Wafer Epitaksial GaN-on-SiC yang Disesuaikan (100mm, 150mm) – Berbagai Pilihan Substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Deskripsi Singkat:

Wafer Epitaksial GaN-on-SiC Kustom kami menawarkan kinerja superior untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi dengan menggabungkan sifat luar biasa dari Gallium Nitride (GaN) dengan konduktivitas termal dan kekuatan mekanik yang kuat dariSilikon Karbida (SiC)Tersedia dalam ukuran wafer 100mm dan 150mm, wafer ini dibuat di atas berbagai pilihan substrat SiC, termasuk tipe 4H-N, HPSI, dan 4H/6H-P, yang dirancang untuk memenuhi persyaratan khusus untuk elektronika daya, penguat RF, dan perangkat semikonduktor canggih lainnya. Dengan lapisan epitaksial yang dapat disesuaikan dan substrat SiC yang unik, wafer kami dirancang untuk memastikan efisiensi tinggi, manajemen termal, dan keandalan untuk aplikasi industri yang menuntut.

Kirim email kepada kami

Fitur

●Ketebalan Lapisan Epitaksial: Dapat disesuaikan dari1,0 µmke3,5 µmDioptimalkan untuk kinerja daya dan frekuensi tinggi.

●Opsi Substrat SiCTersedia dengan berbagai substrat SiC, termasuk:

4H-N: Silikon karbida 4H berkualitas tinggi yang didoping nitrogen untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi.
HPSI: SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi untuk aplikasi yang membutuhkan isolasi listrik.
4H/6H-P: Campuran 4H dan 6H-SiC untuk keseimbangan antara efisiensi dan keandalan yang tinggi.

●Ukuran WaferTersedia dalam100 mmDan150 mmDiameter untuk fleksibilitas dalam penskalaan dan integrasi perangkat.

●Tegangan Tembus TinggiTeknologi GaN pada SiC memberikan tegangan tembus tinggi, memungkinkan kinerja yang andal dalam aplikasi daya tinggi.

●Konduktivitas Termal TinggiKonduktivitas termal intrinsik SiC (kira-kira 490 W/m·K) memastikan pembuangan panas yang sangat baik untuk aplikasi yang membutuhkan daya tinggi.

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Diameter Wafer	100 mm, 150 mm
Ketebalan Lapisan Epitaksial	1,0 µm – 3,5 µm (dapat disesuaikan)
Jenis Substrat SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Konduktivitas Termal SiC	490 W/m·K
Resistivitas SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-Isolasi,4H/6H-P: Campuran 4 jam/6 jam
Ketebalan Lapisan GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Konsentrasi Pembawa GaN	10^18 cm^-3 hingga 10^19 cm^-3 (dapat disesuaikan)
Kualitas Permukaan Wafer	Kekasaran RMS: < 1 nm
Kepadatan Dislokasi	< 1 x 10^6 cm^-2
Busur Wafer	< 50 µm
Kerataan Wafer	< 5 µm
Suhu Operasi Maksimum	400°C (umum untuk perangkat GaN-on-SiC)

Aplikasi

●Elektronik Daya:Wafer GaN-on-SiC memberikan efisiensi dan pembuangan panas yang tinggi, menjadikannya ideal untuk penguat daya, perangkat konversi daya, dan rangkaian inverter daya yang digunakan dalam kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan mesin industri.
●Penguat Daya RF:Kombinasi GaN dan SiC sangat cocok untuk aplikasi RF frekuensi tinggi dan daya tinggi seperti telekomunikasi, komunikasi satelit, dan sistem radar.
●Dirgantara dan Pertahanan:Wafer ini cocok untuk teknologi kedirgantaraan dan pertahanan yang membutuhkan elektronika daya dan sistem komunikasi berkinerja tinggi yang dapat beroperasi dalam kondisi yang berat.
●Aplikasi Otomotif:Ideal untuk sistem daya berkinerja tinggi pada kendaraan listrik (EV), kendaraan hibrida (HEV), dan stasiun pengisian daya, memungkinkan konversi dan kontrol daya yang efisien.
●Sistem Militer dan Radar:Wafer GaN-on-SiC digunakan dalam sistem radar karena efisiensinya yang tinggi, kemampuan penanganan daya, dan kinerja termal di lingkungan yang menuntut.
●Aplikasi Gelombang Mikro dan Gelombang Milimeter:Untuk sistem komunikasi generasi berikutnya, termasuk 5G, GaN-on-SiC memberikan kinerja optimal dalam rentang gelombang mikro dan gelombang milimeter berdaya tinggi.

Tanya Jawab

Q1: Apa saja manfaat menggunakan SiC sebagai substrat untuk GaN?

A1:Silikon Karbida (SiC) menawarkan konduktivitas termal yang unggul, tegangan tembus yang tinggi, dan kekuatan mekanik dibandingkan dengan substrat tradisional seperti silikon. Hal ini menjadikan wafer GaN-on-SiC ideal untuk aplikasi daya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi. Substrat SiC membantu menghilangkan panas yang dihasilkan oleh perangkat GaN, sehingga meningkatkan keandalan dan kinerja.

Q2: Dapatkah ketebalan lapisan epitaksial disesuaikan untuk aplikasi tertentu?

A2:Ya, ketebalan lapisan epitaksial dapat disesuaikan dalam kisaran tertentu.1,0 µm hingga 3,5 µmTergantung pada kebutuhan daya dan frekuensi aplikasi Anda. Kami dapat menyesuaikan ketebalan lapisan GaN untuk mengoptimalkan kinerja untuk perangkat tertentu seperti penguat daya, sistem RF, atau sirkuit frekuensi tinggi.

Q3: Apa perbedaan antara substrat SiC 4H-N, HPSI, dan 4H/6H-P?

A3:

4H-N: 4H-SiC yang didoping nitrogen umumnya digunakan untuk aplikasi frekuensi tinggi yang membutuhkan kinerja elektronik tinggi.
HPSI: SiC semi-isolasi dengan kemurnian tinggi memberikan isolasi listrik, ideal untuk aplikasi yang membutuhkan konduktivitas listrik minimal.
4H/6H-P: Campuran 4H dan 6H-SiC yang menyeimbangkan kinerja, menawarkan kombinasi efisiensi tinggi dan ketahanan, cocok untuk berbagai aplikasi elektronika daya.

Q4: Apakah wafer GaN-on-SiC ini cocok untuk aplikasi daya tinggi seperti kendaraan listrik dan energi terbarukan?

A4:Ya, wafer GaN-on-SiC sangat cocok untuk aplikasi daya tinggi seperti kendaraan listrik, energi terbarukan, dan sistem industri. Tegangan tembus yang tinggi, konduktivitas termal yang tinggi, dan kemampuan penanganan daya dari perangkat GaN-on-SiC memungkinkan mereka untuk bekerja secara efektif dalam sirkuit konversi dan kontrol daya yang menuntut.

Q5: Berapakah kerapatan dislokasi tipikal untuk wafer ini?

A5:Kepadatan dislokasi pada wafer GaN-on-SiC ini biasanya< 1 x 10^6 cm^-2yang memastikan pertumbuhan epitaksial berkualitas tinggi, meminimalkan cacat, dan meningkatkan kinerja serta keandalan perangkat.

Q6: Dapatkah saya meminta ukuran wafer atau jenis substrat SiC tertentu?

A6:Ya, kami menawarkan ukuran wafer yang disesuaikan (100mm dan 150mm) dan jenis substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) untuk memenuhi kebutuhan spesifik aplikasi Anda. Silakan hubungi kami untuk opsi penyesuaian lebih lanjut dan untuk mendiskusikan kebutuhan Anda.

Q7: Bagaimana kinerja wafer GaN-on-SiC di lingkungan ekstrem?

A7:Wafer GaN-on-SiC sangat ideal untuk lingkungan ekstrem karena stabilitas termalnya yang tinggi, kemampuan penanganan daya yang tinggi, dan kemampuan pembuangan panas yang sangat baik. Wafer ini berkinerja baik dalam kondisi suhu tinggi, daya tinggi, dan frekuensi tinggi yang umum ditemui dalam aplikasi kedirgantaraan, pertahanan, dan industri.

Kesimpulan

Wafer Epitaksial GaN-on-SiC Kustom kami menggabungkan sifat-sifat canggih GaN dan SiC untuk memberikan kinerja superior dalam aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan berbagai pilihan substrat SiC dan lapisan epitaksial yang dapat disesuaikan, wafer ini ideal untuk industri yang membutuhkan efisiensi tinggi, manajemen termal, dan keandalan. Baik untuk elektronika daya, sistem RF, atau aplikasi pertahanan, wafer GaN-on-SiC kami menawarkan kinerja dan fleksibilitas yang Anda butuhkan.