Wafer Epitaksial GaN-on-SiC yang Disesuaikan (100mm, 150mm) – Beberapa Pilihan Substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Deskripsi Singkat:

Wafer Epitaksial GaN-on-SiC Kustom kami menawarkan kinerja superior untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi dengan menggabungkan sifat luar biasa Gallium Nitride (GaN) dengan konduktivitas termal dan kekuatan mekanis yang kuatKarbida silikon (SiC)Tersedia dalam ukuran wafer 100 mm dan 150 mm, wafer ini dibuat pada berbagai pilihan substrat SiC, termasuk tipe 4H-N, HPSI, dan 4H/6H-P, yang dirancang khusus untuk memenuhi persyaratan khusus untuk elektronika daya, penguat RF, dan perangkat semikonduktor canggih lainnya. Dengan lapisan epitaksial yang dapat disesuaikan dan substrat SiC yang unik, wafer kami dirancang untuk memastikan efisiensi tinggi, manajemen termal, dan keandalan untuk aplikasi industri yang menuntut.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Fitur

●Ketebalan Lapisan Epitaksial: Dapat disesuaikan dari1,0 mikronke3,5 mikron, dioptimalkan untuk kinerja daya dan frekuensi tinggi.

●Pilihan Substrat SiC: Tersedia dengan berbagai substrat SiC, termasuk:

4H-N: 4H-SiC berdoping Nitrogen berkualitas tinggi untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi.
HPSI: SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi untuk aplikasi yang memerlukan isolasi listrik.
4H/6H-P: Campuran 4H dan 6H-SiC untuk keseimbangan efisiensi dan keandalan yang tinggi.

●Ukuran Wafer: Tersedia dalamUkuran 100 mmDan150 mm2diameter untuk fleksibilitas dalam penskalaan dan integrasi perangkat.

●Tegangan Terobosan Tinggi: GaN pada teknologi SiC memberikan tegangan tembus yang tinggi, memungkinkan kinerja yang tangguh dalam aplikasi daya tinggi.

●Konduktivitas Termal Tinggi:Konduktivitas termal bawaan SiC (sekitar 490 W/m·K) memastikan pembuangan panas yang sangat baik untuk aplikasi yang membutuhkan daya intensif.

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Diameter Wafer	100mm, 150mm
Ketebalan Lapisan Epitaksial	1,0 µm – 3,5 µm (dapat disesuaikan)
Jenis Substrat SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Konduktivitas Termal SiC	490 W/m·K
Resistivitas SiC	4H-N: 10^6Ω·cm,HPSI: Semi-Isolasi,4H/6H-P: Campuran 4H/6H
Ketebalan Lapisan GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Konsentrasi Pembawa GaN	10^18 cm^-3 hingga 10^19 cm^-3 (dapat disesuaikan)
Kualitas Permukaan Wafer	Kekasaran RMS: < 1nm
Kepadatan Dislokasi	< 1x10^6cm^-2
Busur Wafer	Ukuran: < 50 µm
Kerataan Wafer	Ukuran: < 5 µm
Suhu Operasional Maksimum	400°C (umum untuk perangkat GaN-on-SiC)

Aplikasi

●Elektronika Daya:Wafer GaN-on-SiC memberikan efisiensi dan pembuangan panas yang tinggi, menjadikannya ideal untuk penguat daya, perangkat konversi daya, dan rangkaian inverter daya yang digunakan dalam kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan mesin industri.
●Penguat Daya RF:Kombinasi GaN dan SiC sangat cocok untuk aplikasi RF frekuensi tinggi dan daya tinggi seperti telekomunikasi, komunikasi satelit, dan sistem radar.
●Dirgantara dan Pertahanan:Wafer ini cocok untuk teknologi kedirgantaraan dan pertahanan yang memerlukan elektronika daya berkinerja tinggi dan sistem komunikasi yang dapat beroperasi dalam kondisi sulit.
●Aplikasi Otomotif:Ideal untuk sistem daya berkinerja tinggi pada kendaraan listrik (EV), kendaraan hibrida (HEV), dan stasiun pengisian daya, yang memungkinkan konversi dan kontrol daya yang efisien.
●Sistem Militer dan Radar:Wafer GaN-on-SiC digunakan dalam sistem radar karena efisiensinya yang tinggi, kemampuan penanganan daya, dan kinerja termal di lingkungan yang menantang.
●Aplikasi Gelombang Mikro dan Gelombang Milimeter:Untuk sistem komunikasi generasi berikutnya, termasuk 5G, GaN-on-SiC memberikan kinerja optimal dalam gelombang mikro dan gelombang milimeter berdaya tinggi.

Tanya Jawab

Q1: Apa keuntungan menggunakan SiC sebagai substrat untuk GaN?

Sebuah nomor 1:Karbida Silikon (SiC) menawarkan konduktivitas termal yang unggul, tegangan tembus yang tinggi, dan kekuatan mekanis dibandingkan dengan substrat tradisional seperti silikon. Hal ini menjadikan wafer GaN-on-SiC ideal untuk aplikasi berdaya tinggi, berfrekuensi tinggi, dan bersuhu tinggi. Substrat SiC membantu menghilangkan panas yang dihasilkan oleh perangkat GaN, sehingga meningkatkan keandalan dan kinerja.

Q2: Dapatkah ketebalan lapisan epitaksial disesuaikan untuk aplikasi tertentu?

Sebuah nomor 2:Ya, ketebalan lapisan epitaksial dapat disesuaikan dalam kisaran1,0 µm hingga 3,5 µm, tergantung pada kebutuhan daya dan frekuensi aplikasi Anda. Kami dapat menyesuaikan ketebalan lapisan GaN untuk mengoptimalkan kinerja untuk perangkat tertentu seperti penguat daya, sistem RF, atau sirkuit frekuensi tinggi.

Q3: Apa perbedaan antara substrat SiC 4H-N, HPSI, dan 4H/6H-P?

A3:

4H-N: 4H-SiC yang didoping nitrogen umumnya digunakan untuk aplikasi frekuensi tinggi yang memerlukan kinerja elektronik tinggi.
HPSI: SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi menyediakan isolasi listrik, ideal untuk aplikasi yang membutuhkan konduktivitas listrik minimal.
4H/6H-P: Campuran 4H dan 6H-SiC yang menyeimbangkan kinerja, menawarkan kombinasi efisiensi tinggi dan ketahanan, cocok untuk berbagai aplikasi elektronika daya.

Q4: Apakah wafer GaN-on-SiC ini cocok untuk aplikasi daya tinggi seperti kendaraan listrik dan energi terbarukan?

A4:Ya, wafer GaN-on-SiC sangat cocok untuk aplikasi berdaya tinggi seperti kendaraan listrik, energi terbarukan, dan sistem industri. Tegangan tembus yang tinggi, konduktivitas termal yang tinggi, dan kemampuan penanganan daya dari perangkat GaN-on-SiC memungkinkannya untuk bekerja secara efektif dalam rangkaian konversi daya dan kontrol yang menuntut.

Q5: Berapa kerapatan dislokasi tipikal untuk wafer ini?

Jwb:Kepadatan dislokasi wafer GaN-on-SiC ini biasanya< 1x10^6cm^-2, yang memastikan pertumbuhan epitaksial berkualitas tinggi, meminimalkan cacat, dan meningkatkan kinerja dan keandalan perangkat.

Q6: Dapatkah saya meminta ukuran wafer atau jenis substrat SiC tertentu?

J6:Ya, kami menawarkan ukuran wafer yang disesuaikan (100mm dan 150mm) dan jenis substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) untuk memenuhi kebutuhan spesifik aplikasi Anda. Silakan hubungi kami untuk opsi penyesuaian lebih lanjut dan untuk mendiskusikan kebutuhan Anda.

Q7: Bagaimana kinerja wafer GaN-on-SiC di lingkungan ekstrem?

J7:Wafer GaN-on-SiC ideal untuk lingkungan ekstrem karena stabilitas termalnya yang tinggi, penanganan daya yang tinggi, dan kemampuan pembuangan panas yang sangat baik. Wafer ini bekerja dengan baik dalam kondisi suhu tinggi, daya tinggi, dan frekuensi tinggi yang umum ditemui dalam aplikasi kedirgantaraan, pertahanan, dan industri.

Kesimpulan

Wafer Epitaksial GaN-on-SiC Kustom kami menggabungkan sifat canggih GaN dan SiC untuk memberikan kinerja yang unggul dalam aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan beberapa opsi substrat SiC dan lapisan epitaksial yang dapat disesuaikan, wafer ini ideal untuk industri yang membutuhkan efisiensi tinggi, manajemen termal, dan keandalan. Baik untuk elektronika daya, sistem RF, atau aplikasi pertahanan, wafer GaN-on-SiC kami menawarkan kinerja dan fleksibilitas yang Anda butuhkan.