Gallium Nitride pada wafer silikon 4 inci 6 inci Orientasi Substrat Si yang Disesuaikan, Resistivitas, dan Opsi tipe-N/tipe-P

Deskripsi Singkat:

Wafer Galium Nitrida pada Silikon (GaN-on-Si) kami yang Disesuaikan dirancang untuk memenuhi permintaan aplikasi elektronik berfrekuensi tinggi dan berdaya tinggi yang terus meningkat. Tersedia dalam ukuran wafer 4 inci dan 6 inci, wafer ini menawarkan opsi penyesuaian untuk orientasi substrat Si, resistivitas, dan jenis doping (tipe N/tipe P) agar sesuai dengan kebutuhan aplikasi tertentu. Teknologi GaN-on-Si menggabungkan keunggulan galium nitrida (GaN) dengan substrat silikon (Si) berbiaya rendah, yang memungkinkan manajemen termal yang lebih baik, efisiensi yang lebih tinggi, dan kecepatan pengalihan yang lebih cepat. Dengan celah pita yang lebar dan resistansi listrik yang rendah, wafer ini ideal untuk konversi daya, aplikasi RF, dan sistem transfer data berkecepatan tinggi.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Fitur

●Celah Pita Lebar:GaN (3,4 eV) memberikan peningkatan signifikan dalam kinerja frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi dibandingkan silikon tradisional, menjadikannya ideal untuk perangkat daya dan penguat RF.
●Orientasi Substrat Si yang Dapat Disesuaikan:Pilih dari berbagai orientasi substrat Si seperti <111>, <100>, dan lainnya untuk memenuhi persyaratan perangkat tertentu.
●Resistivitas yang Disesuaikan:Pilih di antara berbagai opsi resistivitas untuk Si, dari semi-isolasi hingga resistivitas tinggi dan resistivitas rendah untuk mengoptimalkan kinerja perangkat.
●Jenis Doping:Tersedia dalam doping tipe N atau tipe P untuk memenuhi kebutuhan perangkat daya, transistor RF, atau LED.
●Tegangan Terobosan Tinggi:Wafer GaN-on-Si memiliki tegangan tembus yang tinggi (hingga 1200V), yang memungkinkannya menangani aplikasi tegangan tinggi.
●Kecepatan Beralih Lebih Cepat:GaN memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi dan kehilangan peralihan yang lebih rendah daripada silikon, membuat wafer GaN-on-Si ideal untuk sirkuit berkecepatan tinggi.
●Peningkatan Kinerja Termal:Meskipun konduktivitas termal silikon rendah, GaN-on-Si masih menawarkan stabilitas termal yang unggul, dengan pembuangan panas yang lebih baik daripada perangkat silikon tradisional.

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Ukuran Wafer	4 inci, 6 inci
Orientasi Substrat Si	<111>, <100>, kustom
Resistivitas Si	Resistivitas tinggi, Semi-isolasi, Resistivitas rendah
Jenis Doping	Tipe N, Tipe P
Ketebalan Lapisan GaN	100 nm – 5000 nm (dapat disesuaikan)
Lapisan Penghalang AlGaN	24% – 28% Al (umumnya 10-20 nm)
Tegangan Terobosan	Tegangan 600V – 1200V
Mobilitas Elektron	2000 cm²/V·s
Frekuensi Pengalihan	Hingga 18 GHz
Kekasaran Permukaan Wafer	RMS ~0,25nm (AFM)
Resistensi Lembar GaN	437,9 Ω cm²
Jumlah Wafer Warp	< 25 µm (maksimum)
Konduktivitas Termal	1,3 – 2,1 W/cm·K

Aplikasi

Elektronika Daya: GaN-on-Si ideal untuk elektronika daya seperti penguat daya, konverter, dan inverter yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, kendaraan listrik (EV), dan peralatan industri. Tegangan tembusnya yang tinggi dan resistansi aktifnya yang rendah memastikan konversi daya yang efisien, bahkan dalam aplikasi daya tinggi.

Komunikasi RF dan Gelombang Mikro: Wafer GaN-on-Si menawarkan kemampuan frekuensi tinggi, sehingga sangat cocok untuk penguat daya RF, komunikasi satelit, sistem radar, dan teknologi 5G. Dengan kecepatan switching yang lebih tinggi dan kemampuan untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi (hingga18 GHz), Perangkat GaN menawarkan kinerja unggul dalam aplikasi ini.

Elektronik Otomotif:GaN-on-Si digunakan dalam sistem tenaga otomotif, termasukpengisi daya terpasang (OBC)DanKonverter DC-DCKemampuannya untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan menahan tingkat tegangan yang lebih tinggi membuatnya cocok untuk aplikasi kendaraan listrik yang membutuhkan konversi daya yang kuat.

LED dan Optoelektronik:GaN adalah material pilihan untuk LED biru dan putihWafer GaN-on-Si digunakan untuk menghasilkan sistem pencahayaan LED efisiensi tinggi, memberikan kinerja luar biasa dalam pencahayaan, teknologi tampilan, dan komunikasi optik.

Tanya Jawab

Q1: Apa keuntungan GaN dibandingkan silikon pada perangkat elektronik?

Sebuah nomor 1:GaN memilikicelah pita yang lebih lebar (3,4 eV)daripada silikon (1,1 eV), yang memungkinkannya menahan tegangan dan suhu yang lebih tinggi. Properti ini memungkinkan GaN untuk menangani aplikasi daya tinggi secara lebih efisien, mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan kinerja sistem. GaN juga menawarkan kecepatan pengalihan yang lebih cepat, yang sangat penting untuk perangkat frekuensi tinggi seperti penguat RF dan konverter daya.

Q2: Dapatkah saya menyesuaikan orientasi substrat Si untuk aplikasi saya?

Sebuah nomor 2:Ya, kami menawarkanorientasi substrat Si yang dapat disesuaikanseperti<111>, <100>, dan orientasi lainnya tergantung pada kebutuhan perangkat Anda. Orientasi substrat Si memainkan peran penting dalam kinerja perangkat, termasuk karakteristik listrik, perilaku termal, dan stabilitas mekanis.

Q3: Apa keuntungan menggunakan wafer GaN-on-Si untuk aplikasi frekuensi tinggi?

A3:Wafer GaN-on-Si menawarkan keunggulankecepatan peralihan, memungkinkan operasi yang lebih cepat pada frekuensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan silikon. Hal ini membuat mereka ideal untukRFDangelombang mikroaplikasi, serta frekuensi tinggiperangkat listriksepertiHEMT (Health Management Institute)(Transistor Mobilitas Elektron Tinggi) danPenguat RFMobilitas elektron GaN yang lebih tinggi juga menghasilkan kerugian peralihan yang lebih rendah dan peningkatan efisiensi.

Q4: Pilihan doping apa yang tersedia untuk wafer GaN-on-Si?

A4:Kami menawarkan keduanyaTipe NDanTipe Popsi doping, yang umum digunakan untuk berbagai jenis perangkat semikonduktor.Doping tipe Nsangat ideal untuktransistor dayaDanPenguat RF, ketikaDoping tipe Psering digunakan untuk perangkat optoelektronik seperti LED.

Kesimpulan

Wafer Galium Nitrida pada Silikon (GaN-on-Si) Kustom kami menyediakan solusi ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi. Dengan orientasi substrat Si yang dapat disesuaikan, resistivitas, dan doping tipe-N/tipe-P, wafer ini dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan spesifik berbagai industri mulai dari elektronika daya dan sistem otomotif hingga komunikasi RF dan teknologi LED. Dengan memanfaatkan sifat-sifat unggul GaN dan skalabilitas silikon, wafer ini menawarkan peningkatan kinerja, efisiensi, dan ketahanan masa depan untuk perangkat generasi mendatang.