Gallium Nitrida pada wafer silikon 4 inci 6 inci Orientasi Substrat Si yang Disesuaikan, Resistivitas, dan Opsi tipe-N/tipe-P
Fitur
●Celah Pita Lebar:GaN (3,4 eV) memberikan peningkatan signifikan dalam kinerja frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi dibandingkan silikon tradisional, menjadikannya ideal untuk perangkat daya dan penguat RF.
●Orientasi Substrat Si yang Dapat Disesuaikan:Pilih dari berbagai orientasi substrat Si seperti <111>, <100>, dan lainnya untuk memenuhi persyaratan perangkat tertentu.
●Resistivitas yang Disesuaikan:Pilih di antara berbagai opsi resistivitas untuk Si, dari semi-isolasi hingga resistivitas tinggi dan resistivitas rendah untuk mengoptimalkan kinerja perangkat.
●Jenis Doping:Tersedia dalam doping tipe-N atau tipe-P untuk memenuhi kebutuhan perangkat daya, transistor RF, atau LED.
●Tegangan Kerusakan Tinggi:Wafer GaN-on-Si memiliki tegangan tembus yang tinggi (hingga 1200V), yang memungkinkannya menangani aplikasi tegangan tinggi.
●Kecepatan Beralih Lebih Cepat:GaN memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi dan kerugian peralihan yang lebih rendah daripada silikon, membuat wafer GaN-pada-Si ideal untuk sirkuit berkecepatan tinggi.
●Peningkatan Kinerja Termal:Meskipun konduktivitas termal silikon rendah, GaN-on-Si masih menawarkan stabilitas termal yang unggul, dengan pembuangan panas yang lebih baik daripada perangkat silikon tradisional.
Spesifikasi Teknis
| Parameter | Nilai |
| Ukuran Wafer | 4 inci, 6 inci |
| Orientasi Substrat Si | <111>, <100>, kustom |
| Resistivitas Si | Resistivitas tinggi, Semi-isolasi, Resistivitas rendah |
| Jenis Doping | Tipe N, tipe P |
| Ketebalan Lapisan GaN | 100 nm – 5000 nm (dapat disesuaikan) |
| Lapisan Penghalang AlGaN | 24% – 28% Al (umumnya 10-20 nm) |
| Tegangan Terobosan | Tegangan 600V – 1200V |
| Mobilitas Elektron | 2000 cm²/V·s |
| Frekuensi Peralihan | Hingga 18 GHz |
| Kekasaran Permukaan Wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistensi Lembar GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Total Wafer Warp | < 25 µm (maksimum) |
| Konduktivitas Termal | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Aplikasi
Elektronika DayaGaN-on-Si ideal untuk elektronika daya seperti penguat daya, konverter, dan inverter yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, kendaraan listrik (EV), dan peralatan industri. Tegangan tembusnya yang tinggi dan resistansi aktifnya yang rendah memastikan konversi daya yang efisien, bahkan dalam aplikasi berdaya tinggi.
Komunikasi RF dan Gelombang MikroWafer GaN-on-Si menawarkan kemampuan frekuensi tinggi, menjadikannya sempurna untuk penguat daya RF, komunikasi satelit, sistem radar, dan teknologi 5G. Dengan kecepatan switching yang lebih tinggi dan kemampuan untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi (hingga18 GHz), Perangkat GaN menawarkan kinerja unggul dalam aplikasi ini.
Elektronik Otomotif:GaN-on-Si digunakan dalam sistem tenaga otomotif, termasukpengisi daya terpasang (OBC)DanKonverter DC-DCKemampuannya untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan menahan tingkat tegangan yang lebih tinggi menjadikannya cocok untuk aplikasi kendaraan listrik yang membutuhkan konversi daya yang kuat.
LED dan Optoelektronik:GaN adalah material pilihan untuk LED biru dan putihWafer GaN-on-Si digunakan untuk menghasilkan sistem pencahayaan LED efisiensi tinggi, memberikan kinerja luar biasa dalam pencahayaan, teknologi tampilan, dan komunikasi optik.
Tanya Jawab
Q1: Apa keuntungan GaN dibandingkan silikon dalam perangkat elektronik?
A1:GaN memilikicelah pita yang lebih lebar (3,4 eV)daripada silikon (1,1 eV), yang memungkinkannya menahan tegangan dan suhu yang lebih tinggi. Sifat ini memungkinkan GaN untuk menangani aplikasi daya tinggi secara lebih efisien, mengurangi kehilangan daya, dan meningkatkan kinerja sistem. GaN juga menawarkan kecepatan pengalihan yang lebih cepat, yang krusial untuk perangkat frekuensi tinggi seperti penguat RF dan konverter daya.
Q2: Dapatkah saya menyesuaikan orientasi substrat Si untuk aplikasi saya?
A2:Ya, kami menawarkanorientasi substrat Si yang dapat disesuaikanseperti<111>, <100>, dan orientasi lainnya tergantung pada kebutuhan perangkat Anda. Orientasi substrat Si memainkan peran penting dalam kinerja perangkat, termasuk karakteristik kelistrikan, perilaku termal, dan stabilitas mekanis.
Q3: Apa manfaat penggunaan wafer GaN-on-Si untuk aplikasi frekuensi tinggi?
A3:Wafer GaN-on-Si menawarkan keunggulankecepatan peralihan, memungkinkan pengoperasian yang lebih cepat pada frekuensi yang lebih tinggi dibandingkan silikon. Hal ini menjadikannya ideal untukRFDangelombang mikroaplikasi, serta frekuensi tinggiperangkat listriksepertiHEMT(Transistor Mobilitas Elektron Tinggi) danPenguat RFMobilitas elektron GaN yang lebih tinggi juga menghasilkan kerugian peralihan yang lebih rendah dan peningkatan efisiensi.
Q4: Pilihan doping apa yang tersedia untuk wafer GaN-on-Si?
A4:Kami menawarkan keduanyaTipe NDanTipe Popsi doping, yang umum digunakan untuk berbagai jenis perangkat semikonduktor.Doping tipe-Nsangat ideal untuktransistor dayaDanPenguat RF, ketikaDoping tipe-Psering digunakan untuk perangkat optoelektronik seperti LED.
Kesimpulan
Wafer Galium Nitrida pada Silikon (GaN-on-Si) Kustom kami menyediakan solusi ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi. Dengan orientasi substrat Si yang dapat disesuaikan, resistivitas, dan doping tipe-N/tipe-P, wafer ini dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan spesifik berbagai industri, mulai dari elektronika daya dan sistem otomotif hingga komunikasi RF dan teknologi LED. Dengan memanfaatkan keunggulan GaN dan skalabilitas silikon, wafer ini menawarkan peningkatan kinerja, efisiensi, dan ketahanan masa depan untuk perangkat generasi mendatang.
Diagram Rinci
