Wafer AlN-on-NPSS: Lapisan Aluminium Nitrida Berkinerja Tinggi pada Substrat Safir yang Tidak Dipoles untuk Aplikasi Suhu Tinggi, Daya Tinggi, dan RF

Deskripsi Singkat:

Wafer AlN-on-NPSS menggabungkan lapisan aluminium nitrida (AlN) berkinerja tinggi dengan substrat safir non-poles (NPSS) untuk menawarkan solusi ideal untuk aplikasi suhu tinggi, daya tinggi, dan frekuensi radio (RF). Kombinasi unik dari konduktivitas termal dan sifat listrik AlN yang luar biasa, bersama dengan kekuatan mekanik substrat yang sangat baik, menjadikan wafer ini pilihan utama untuk aplikasi yang menuntut seperti elektronika daya, perangkat frekuensi tinggi, dan komponen optik. Dengan pembuangan panas yang sangat baik, kerugian rendah, dan kompatibilitas dengan lingkungan suhu tinggi, wafer ini memungkinkan pengembangan perangkat generasi berikutnya dengan kinerja superior.

Kirim email kepada kami

Fitur

Lapisan AlN Berkinerja TinggiAluminium Nitrida (AlN) dikenal karenakonduktivitas termal tinggi(~200 W/m·K),celah pita lebar, Dantegangan tembus tinggi, menjadikannya material yang ideal untukdaya tinggi, frekuensi tinggi, Dansuhu tinggiaplikasi.

Substrat Safir Tidak Dipoles (NPSS)Safir yang tidak dipoles memberikanhemat biaya, kokoh secara mekanisalas ini memastikan fondasi yang stabil untuk pertumbuhan epitaksial tanpa kerumitan pemolesan permukaan. Sifat mekanik NPSS yang sangat baik membuatnya tahan lama untuk lingkungan yang menantang.

Stabilitas Termal TinggiWafer AlN-on-NPSS dapat menahan fluktuasi suhu ekstrem, sehingga cocok untuk digunakan dalamelektronika daya, sistem otomotif, LED, Danaplikasi optikyang membutuhkan kinerja stabil dalam kondisi suhu tinggi.

Isolasi ListrikAlN memiliki sifat isolasi listrik yang sangat baik, sehingga sangat cocok untuk aplikasi di manaisolasi listriksangat penting, termasukPerangkat RFDanelektronik gelombang mikro.

Pembuangan Panas yang UnggulDengan konduktivitas termal yang tinggi, lapisan AlN memastikan pembuangan panas yang efektif, yang sangat penting untuk menjaga kinerja dan umur panjang perangkat yang beroperasi di bawah daya dan frekuensi tinggi.

Parameter Teknis

Parameter	Spesifikasi
Diameter Wafer	2 inci, 4 inci (ukuran khusus tersedia)
Jenis Substrat	Substrat Safir Tidak Dipoles (NPSS)
Ketebalan Lapisan AlN	2µm hingga 10µm (dapat disesuaikan)
Ketebalan Substrat	430µm ± 25µm (untuk ukuran 2 inci), 500µm ± 25µm (untuk ukuran 4 inci)
Konduktivitas Termal	200 W/m·K
Resistivitas Listrik	Isolasi tinggi, cocok untuk aplikasi RF.
Kekasaran Permukaan	Ra ≤ 0,5µm (untuk lapisan AlN)
Kemurnian Material	AlN dengan kemurnian tinggi (99,9%)
Warna	Putih/Putih Pudar (lapisan AlN dengan substrat NPSS berwarna terang)
Lengkungan Wafer	< 30µm (tipikal)
Jenis Doping	Tidak diberi doping (dapat disesuaikan)

Aplikasi

Ituwafer AlN-on-NPSSdirancang untuk berbagai aplikasi berkinerja tinggi di berbagai industri:

Elektronik Daya TinggiKonduktivitas termal dan sifat isolasi lapisan AlN yang tinggi menjadikannya material yang ideal untuk...transistor daya, penyearah, DanIC dayadigunakan dalamotomotif, industri, Danenergi terbarukansistem.

Komponen Frekuensi Radio (RF)Sifat isolasi listrik AlN yang sangat baik, ditambah dengan kerugiannya yang rendah, memungkinkan produksiTransistor RF, HEMT (Transistor dengan Mobilitas Elektron Tinggi)dan lainnyakomponen gelombang mikroyang beroperasi secara efisien pada frekuensi dan tingkat daya tinggi.

Perangkat OptikWafer AlN-on-NPSS digunakan dalamdioda laser, LED, Danfotodetektor, di manakonduktivitas termal tinggiDankekokohan mekanissangat penting untuk mempertahankan kinerja dalam jangka waktu yang lama.

Sensor Suhu TinggiKemampuan wafer untuk menahan panas ekstrem membuatnya cocok untuksensor suhuDanpemantauan lingkungandi industri sepertikedirgantaraan, otomotif, Danminyak & gas.

Pengemasan SemikonduktorDigunakan dalam penyebar panasDanlapisan manajemen termaldalam sistem pengemasan, memastikan keandalan dan efisiensi semikonduktor.

Tanya Jawab

T: Apa keunggulan utama wafer AlN-on-NPSS dibandingkan material tradisional seperti silikon?

A: Keunggulan utamanya adalah AlN.konduktivitas termal tinggi, yang memungkinkannya untuk menghilangkan panas secara efisien, sehingga ideal untukdaya tinggiDanaplikasi frekuensi tinggidi mana manajemen panas sangat penting. Selain itu, AlN memilikicelah pita lebardan sangat baikisolasi listrik, sehingga menjadikannya lebih unggul untuk digunakan dalamRFDanperangkat gelombang mikrodibandingkan dengan silikon tradisional.

T: Bisakah lapisan AlN pada wafer NPSS dikustomisasi?

A: Ya, lapisan AlN dapat disesuaikan ketebalannya (mulai dari 2µm hingga 10µm atau lebih) untuk memenuhi kebutuhan spesifik aplikasi Anda. Kami juga menawarkan penyesuaian dalam hal jenis doping (tipe N atau tipe P) dan lapisan tambahan untuk fungsi khusus.

T: Apa aplikasi tipikal untuk wafer ini di industri otomotif?

A: Di industri otomotif, wafer AlN-on-NPSS umumnya digunakan dalamelektronika daya, Sistem pencahayaan LED, Dansensor suhuMereka menyediakan manajemen termal dan isolasi listrik yang unggul, yang sangat penting untuk sistem efisiensi tinggi yang beroperasi dalam kondisi suhu yang bervariasi.