Wafer HPSI SiCOI 4 6 inci Ikatan Hidrofobik

Deskripsi Singkat:

Wafer 4H-SiCOI semi-isolasi kemurnian tinggi (HPSI) dikembangkan menggunakan teknologi pengikatan dan pengenceran canggih. Wafer ini dibuat dengan mengikat substrat silikon karbida 4H HPSI ke lapisan oksida termal melalui dua metode utama: pengikatan hidrofilik (langsung) dan pengikatan aktivasi permukaan. Metode aktivasi permukaan memperkenalkan lapisan antara yang dimodifikasi (seperti silikon amorf, aluminium oksida, atau titanium oksida) untuk meningkatkan kualitas ikatan dan mengurangi gelembung, terutama cocok untuk aplikasi optik. Kontrol ketebalan lapisan silikon karbida dicapai melalui SmartCut berbasis implantasi ion atau proses penggilingan dan pemolesan CMP. SmartCut menawarkan keseragaman ketebalan presisi tinggi (50 nm–900 nm dengan keseragaman ±20 nm) tetapi dapat menyebabkan kerusakan kristal ringan akibat implantasi ion, yang memengaruhi kinerja perangkat optik. Penggilingan dan pemolesan CMP menghindari kerusakan material dan lebih disukai untuk film yang lebih tebal (350 nm–500 µm) dan aplikasi kuantum atau PIC, meskipun dengan keseragaman ketebalan yang lebih rendah (±100 nm). Wafer standar 6 inci memiliki lapisan SiC 1 µm ±0,1 µm pada lapisan SiO2 3 µm di atas substrat Si 675 µm dengan kehalusan permukaan yang luar biasa (Rq < 0,2 nm). Wafer HPSI SiCOI ini memenuhi kebutuhan manufaktur MEMS, PIC, kuantum, dan perangkat optik dengan kualitas material dan fleksibilitas proses yang sangat baik.

Kirim email ke kami

Fitur

Ikhtisar Sifat Wafer SiCOI (Silikon Karbida pada Isolator)

Wafer SiCOI adalah substrat semikonduktor generasi baru yang menggabungkan Silikon Karbida (SiC) dengan lapisan isolasi, seringkali SiO₂ atau safir, untuk meningkatkan kinerja dalam elektronika daya, RF, dan fotonik. Berikut ini adalah ikhtisar detail propertinya yang dikategorikan ke dalam beberapa bagian utama:

Milik	Keterangan
Komposisi Bahan	Lapisan Silikon Karbida (SiC) yang diikat pada substrat isolasi (biasanya SiO₂ atau safir)
Struktur Kristal	Biasanya politipe SiC 4H atau 6H, dikenal karena kualitas kristal dan keseragamannya yang tinggi
Sifat Listrik	Medan listrik tembus tinggi (~3 MV/cm), celah pita lebar (~3,26 eV untuk 4H-SiC), arus bocor rendah
Konduktivitas Termal	Konduktivitas termal tinggi (~300 W/m·K), memungkinkan pembuangan panas yang efisien
Lapisan Dielektrik	Lapisan isolasi (SiO₂ atau safir) memberikan isolasi listrik dan mengurangi kapasitansi parasit
Sifat Mekanik	Kekerasan tinggi (~9 skala Mohs), kekuatan mekanik yang sangat baik, dan stabilitas termal
Permukaan Akhir	Biasanya sangat halus dengan kepadatan cacat rendah, cocok untuk fabrikasi perangkat
Aplikasi	Elektronika daya, perangkat MEMS, perangkat RF, sensor yang memerlukan toleransi suhu dan tegangan tinggi

Wafer SiCOI (Silicon Carbide-on-Insulator) merupakan struktur substrat semikonduktor canggih, terdiri dari lapisan tipis silikon karbida (SiC) berkualitas tinggi yang terikat pada lapisan isolasi, biasanya silikon dioksida (SiO₂) atau safir. Silikon karbida adalah semikonduktor dengan celah pita lebar yang dikenal karena kemampuannya menahan tegangan tinggi dan suhu tinggi, serta konduktivitas termal yang sangat baik dan kekerasan mekanis yang superior, sehingga ideal untuk aplikasi elektronik berdaya tinggi, berfrekuensi tinggi, dan bersuhu tinggi.

Lapisan isolasi pada wafer SiCOI memberikan isolasi listrik yang efektif, secara signifikan mengurangi kapasitansi parasit dan arus bocor antar perangkat, sehingga meningkatkan kinerja dan keandalan perangkat secara keseluruhan. Permukaan wafer dipoles secara presisi untuk mencapai kehalusan ultra dengan cacat minimal, memenuhi persyaratan ketat fabrikasi perangkat skala mikro dan nano.

Struktur material ini tidak hanya meningkatkan karakteristik kelistrikan perangkat SiC, tetapi juga meningkatkan manajemen termal dan stabilitas mekanis secara signifikan. Oleh karena itu, wafer SiCOI banyak digunakan dalam elektronika daya, komponen frekuensi radio (RF), sensor sistem mikroelektromekanis (MEMS), dan elektronika suhu tinggi. Secara keseluruhan, wafer SiCOI menggabungkan sifat fisik silikon karbida yang luar biasa dengan manfaat isolasi listrik dari lapisan isolator, memberikan fondasi ideal untuk perangkat semikonduktor berkinerja tinggi generasi mendatang.

Aplikasi wafer SiCOI

Perangkat Elektronika Daya

Sakelar tegangan tinggi dan daya tinggi, MOSFET, dan dioda

Manfaatkan celah pita SiC yang lebar, tegangan tembus yang tinggi, dan stabilitas termal

Mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi dalam sistem konversi daya

Komponen Frekuensi Radio (RF)

Transistor dan amplifier frekuensi tinggi

Kapasitansi parasit rendah karena lapisan isolasi meningkatkan kinerja RF

Cocok untuk sistem komunikasi dan radar 5G

Sistem Mikroelektromekanik (MEMS)

Sensor dan aktuator yang beroperasi di lingkungan yang keras

Ketahanan mekanis dan kelembaman kimia memperpanjang umur perangkat

Termasuk sensor tekanan, akselerometer, dan giroskop

Elektronik Suhu Tinggi

Elektronik untuk aplikasi otomotif, kedirgantaraan, dan industri

Beroperasi dengan andal pada suhu tinggi di mana silikon gagal

Perangkat Fotonik

Integrasi dengan komponen optoelektronik pada substrat isolator

Memungkinkan fotonik pada chip dengan manajemen termal yang ditingkatkan

Tanya Jawab wafer SiCOI

Q:apa itu wafer SiCOI

A:Wafer SiCOI adalah singkatan dari Silicon Carbide-on-Insulator wafer. Ini adalah jenis substrat semikonduktor di mana lapisan tipis silikon karbida (SiC) diikatkan pada lapisan isolasi, biasanya silikon dioksida (SiO₂) atau terkadang safir. Struktur ini memiliki konsep yang mirip dengan wafer Silicon-on-Insulator (SOI) yang umum dikenal, tetapi menggunakan SiC, bukan silikon.