Gallium Nitride pada wafer Silikon 4 inci 6 inci Orientasi Substrat Si yang Disesuaikan, Resistivitas, dan Opsi Tipe-N/Tipe-P
Fitur
●Celah Pita Lebar:GaN (3,4 eV) memberikan peningkatan signifikan dalam kinerja frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi dibandingkan dengan silikon tradisional, sehingga ideal untuk perangkat daya dan penguat RF.
●Orientasi Substrat Si yang Dapat Disesuaikan:Pilih dari berbagai orientasi substrat Si seperti <111>, <100>, dan lainnya untuk menyesuaikan dengan persyaratan perangkat tertentu.
●Resistivitas yang Disesuaikan:Pilih berbagai opsi resistivitas untuk Si, mulai dari semi-isolasi hingga resistivitas tinggi dan resistivitas rendah untuk mengoptimalkan kinerja perangkat.
●Jenis Doping:Tersedia dalam doping tipe N atau tipe P untuk memenuhi persyaratan perangkat daya, transistor RF, atau LED.
●Tegangan Tembus Tinggi:Wafer GaN-on-Si memiliki tegangan tembus tinggi (hingga 1200V), sehingga mampu menangani aplikasi tegangan tinggi.
●Kecepatan Peralihan Lebih Cepat:GaN memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi dan kerugian switching yang lebih rendah daripada silikon, sehingga wafer GaN-on-Si ideal untuk sirkuit berkecepatan tinggi.
●Peningkatan Kinerja Termal:Meskipun konduktivitas termal silikon rendah, GaN-on-Si tetap menawarkan stabilitas termal yang unggul, dengan pembuangan panas yang lebih baik daripada perangkat silikon tradisional.
Spesifikasi Teknis
| Parameter | Nilai |
| Ukuran Wafer | 4 inci, 6 inci |
| Orientasi Substrat Si | <111>, <100>, kustom |
| Resistivitas Si | Resistivitas tinggi, Semi-isolasi, Resistivitas rendah |
| Jenis Doping | Tipe N, Tipe P |
| Ketebalan Lapisan GaN | 100 nm – 5000 nm (dapat disesuaikan) |
| Lapisan Penghalang AlGaN | 24% – 28% Al (khas 10-20 nm) |
| Tegangan Rusak | 600V – 1200V |
| Mobilitas Elektron | 2000 cm²/V·s |
| Frekuensi Pengalihan | Hingga 18 GHz |
| Kekasaran Permukaan Wafer | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistansi Lembaran GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Lengkungan Wafer Total | < 25 µm (maksimum) |
| Konduktivitas Termal | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Aplikasi
Elektronik DayaGaN-on-Si sangat ideal untuk elektronika daya seperti penguat daya, konverter, dan inverter yang digunakan dalam sistem energi terbarukan, kendaraan listrik (EV), dan peralatan industri. Tegangan tembusnya yang tinggi dan resistansi rendah memastikan konversi daya yang efisien, bahkan dalam aplikasi daya tinggi.
Komunikasi RF dan Gelombang MikroWafer GaN-on-Si menawarkan kemampuan frekuensi tinggi, menjadikannya sempurna untuk penguat daya RF, komunikasi satelit, sistem radar, dan teknologi 5G. Dengan kecepatan switching yang lebih tinggi dan kemampuan untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi (hingga18 GHz), perangkat GaN menawarkan kinerja yang unggul dalam aplikasi ini.
Elektronik OtomotifGaN-on-Si digunakan dalam sistem tenaga otomotif, termasukpengisi daya onboard (OBC)DanKonverter DC-DCKemampuannya untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan tahan terhadap tingkat tegangan yang lebih tinggi menjadikannya pilihan yang tepat untuk aplikasi kendaraan listrik yang membutuhkan konversi daya yang andal.
LED dan OptoelektronikGaN adalah material pilihan untuk LED biru dan putihWafer GaN-on-Si digunakan untuk menghasilkan sistem pencahayaan LED efisiensi tinggi, yang memberikan kinerja luar biasa dalam pencahayaan, teknologi tampilan, dan komunikasi optik.
Tanya Jawab
Q1: Apa keunggulan GaN dibandingkan silikon dalam perangkat elektronik?
A1:GaN memilikicelah pita yang lebih lebar (3,4 eV)dibandingkan silikon (1,1 eV), yang memungkinkannya untuk menahan tegangan dan suhu yang lebih tinggi. Sifat ini memungkinkan GaN untuk menangani aplikasi daya tinggi dengan lebih efisien, mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan kinerja sistem. GaN juga menawarkan kecepatan switching yang lebih cepat, yang sangat penting untuk perangkat frekuensi tinggi seperti penguat RF dan konverter daya.
Q2: Dapatkah saya menyesuaikan orientasi substrat Si untuk aplikasi saya?
A2:Ya, kami menawarkanOrientasi substrat Si yang dapat disesuaikanseperti<111>, <100>, dan orientasi lainnya tergantung pada kebutuhan perangkat Anda. Orientasi substrat Si memainkan peran kunci dalam kinerja perangkat, termasuk karakteristik listrik, perilaku termal, dan stabilitas mekanik.
Q3: Apa saja manfaat menggunakan wafer GaN-on-Si untuk aplikasi frekuensi tinggi?
A3:Wafer GaN-on-Si menawarkan keunggulan yang superior.kecepatan peralihan, sehingga memungkinkan pengoperasian yang lebih cepat pada frekuensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan silikon. Hal ini menjadikannya ideal untukRFDangelombang mikroaplikasi, serta frekuensi tinggiperangkat dayasepertiHEMTs(Transistor Mobilitas Elektron Tinggi) danPenguat RFMobilitas elektron GaN yang lebih tinggi juga menghasilkan kerugian switching yang lebih rendah dan efisiensi yang lebih baik.
Q4: Opsi doping apa saja yang tersedia untuk wafer GaN-on-Si?
A4:Kami menawarkan keduanyatipe NDanTipe POpsi doping, yang umum digunakan untuk berbagai jenis perangkat semikonduktor.Doping tipe Nsangat ideal untuktransistor dayaDanPenguat RF, ketikaDoping tipe Psering digunakan untuk perangkat optoelektronik seperti LED.
Kesimpulan
Wafer Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si) Kustom kami menyediakan solusi ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi. Dengan orientasi substrat Si, resistivitas, dan doping tipe-N/tipe-P yang dapat disesuaikan, wafer ini dirancang untuk memenuhi kebutuhan spesifik berbagai industri, mulai dari elektronika daya dan sistem otomotif hingga komunikasi RF dan teknologi LED. Dengan memanfaatkan sifat unggul GaN dan skalabilitas silikon, wafer ini menawarkan peningkatan kinerja, efisiensi, dan kesiapan untuk perangkat generasi berikutnya.
Diagram Terperinci
