Gallium Nitride (GaN) Epitaxial Tumbuh pada Wafer Safir 4 inci 6 inci untuk MEMS

Gallium Nitride (GaN) Epitaxial Ditumbuhkan pada Wafer Safir 4 inci 6 inci untuk MEMS Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Gallium Nitride (GaN) pada wafer Safir menawarkan kinerja yang tak tertandingi untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi, menjadikannya material yang ideal untuk modul front-end RF (Radio Frequency) generasi berikutnya, lampu LED, dan perangkat semikonduktor lainnya.Bahasa Indonesia: GanKarakteristik listriknya yang unggul, termasuk celah pita yang tinggi, memungkinkannya beroperasi pada tegangan tembus dan suhu yang lebih tinggi daripada perangkat berbasis silikon tradisional. Karena GaN semakin banyak digunakan daripada silikon, GaN mendorong kemajuan dalam bidang elektronik yang membutuhkan material yang ringan, kuat, dan efisien.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Sifat GaN pada Wafer Safir

●Efisiensi Tinggi:Perangkat berbasis GaN menyediakan daya lima kali lebih besar daripada perangkat berbasis silikon, meningkatkan kinerja dalam berbagai aplikasi elektronik, termasuk amplifikasi RF dan optoelektronik.
●Celah Pita Lebar:Celah pita lebar GaN memungkinkan efisiensi tinggi pada suhu tinggi, membuatnya ideal untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.
●Daya tahan:Kemampuan GaN untuk menangani kondisi ekstrem (suhu tinggi dan radiasi) memastikan kinerja tahan lama di lingkungan yang keras.
●Ukuran Kecil:GaN memungkinkan produksi perangkat yang lebih ringkas dan ringan dibandingkan dengan bahan semikonduktor tradisional, memfasilitasi elektronik yang lebih kecil dan lebih bertenaga.

Abstrak

Gallium Nitride (GaN) muncul sebagai semikonduktor pilihan untuk aplikasi canggih yang membutuhkan daya dan efisiensi tinggi, seperti modul front-end RF, sistem komunikasi kecepatan tinggi, dan lampu LED. Wafer epitaksial GaN, bila ditanam pada substrat safir, menawarkan kombinasi konduktivitas termal tinggi, tegangan tembus tinggi, dan respons frekuensi lebar, yang merupakan kunci untuk kinerja optimal dalam perangkat komunikasi nirkabel, radar, dan pengacau. Wafer ini tersedia dalam diameter 4 inci dan 6 inci, dengan ketebalan GaN yang bervariasi untuk memenuhi persyaratan teknis yang berbeda. Sifat unik GaN menjadikannya kandidat utama untuk masa depan elektronika daya.

Parameter Produk

Fitur Produk	Spesifikasi
Diameter Wafer	50mm, 100mm, 50,8mm
Substrat	Safir
Ketebalan Lapisan GaN	0,5 mikron - 10 mikron
Jenis GaN/Doping	Tipe N (tipe P tersedia berdasarkan permintaan)
Orientasi Kristal GaN	<0001>
Jenis Polesan	Poles Satu Sisi (SSP), Poles Dua Sisi (DSP)
Ketebalan Al2O3	430 mikron - 650 mikron
TTV (Total Thickness Variation)	≤ 10 mikron
Busur	≤ 10 mikron
Melengkung	≤ 10 mikron
Luas Permukaan	Luas permukaan yang dapat digunakan > 90%

Tanya Jawab

Q1: Apa keuntungan utama penggunaan GaN dibandingkan semikonduktor berbasis silikon tradisional?

A1: GaN menawarkan beberapa keunggulan signifikan dibanding silikon, termasuk celah pita yang lebih lebar, yang memungkinkannya menangani tegangan tembus yang lebih tinggi dan beroperasi secara efisien pada suhu yang lebih tinggi. Hal ini menjadikan GaN ideal untuk aplikasi berdaya tinggi dan berfrekuensi tinggi seperti modul RF, penguat daya, dan LED. Kemampuan GaN untuk menangani kepadatan daya yang lebih tinggi juga memungkinkan perangkat yang lebih kecil dan lebih efisien dibandingkan dengan alternatif berbasis silikon.

Q2: Dapatkah GaN pada wafer Safir digunakan dalam aplikasi MEMS (Sistem Mikro-Elektro-Mekanik)?

A2: Ya, GaN pada wafer Safir cocok untuk aplikasi MEMS, terutama yang membutuhkan daya tinggi, stabilitas suhu, dan kebisingan rendah. Ketahanan dan efisiensi material dalam lingkungan frekuensi tinggi membuatnya ideal untuk perangkat MEMS yang digunakan dalam sistem komunikasi nirkabel, penginderaan, dan radar.

Q3: Apa saja aplikasi potensial GaN dalam komunikasi nirkabel?

A3: GaN banyak digunakan dalam modul front-end RF untuk komunikasi nirkabel, termasuk infrastruktur 5G, sistem radar, dan pengacau. Kepadatan daya dan konduktivitas termalnya yang tinggi membuatnya sempurna untuk perangkat berdaya tinggi dan berfrekuensi tinggi, memungkinkan kinerja yang lebih baik dan faktor bentuk yang lebih kecil dibandingkan dengan solusi berbasis silikon.

Q4: Berapa lama waktu tunggu dan jumlah pesanan minimum untuk GaN pada wafer Safir?

A4: Waktu tunggu dan jumlah pesanan minimum bervariasi tergantung pada ukuran wafer, ketebalan GaN, dan persyaratan khusus pelanggan. Silakan hubungi kami secara langsung untuk mengetahui harga dan ketersediaan terperinci berdasarkan spesifikasi Anda.

Q5: Bisakah saya mendapatkan ketebalan lapisan GaN atau tingkat doping khusus?

A5: Ya, kami menawarkan kustomisasi ketebalan GaN dan tingkat doping untuk memenuhi kebutuhan aplikasi tertentu. Harap beri tahu kami spesifikasi yang Anda inginkan, dan kami akan memberikan solusi yang disesuaikan.