Gallium Nitrida (GaN) Epitaksial Tumbuh pada Wafer Safir 4 inci 6 inci untuk MEMS

Deskripsi Singkat:

Gallium Nitride (GaN) pada wafer Safir menawarkan kinerja yang tak tertandingi untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi, menjadikannya material yang ideal untuk modul front-end RF (Radio Frequency) generasi berikutnya, lampu LED, dan perangkat semikonduktor lainnya.Bahasa Indonesia: GanKarakteristik listriknya yang unggul, termasuk celah pita yang tinggi, memungkinkannya beroperasi pada tegangan tembus dan suhu yang lebih tinggi daripada perangkat berbasis silikon tradisional. Seiring dengan semakin banyaknya penggunaan GaN dibandingkan silikon, GaN mendorong kemajuan dalam bidang elektronik yang membutuhkan material yang ringan, kuat, dan efisien.

Kirim email ke kami

Fitur

Sifat GaN pada Wafer Safir

●Efisiensi Tinggi:Perangkat berbasis GaN menyediakan daya lima kali lebih besar daripada perangkat berbasis silikon, meningkatkan kinerja dalam berbagai aplikasi elektronik, termasuk amplifikasi RF dan optoelektronik.
●Celah Pita Lebar:Celah pita lebar GaN memungkinkan efisiensi tinggi pada suhu tinggi, membuatnya ideal untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.
●Daya tahan:Kemampuan GaN untuk menangani kondisi ekstrem (suhu tinggi dan radiasi) memastikan kinerja tahan lama di lingkungan yang keras.
●Ukuran Kecil:GaN memungkinkan produksi perangkat yang lebih ringkas dan ringan dibandingkan bahan semikonduktor tradisional, sehingga memfasilitasi perangkat elektronik yang lebih kecil dan lebih bertenaga.

Abstrak

Galium Nitrida (GaN) muncul sebagai semikonduktor pilihan untuk aplikasi canggih yang membutuhkan daya dan efisiensi tinggi, seperti modul front-end RF, sistem komunikasi berkecepatan tinggi, dan pencahayaan LED. Wafer epitaksial GaN, ketika ditanam di atas substrat safir, menawarkan kombinasi konduktivitas termal yang tinggi, tegangan tembus yang tinggi, dan respons frekuensi yang lebar, yang merupakan kunci kinerja optimal dalam perangkat komunikasi nirkabel, radar, dan pengacau. Wafer ini tersedia dalam diameter 4 inci dan 6 inci, dengan ketebalan GaN yang bervariasi untuk memenuhi berbagai persyaratan teknis. Sifat unik GaN menjadikannya kandidat utama untuk masa depan elektronika daya.

Parameter Produk

Fitur Produk	Spesifikasi
Diameter Wafer	50mm, 100mm, 50,8mm
Substrat	Safir
Ketebalan Lapisan GaN	0,5 mikron - 10 mikron
Jenis GaN/Doping	Tipe N (tipe P tersedia berdasarkan permintaan)
Orientasi Kristal GaN	<0001>
Jenis Poles	Poles Satu Sisi (SSP), Poles Dua Sisi (DSP)
Ketebalan Al2O3	430 mikron - 650 mikron
TTV (Variasi Ketebalan Total)	≤ 10 mikron
Busur	≤ 10 mikron
Melengkung	≤ 10 mikron
Luas Permukaan	Luas Permukaan yang Dapat Digunakan > 90%

Tanya Jawab

Q1: Apa keuntungan utama penggunaan GaN dibandingkan semikonduktor berbasis silikon tradisional?

A1GaN menawarkan beberapa keunggulan signifikan dibandingkan silikon, termasuk celah pita yang lebih lebar, yang memungkinkannya menangani tegangan tembus yang lebih tinggi dan beroperasi secara efisien pada suhu yang lebih tinggi. Hal ini menjadikan GaN ideal untuk aplikasi daya dan frekuensi tinggi seperti modul RF, penguat daya, dan LED. Kemampuan GaN untuk menangani kepadatan daya yang lebih tinggi juga memungkinkan perangkat yang lebih kecil dan lebih efisien dibandingkan dengan alternatif berbasis silikon.

Q2: Dapatkah GaN pada wafer Safir digunakan dalam aplikasi MEMS (Sistem Mikro-Elektro-Mekanik)?

A2Ya, GaN pada wafer Safir cocok untuk aplikasi MEMS, terutama yang membutuhkan daya tinggi, stabilitas suhu, dan kebisingan rendah. Daya tahan dan efisiensi material ini dalam lingkungan frekuensi tinggi menjadikannya ideal untuk perangkat MEMS yang digunakan dalam sistem komunikasi nirkabel, penginderaan, dan radar.

Q3: Apa saja aplikasi potensial GaN dalam komunikasi nirkabel?

A3GaN banyak digunakan dalam modul front-end RF untuk komunikasi nirkabel, termasuk infrastruktur 5G, sistem radar, dan pengacau sinyal. Kepadatan daya dan konduktivitas termalnya yang tinggi menjadikannya ideal untuk perangkat berdaya tinggi dan berfrekuensi tinggi, memungkinkan kinerja yang lebih baik dan faktor bentuk yang lebih kecil dibandingkan solusi berbasis silikon.

Q4: Berapa lama waktu tunggu dan jumlah pesanan minimum untuk GaN pada wafer Safir?

A4Waktu tunggu dan jumlah pesanan minimum bervariasi tergantung pada ukuran wafer, ketebalan GaN, dan kebutuhan spesifik pelanggan. Silakan hubungi kami langsung untuk mengetahui harga dan ketersediaan detail berdasarkan spesifikasi Anda.

Q5: Dapatkah saya mendapatkan ketebalan lapisan GaN atau tingkat doping khusus?

A5Ya, kami menawarkan kustomisasi ketebalan GaN dan tingkat doping untuk memenuhi kebutuhan aplikasi spesifik. Beri tahu kami spesifikasi yang Anda inginkan, dan kami akan memberikan solusi yang sesuai.