Wafer GaN-on-Diamond 4 inci 6 inci Total ketebalan epi (mikron) 0,6 ~ 2,5 atau disesuaikan untuk Aplikasi Frekuensi Tinggi
Properti
Ukuran Wafer:
Tersedia dalam diameter 4 inci dan 6 inci untuk integrasi serbaguna ke dalam berbagai proses manufaktur semikonduktor.
Pilihan penyesuaian tersedia untuk ukuran wafer, tergantung pada kebutuhan pelanggan.
Ketebalan Lapisan Epitaksial:
Kisaran: 0,6 µm hingga 2,5 µm, dengan opsi ketebalan yang disesuaikan berdasarkan kebutuhan aplikasi tertentu.
Lapisan epitaksial dirancang untuk memastikan pertumbuhan kristal GaN berkualitas tinggi, dengan ketebalan yang dioptimalkan untuk menyeimbangkan daya, respons frekuensi, dan manajemen termal.
Konduktivitas Termal:
Lapisan berlian memberikan konduktivitas termal yang sangat tinggi sekitar 2000-2200 W/m·K, memastikan pembuangan panas yang efisien dari perangkat berdaya tinggi.
Sifat Material GaN:
Celah Pita Lebar: Lapisan GaN mendapat manfaat dari celah pita lebar (~3,4 eV), yang memungkinkan pengoperasian di lingkungan yang keras, tegangan tinggi, dan kondisi suhu tinggi.
Mobilitas Elektron: Mobilitas elektron tinggi (sekitar 2000 cm²/V·s), menghasilkan peralihan yang lebih cepat dan frekuensi operasional yang lebih tinggi.
Tegangan Terobosan Tinggi: Tegangan terobosan GaN jauh lebih tinggi daripada bahan semikonduktor konvensional, membuatnya cocok untuk aplikasi yang membutuhkan banyak daya.
Kinerja Listrik:
Kepadatan Daya Tinggi: Wafer GaN-on-Diamond memungkinkan keluaran daya tinggi sambil mempertahankan faktor bentuk kecil, sempurna untuk penguat daya dan sistem RF.
Kehilangan Rendah: Kombinasi efisiensi GaN dan pembuangan panas berlian menghasilkan kehilangan daya yang lebih rendah selama pengoperasian.
Kualitas Permukaan:
Pertumbuhan Epitaksial Berkualitas Tinggi: Lapisan GaN ditumbuhkan secara epitaksial pada substrat berlian, memastikan kepadatan dislokasi minimal, kualitas kristal tinggi, dan kinerja perangkat yang optimal.
Keseragaman:
Keseragaman Ketebalan dan Komposisi: Baik lapisan GaN maupun substrat berlian mempertahankan keseragaman yang sangat baik, penting untuk kinerja dan keandalan perangkat yang konsisten.
Stabilitas Kimia:
Baik GaN maupun berlian menawarkan kestabilan kimia yang luar biasa, yang memungkinkan wafer ini bekerja dengan andal di lingkungan kimia yang keras.
Aplikasi
Penguat Daya RF:
Wafer GaN-on-Diamond ideal untuk penguat daya RF dalam telekomunikasi, sistem radar, dan komunikasi satelit, menawarkan efisiensi dan keandalan tinggi pada frekuensi tinggi (misalnya, 2 GHz hingga 20 GHz dan seterusnya).
Komunikasi Gelombang Mikro:
Wafer ini unggul dalam sistem komunikasi gelombang mikro, di mana keluaran daya tinggi dan degradasi sinyal minimal sangat penting.
Teknologi Radar dan Penginderaan:
Wafer GaN-on-Diamond banyak digunakan dalam sistem radar, memberikan kinerja yang kuat dalam aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi, terutama di sektor militer, otomotif, dan kedirgantaraan.
Sistem Satelit:
Dalam sistem komunikasi satelit, wafer ini memastikan daya tahan dan kinerja tinggi penguat daya, yang mampu beroperasi dalam kondisi lingkungan ekstrem.
Elektronika Daya Tinggi:
Kemampuan manajemen termal GaN-on-Diamond membuatnya cocok untuk elektronika berdaya tinggi, seperti konverter daya, inverter, dan relai solid-state.
Sistem Manajemen Termal:
Karena konduktivitas termal berlian yang tinggi, wafer ini dapat digunakan dalam aplikasi yang memerlukan manajemen termal yang kuat, seperti sistem LED dan laser daya tinggi.
Tanya Jawab untuk Wafer GaN-on-Diamond
Q1: Apa keuntungan menggunakan wafer GaN-on-Diamond dalam aplikasi frekuensi tinggi?
Sebuah nomor 1:Wafer GaN-on-Diamond menggabungkan mobilitas elektron tinggi dan celah pita lebar GaN dengan konduktivitas termal berlian yang luar biasa. Hal ini memungkinkan perangkat frekuensi tinggi beroperasi pada tingkat daya yang lebih tinggi sekaligus mengelola panas secara efektif, memastikan efisiensi dan keandalan yang lebih tinggi dibandingkan material tradisional.
Q2: Dapatkah wafer GaN-on-Diamond disesuaikan untuk kebutuhan daya dan frekuensi tertentu?
Sebuah nomor 2:Ya, wafer GaN-on-Diamond menawarkan opsi yang dapat disesuaikan, termasuk ketebalan lapisan epitaksial (0,6 µm hingga 2,5 µm), ukuran wafer (4 inci, 6 inci), dan parameter lain berdasarkan kebutuhan aplikasi tertentu, yang memberikan fleksibilitas untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.
Q3: Apa manfaat utama berlian sebagai substrat untuk GaN?
A3:Konduktivitas termal Diamond yang ekstrem (hingga 2200 W/m·K) membantu menghilangkan panas yang dihasilkan oleh perangkat GaN berdaya tinggi secara efisien. Kemampuan manajemen termal ini memungkinkan perangkat GaN-on-Diamond beroperasi pada kepadatan daya dan frekuensi yang lebih tinggi, memastikan peningkatan kinerja dan umur panjang perangkat.
Q4: Apakah wafer GaN-on-Diamond cocok untuk aplikasi luar angkasa atau antariksa?
A4:Ya, wafer GaN-on-Diamond sangat cocok untuk aplikasi luar angkasa dan antariksa karena keandalannya yang tinggi, kemampuan manajemen termal, dan kinerja dalam kondisi ekstrem, seperti radiasi tinggi, variasi suhu, dan operasi frekuensi tinggi.
Q5: Berapa lama masa pakai perangkat yang terbuat dari wafer GaN-on-Diamond diharapkan?
Jwb:Kombinasi daya tahan GaN yang melekat dan sifat disipasi panas berlian yang luar biasa menghasilkan masa pakai perangkat yang panjang. Perangkat GaN-on-Diamond dirancang untuk beroperasi di lingkungan yang keras dan kondisi daya tinggi dengan degradasi minimal seiring waktu.
Q6: Bagaimana konduktivitas termal berlian memengaruhi kinerja keseluruhan wafer GaN-pada-Berlian?
J6:Konduktivitas termal berlian yang tinggi berperan penting dalam meningkatkan kinerja wafer GaN-on-Diamond dengan secara efisien menghantarkan panas yang dihasilkan dalam aplikasi berdaya tinggi. Hal ini memastikan perangkat GaN mempertahankan kinerja optimal, mengurangi tekanan termal, dan menghindari panas berlebih, yang merupakan tantangan umum pada perangkat semikonduktor konvensional.
Q7: Apa saja aplikasi umum di mana wafer GaN-on-Diamond mengungguli bahan semikonduktor lainnya?
J7:Wafer GaN-on-Diamond mengungguli material lain dalam aplikasi yang membutuhkan penanganan daya tinggi, operasi frekuensi tinggi, dan manajemen termal yang efisien. Ini termasuk penguat daya RF, sistem radar, komunikasi gelombang mikro, komunikasi satelit, dan elektronik berdaya tinggi lainnya.
Kesimpulan
Wafer GaN-on-Diamond menawarkan solusi unik untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi, menggabungkan kinerja tinggi GaN dengan sifat termal berlian yang luar biasa. Dengan fitur yang dapat disesuaikan, wafer ini dirancang untuk memenuhi kebutuhan industri yang membutuhkan penyaluran daya yang efisien, manajemen termal, dan operasi frekuensi tinggi, memastikan keandalan dan daya tahan di lingkungan yang menantang.
Diagram Rinci
