangkat spintronik.

Wafer tersedia dalam berbagai ukuran (2 inci, 3 inci, dan 4 inci), dengan kontrol ketebalan yang presisi dan permukaan yang siap untuk epi, memastikan bahwa wafer tersebut memenuhi tuntutan ketat fabrikasi semikonduktor modern. Wafer ini sangat cocok untuk aplikasi di bidang seperti deteksi IR, elektronik berkecepatan tinggi, dan radiasi THz, yang memungkinkan teknologi canggih dalam penelitian, industri, dan pertahanan.