GaN pada Kaca 4-Inci: Pilihan Kaca yang Dapat Disesuaikan Termasuk JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa

Deskripsi Singkat:

KitaGaN pada Wafer Kaca 4-Inci menawarkan penyesuaianpilihan substrat kaca termasuk JGS1, JGS2, BF33, dan Ordinary Quartz, dirancang untuk berbagai aplikasi dalam optoelektronik, perangkat berdaya tinggi, dan sistem fotonik. Gallium Nitride (GaN) adalah semikonduktor dengan celah pita lebar yang memberikan kinerja luar biasa dalam lingkungan bersuhu tinggi dan berfrekuensi tinggi. Ketika tumbuh pada substrat kaca, GaN menawarkan sifat mekanis yang luar biasa, daya tahan yang ditingkatkan, dan produksi yang hemat biaya untuk aplikasi mutakhir. Wafer ini ideal untuk digunakan dalam LED, dioda laser, fotodetektor, dan perangkat optoelektronik lainnya yang membutuhkan kinerja termal dan listrik yang tinggi. Dengan pilihan kaca yang disesuaikan, wafer GaN-on-glass kami memberikan solusi serbaguna dan berkinerja tinggi untuk memenuhi kebutuhan industri elektronik dan fotonik modern.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Fitur

●Celah Pita Lebar:GaN memiliki celah pita 3,4 eV, yang memungkinkan efisiensi lebih tinggi dan daya tahan lebih besar dalam kondisi tegangan tinggi dan suhu tinggi dibandingkan dengan bahan semikonduktor tradisional seperti silikon.
●Substrat Kaca yang Dapat Disesuaikan:Tersedia dengan pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa untuk memenuhi berbagai persyaratan kinerja termal, mekanis, dan optik.
●Konduktivitas Termal Tinggi:Konduktivitas termal GaN yang tinggi memastikan pembuangan panas yang efektif, membuat wafer ini ideal untuk aplikasi daya dan perangkat yang menghasilkan panas tinggi.
●Tegangan Terobosan Tinggi:Kemampuan GaN untuk mempertahankan tegangan tinggi membuat wafer ini cocok untuk transistor daya dan aplikasi frekuensi tinggi.
●Kekuatan Mekanik Yang Sangat Baik:Substrat kaca, dipadukan dengan sifat-sifat GaN, memberikan kekuatan mekanis yang kuat, meningkatkan daya tahan wafer di lingkungan yang menantang.
●Mengurangi Biaya Produksi:Dibandingkan dengan wafer GaN-on-Silicon atau GaN-on-Sapphire tradisional, GaN-on-glass merupakan solusi yang lebih hemat biaya untuk produksi perangkat berkinerja tinggi dalam skala besar.
●Sifat Optik yang Disesuaikan:Berbagai pilihan kaca memungkinkan penyesuaian karakteristik optik wafer, membuatnya cocok untuk aplikasi dalam optoelektronik dan fotonik.

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Ukuran Wafer	4 inci
Opsi Substrat Kaca	JGS1, JGS2, BF33, Kuarsa Biasa
Ketebalan Lapisan GaN	100 nm – 5000 nm (dapat disesuaikan)
Celah Pita GaN	3,4 eV (celah pita lebar)
Tegangan Terobosan	Hingga 1200V
Konduktivitas Termal	1,3 – 2,1 W/cm·K
Mobilitas Elektron	2000 cm²/V·s
Kekasaran Permukaan Wafer	RMS ~0,25nm (AFM)
Resistensi Lembar GaN	437,9 Ω cm²
Resistivitas	Semi-isolasi, tipe N, tipe P (dapat disesuaikan)
Transmisi Optik	>80% untuk panjang gelombang tampak dan UV
Wafer Melengkung	< 25 µm (maksimum)
Permukaan Akhir	SSP (polesan satu sisi)

Aplikasi

Optoelektronik:
Wafer GaN-on-glass banyak digunakan dilampu LEDDandioda laserkarena efisiensi dan kinerja optik GaN yang tinggi. Kemampuan untuk memilih substrat kaca sepertiJGS1DanJGS2memungkinkan penyesuaian dalam transparansi optik, menjadikannya ideal untuk daya tinggi, kecerahan tinggiLED biru/hijauDansinar laser.

Fotonik:
Wafer GaN-on-glass ideal untukfotodetektor, sirkuit terpadu fotonik (PIC), Dansensor optikSifat transmisi cahaya yang sangat baik dan stabilitas tinggi dalam aplikasi frekuensi tinggi membuatnya cocok untukkomunikasiDanteknologi sensor.

Elektronika Daya:
Karena celah pita yang lebar dan tegangan tembus yang tinggi, wafer GaN-on-glass digunakan dalamtransistor daya tinggiDankonversi daya frekuensi tinggiKemampuan GaN untuk menangani tegangan tinggi dan disipasi termal membuatnya sempurna untukpenguat daya, Transistor daya RF, Danelektronika dayadalam aplikasi industri dan konsumen.

Aplikasi Frekuensi Tinggi:
Wafer GaN-on-glass menunjukkan kinerja yang sangat baikmobilitas elektrondan dapat beroperasi pada kecepatan switching yang tinggi, menjadikannya ideal untukperangkat daya frekuensi tinggi, perangkat gelombang mikro, DanPenguat RFIni adalah komponen penting dalamSistem komunikasi 5G, sistem radar, Dankomunikasi satelit.

Aplikasi Otomotif:
Wafer GaN-on-glass juga digunakan dalam sistem tenaga otomotif, khususnya dipengisi daya terpasang (OBC)DanKonverter DC-DCuntuk kendaraan listrik (EV). Kemampuan wafer untuk menangani suhu dan tegangan tinggi memungkinkannya digunakan dalam elektronika daya untuk EV, sehingga menawarkan efisiensi dan keandalan yang lebih baik.

Alat kesehatan:
Sifat GaN juga menjadikannya material yang menarik untuk digunakan dipencitraan medisDansensor biomedisKemampuannya untuk beroperasi pada tegangan tinggi dan ketahanannya terhadap radiasi membuatnya ideal untuk aplikasi diperalatan diagnostikDanlaser medis.

Tanya Jawab

Q1: Mengapa GaN pada kaca merupakan pilihan yang baik dibandingkan GaN pada silikon atau GaN pada safir?

Sebuah nomor 1:GaN-on-glass menawarkan beberapa keuntungan, termasukefektivitas biayaDanmanajemen termal yang lebih baik. Sementara GaN-on-Silicon dan GaN-on-Sapphire memberikan kinerja yang sangat baik, substrat kaca lebih murah, lebih mudah didapat, dan dapat disesuaikan dalam hal sifat optik dan mekanis. Selain itu, wafer GaN-on-glass memberikan kinerja yang sangat baik di keduanyaoptikDanaplikasi elektronik daya tinggi.

Q2: Apa perbedaan antara pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33, dan Kuarsa Biasa?

Sebuah nomor 2:

JGS1DanJGS2adalah substrat kaca optik berkualitas tinggi yang dikenal karenatransparansi optik tinggiDanekspansi termal rendah, menjadikannya ideal untuk perangkat fotonik dan optoelektronik.
BF33penawaran kacaindeks bias lebih tinggidan ideal untuk aplikasi yang membutuhkan kinerja optik yang ditingkatkan, sepertidioda laser.
Kuarsa Biasamenyediakan tinggistabilitas termalDanresistensi terhadap radiasi, membuatnya cocok untuk aplikasi suhu tinggi dan lingkungan yang keras.

Q3: Dapatkah saya menyesuaikan resistivitas dan jenis doping untuk wafer GaN-pada-kaca?

A3:Ya, kami menawarkanresistivitas yang dapat disesuaikanDanJenis-jenis doping(Tipe N atau tipe P) untuk wafer GaN pada kaca. Fleksibilitas ini memungkinkan wafer disesuaikan dengan aplikasi tertentu, termasuk perangkat daya, LED, dan sistem fotonik.

Q4: Apa saja aplikasi umum GaN pada kaca dalam optoelektronik?

A4:Dalam optoelektronik, wafer GaN-on-glass umumnya digunakan untukLED biru dan hijau, sinar laser, DanfotodetektorSifat optik kaca yang dapat disesuaikan memungkinkan perangkat dengantransmisi cahaya, membuatnya ideal untuk aplikasi diteknologi tampilan, penerangan, Dansistem komunikasi optik.

Q5: Bagaimana kinerja GaN-pada-kaca dalam aplikasi frekuensi tinggi?

Jwb:Wafer GaN-on-glass menawarkanmobilitas elektron yang sangat baik, yang memungkinkan mereka untuk tampil baik diaplikasi frekuensi tinggisepertiPenguat RF, perangkat gelombang mikro, DanSistem komunikasi 5GTegangan tembus yang tinggi dan kerugian peralihan yang rendah membuatnya cocok untukperangkat RF berdaya tinggi.

Q6: Berapakah tegangan tembus tipikal wafer GaN pada kaca?

J6:Wafer GaN-on-glass biasanya mendukung tegangan tembus hinggaTegangan 1200V, membuatnya cocok untukdaya tinggiDantegangan tinggiaplikasi. Celah pita yang lebar memungkinkan mereka menangani tegangan yang lebih tinggi daripada bahan semikonduktor konvensional seperti silikon.

Q7: Dapatkah wafer GaN pada kaca digunakan dalam aplikasi otomotif?

J7:Ya, wafer GaN-on-glass digunakan dielektronika daya otomotif, termasukKonverter DC-DCDanpengisi daya di dalam pesawat(OBC) untuk kendaraan listrik. Kemampuannya untuk beroperasi pada suhu tinggi dan menangani tegangan tinggi membuatnya ideal untuk aplikasi yang menuntut ini.

Kesimpulan

Wafer GaN on Glass 4-Inch kami menawarkan solusi unik dan dapat disesuaikan untuk berbagai aplikasi dalam optoelektronik, elektronika daya, dan fotonik. Dengan pilihan substrat kaca seperti JGS1, JGS2, BF33, dan Ordinary Quartz, wafer ini memberikan fleksibilitas dalam sifat mekanis dan optik, yang memungkinkan solusi khusus untuk perangkat berdaya tinggi dan frekuensi tinggi. Baik untuk LED, dioda laser, atau aplikasi RF, wafer GaN-on-glass