Substrat wafer epitaksial daya tinggi GaAs, wafer galium arsenida, daya laser panjang gelombang 905nm untuk perawatan medis laser.
Fitur utama lembaran epitaksial laser GaAs meliputi:
1. Mobilitas elektron tinggi: Galium arsenida memiliki mobilitas elektron yang tinggi, yang membuat wafer epitaksial laser GaAs memiliki aplikasi yang baik dalam perangkat frekuensi tinggi dan perangkat elektronik berkecepatan tinggi.
2. Luminesensi transisi celah pita langsung: Sebagai material celah pita langsung, galium arsenida dapat secara efisien mengubah energi listrik menjadi energi cahaya dalam perangkat optoelektronik, sehingga ideal untuk pembuatan laser.
3. Panjang Gelombang: Laser GaAs 905 biasanya beroperasi pada 905 nm, sehingga cocok untuk banyak aplikasi, termasuk biomedis.
4. Efisiensi tinggi: dengan efisiensi konversi fotolistrik yang tinggi, alat ini dapat secara efektif mengubah energi listrik menjadi keluaran laser.
5. Keluaran daya tinggi: Lampu ini dapat menghasilkan keluaran daya tinggi dan cocok untuk skenario aplikasi yang membutuhkan sumber cahaya yang kuat.
6. Performa termal yang baik: Material GaAs memiliki konduktivitas termal yang baik, membantu mengurangi suhu operasi laser dan meningkatkan stabilitas.
7. Kemampuan pengaturan yang luas: Daya keluaran dapat disesuaikan dengan mengubah arus penggerak untuk beradaptasi dengan berbagai kebutuhan aplikasi.
Aplikasi utama tablet epitaksi laser GaAs meliputi:
1. Komunikasi serat optik: Lembaran epitaksial laser GaAs dapat digunakan untuk memproduksi laser dalam komunikasi serat optik untuk mencapai transmisi sinyal optik berkecepatan tinggi dan jarak jauh.
2. Aplikasi industri: Di bidang industri, lembaran epitaksial laser GaAs dapat digunakan untuk pengukuran jarak laser, penandaan laser, dan aplikasi lainnya.
3. VCSEL: Laser pemancar permukaan rongga vertikal (VCSEL) adalah bidang aplikasi penting dari lembaran epitaksial laser GaAs, yang banyak digunakan dalam komunikasi optik, penyimpanan optik, dan penginderaan optik.
4. Bidang inframerah dan titik fokus: Lembaran epitaksial laser GaAs juga dapat digunakan untuk memproduksi laser inframerah, generator titik fokus, dan perangkat lainnya, memainkan peran penting dalam deteksi inframerah, tampilan cahaya, dan bidang lainnya.
Pembuatan lembaran epitaksial laser GaAs terutama bergantung pada teknologi pertumbuhan epitaksial, termasuk deposisi uap kimia metal-organik (MOCVD), epitaksi berkas molekuler (MBE), dan metode lainnya. Teknik-teknik ini dapat mengontrol secara tepat ketebalan, komposisi, dan struktur kristal lapisan epitaksial untuk mendapatkan lembaran epitaksial laser GaAs berkualitas tinggi.
XKH menawarkan kustomisasi lembaran epitaksial GaAs dalam berbagai struktur dan ketebalan, mencakup berbagai aplikasi di bidang komunikasi optik, VCSEL, inframerah, dan titik cahaya. Produk XKH diproduksi dengan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan kinerja dan keandalan yang tinggi. Dari segi logistik, XKH memiliki berbagai saluran sumber internasional, yang dapat secara fleksibel menangani jumlah pesanan, dan menyediakan layanan bernilai tambah seperti pemurnian dan pembagian. Proses pengiriman yang efisien memastikan pengiriman tepat waktu dan memenuhi persyaratan pelanggan untuk kualitas dan waktu pengiriman. Pelanggan dapat memperoleh dukungan teknis komprehensif dan layanan purna jual setelah produk tiba untuk memastikan produk dapat digunakan dengan lancar.
Diagram Terperinci



