GaN pada Kaca 4 Inci: Opsi Kaca yang Dapat Disesuaikan Termasuk JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa

Deskripsi Singkat:

KitaWafer GaN on Glass 4 Inci menawarkan kemampuan kustomisasi.Opsi substrat kaca termasuk JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa, dirancang untuk berbagai aplikasi dalam optoelektronik, perangkat daya tinggi, dan sistem fotonik. Gallium Nitride (GaN) adalah semikonduktor celah pita lebar yang memberikan kinerja luar biasa di lingkungan suhu tinggi dan frekuensi tinggi. Ketika ditumbuhkan pada substrat kaca, GaN menawarkan sifat mekanik yang luar biasa, daya tahan yang ditingkatkan, dan produksi yang hemat biaya untuk aplikasi mutakhir. Wafer ini ideal untuk digunakan dalam LED, dioda laser, fotodetektor, dan perangkat optoelektronik lainnya yang membutuhkan kinerja termal dan listrik yang tinggi. Dengan opsi kaca yang disesuaikan, wafer GaN-on-glass kami menyediakan solusi serbaguna dan berkinerja tinggi untuk memenuhi kebutuhan industri elektronik dan fotonik modern.

Kirim email kepada kami

Fitur

●Celah Pita Lebar:GaN memiliki celah pita energi sebesar 3,4 eV, yang memungkinkan efisiensi lebih tinggi dan daya tahan lebih besar dalam kondisi tegangan tinggi dan suhu tinggi dibandingkan dengan material semikonduktor tradisional seperti silikon.
●Substrat Kaca yang Dapat Disesuaikan:Tersedia dengan pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa untuk memenuhi berbagai kebutuhan kinerja termal, mekanis, dan optik.
●Konduktivitas Termal Tinggi:Konduktivitas termal GaN yang tinggi memastikan pembuangan panas yang efektif, sehingga wafer ini ideal untuk aplikasi daya dan perangkat yang menghasilkan panas tinggi.
●Tegangan Tembus Tinggi:Kemampuan GaN untuk menahan tegangan tinggi membuat wafer ini cocok untuk transistor daya dan aplikasi frekuensi tinggi.
●Kekuatan Mekanik yang Sangat Baik:Substrat kaca, dikombinasikan dengan sifat-sifat GaN, memberikan kekuatan mekanik yang kokoh, meningkatkan daya tahan wafer di lingkungan yang menuntut.
●Pengurangan Biaya Produksi:Dibandingkan dengan wafer GaN-on-Silicon atau GaN-on-Sapphire tradisional, GaN-on-glass merupakan solusi yang lebih hemat biaya untuk produksi perangkat berkinerja tinggi dalam skala besar.
●Sifat Optik yang Disesuaikan:Berbagai pilihan kaca memungkinkan penyesuaian karakteristik optik wafer, sehingga cocok untuk aplikasi di bidang optoelektronik dan fotonik.

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Ukuran Wafer	4 inci
Pilihan Substrat Kaca	JGS1, JGS2, BF33, Kuarsa Biasa
Ketebalan Lapisan GaN	100 nm – 5000 nm (dapat disesuaikan)
GaN Bandgap	3,4 eV (celah pita lebar)
Tegangan Rusak	Hingga 1200V
Konduktivitas Termal	1,3 – 2,1 W/cm·K
Mobilitas Elektron	2000 cm²/V·s
Kekasaran Permukaan Wafer	RMS ~0,25 nm (AFM)
Resistansi Lembaran GaN	437,9 Ω·cm²
Resistivitas	Semi-isolasi, tipe N, tipe P (dapat disesuaikan)
Transmisi Optik	>80% untuk panjang gelombang tampak dan UV
Lengkungan Wafer	< 25 µm (maksimum)
Lapisan Permukaan	SSP (dipoles satu sisi)

Aplikasi

Optoelektronik:
Wafer GaN-on-glass banyak digunakan dalamLEDDandioda laserkarena efisiensi dan kinerja optik GaN yang tinggi. Kemampuan untuk memilih substrat kaca sepertiJGS1DanJGS2Memungkinkan penyesuaian transparansi optik, sehingga ideal untuk daya tinggi dan kecerahan tinggi.LED biru/hijauDanLaser UV.

Fotonika:
Wafer GaN-on-glass sangat ideal untukfotodetektor, sirkuit terpadu fotonik (PIC), Dansensor optikSifat transmisi cahaya yang sangat baik dan stabilitas tinggi dalam aplikasi frekuensi tinggi membuat mereka cocok untukkomunikasiDanteknologi sensor.

Elektronik Daya:
Karena memiliki celah pita yang lebar dan tegangan tembus yang tinggi, wafer GaN-on-glass digunakan dalamtransistor daya tinggiDankonversi daya frekuensi tinggiKemampuan GaN untuk menangani tegangan tinggi dan pembuangan panas membuatnya sempurna untuk...penguat daya, Transistor daya RF, Danelektronika dayadalam aplikasi industri dan konsumen.

Aplikasi Frekuensi Tinggi:
Wafer GaN-on-glass menunjukkan kinerja yang sangat baik.mobilitas elektrondan dapat beroperasi pada kecepatan switching yang tinggi, sehingga ideal untukperangkat daya frekuensi tinggi, perangkat gelombang mikro, DanPenguat RFIni adalah komponen penting dalamSistem komunikasi 5G, sistem radar, Dankomunikasi satelit.

Aplikasi Otomotif:
Wafer GaN-on-glass juga digunakan dalam sistem tenaga otomotif, khususnya padapengisi daya onboard (OBC)DanKonverter DC-DCuntuk kendaraan listrik (EV). Kemampuan wafer untuk menangani suhu dan tegangan tinggi memungkinkan penggunaannya dalam elektronik daya untuk EV, menawarkan efisiensi dan keandalan yang lebih besar.

Alat kesehatan:
Sifat-sifat GaN juga menjadikannya material yang menarik untuk digunakan dalampencitraan medisDansensor biomedisKemampuannya untuk beroperasi pada tegangan tinggi dan ketahanannya terhadap radiasi menjadikannya ideal untuk aplikasi diperalatan diagnostikDanlaser medis.

Tanya Jawab

Q1: Mengapa GaN-on-glass merupakan pilihan yang baik dibandingkan dengan GaN-on-Silicon atau GaN-on-Sapphire?

A1:GaN-on-glass menawarkan beberapa keunggulan, termasuk:efektivitas biayaDanmanajemen termal yang lebih baikMeskipun GaN-on-Silicon dan GaN-on-Sapphire memberikan kinerja yang sangat baik, substrat kaca lebih murah, lebih mudah didapatkan, dan dapat disesuaikan dalam hal sifat optik dan mekanik. Selain itu, wafer GaN-on-glass memberikan kinerja yang sangat baik dalam kedua aspek tersebut.optikDanaplikasi elektronik daya tinggi.

Q2: Apa perbedaan antara pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33, dan kaca kuarsa biasa?

A2:

JGS1DanJGS2adalah substrat kaca optik berkualitas tinggi yang dikenal karenatransparansi optik tinggiDanekspansi termal rendah, sehingga menjadikannya ideal untuk perangkat fotonik dan optoelektronik.
BF33kaca menawarkanindeks bias yang lebih tinggidan sangat ideal untuk aplikasi yang membutuhkan peningkatan kinerja optik, sepertidioda laser.
Kuarsa Biasamemberikan kualitas tinggistabilitas termalDanketahanan terhadap radiasi, sehingga cocok untuk aplikasi suhu tinggi dan lingkungan yang keras.

Q3: Dapatkah saya menyesuaikan resistivitas dan jenis doping untuk wafer GaN-on-glass?

A3:Ya, kami menawarkanresistivitas yang dapat disesuaikanDanjenis doping(Tipe N atau tipe P) untuk wafer GaN-on-glass. Fleksibilitas ini memungkinkan wafer disesuaikan dengan aplikasi spesifik, termasuk perangkat daya, LED, dan sistem fotonik.

Q4: Apa saja aplikasi tipikal GaN-on-glass dalam optoelektronik?

A4:Dalam bidang optoelektronik, wafer GaN-on-glass umumnya digunakan untukLED biru dan hijau, Laser UV, DanfotodetektorSifat optik kaca yang dapat disesuaikan memungkinkan pembuatan perangkat dengan kinerja tinggi.transmisi cahaya, sehingga menjadikannya ideal untuk aplikasi diteknologi tampilan, penerangan, Dansistem komunikasi optik.

Q5: Bagaimana kinerja GaN-on-glass dalam aplikasi frekuensi tinggi?

A5:Wafer GaN-on-glass menawarkanmobilitas elektron yang sangat baik, sehingga memungkinkan mereka untuk tampil baik dalamaplikasi frekuensi tinggisepertiPenguat RF, perangkat gelombang mikro, DanSistem komunikasi 5GTegangan tembusnya yang tinggi dan kerugian switching yang rendah membuat mereka cocok untukperangkat RF daya tinggi.

Q6: Berapakah tegangan tembus tipikal dari wafer GaN-on-glass?

A6:Wafer GaN-on-glass biasanya mendukung tegangan tembus hingga1200V, sehingga cocok untukdaya tinggiDantegangan tinggiaplikasi. Celah pita lebar mereka memungkinkan mereka untuk menangani tegangan yang lebih tinggi daripada bahan semikonduktor konvensional seperti silikon.

Q7: Dapatkah wafer GaN-on-glass digunakan dalam aplikasi otomotif?

A7:Ya, wafer GaN-on-glass digunakan dalamelektronik daya otomotif, termasukKonverter DC-DCDanpengisi daya di dalam kendaraan(OBC) untuk kendaraan listrik. Kemampuannya untuk beroperasi pada suhu tinggi dan menangani tegangan tinggi menjadikannya ideal untuk aplikasi yang menuntut ini.

Kesimpulan

Wafer GaN on Glass 4-Inch kami menawarkan solusi unik dan dapat disesuaikan untuk berbagai aplikasi di bidang optoelektronik, elektronika daya, dan fotonik. Dengan pilihan substrat kaca seperti JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa, wafer ini memberikan fleksibilitas dalam sifat mekanik dan optik, memungkinkan solusi yang disesuaikan untuk perangkat daya tinggi dan frekuensi tinggi. Baik untuk LED, dioda laser, atau aplikasi RF, wafer GaN-on-glass