Wafer AlN-on-NPSS: Lapisan Aluminium Nitrida Berkinerja Tinggi pada Substrat Safir Non-Polandia untuk Aplikasi Suhu Tinggi, Daya Tinggi, dan RF

Deskripsi Singkat:

Wafer AlN-on-NPSS menggabungkan lapisan aluminium nitrida (AlN) berkinerja tinggi dengan substrat safir non-poles (NPSS) untuk menawarkan solusi ideal untuk aplikasi suhu tinggi, daya tinggi, dan frekuensi radio (RF). Kombinasi unik antara konduktivitas termal dan sifat listrik AlN yang luar biasa, serta kekuatan mekanis substrat yang unggul, menjadikan wafer ini pilihan utama untuk aplikasi berat seperti elektronika daya, perangkat frekuensi tinggi, dan komponen optik. Dengan disipasi panas yang sangat baik, kehilangan panas yang rendah, dan kompatibilitas dengan lingkungan suhu tinggi, wafer ini memungkinkan pengembangan perangkat generasi mendatang dengan kinerja superior.

Kirim email ke kami

Fitur

Lapisan AlN Berkinerja Tinggi:Aluminium Nitrida (AlN) dikenal karenakonduktivitas termal tinggi(~200 W/m·K),celah pita lebar, Dantegangan tembus tinggi, menjadikannya bahan yang ideal untukdaya tinggi, frekuensi tinggi, Dansuhu tinggiaplikasi.

Substrat Safir Non-Polandia (NPSS):Safir yang tidak dipoles memberikanhemat biaya, kuat secara mekanisdasar, memastikan fondasi yang stabil untuk pertumbuhan epitaksial tanpa kerumitan pemolesan permukaan. Sifat mekanis NPSS yang unggul membuatnya tahan lama di lingkungan yang menantang.

Stabilitas Termal Tinggi:Wafer AlN-on-NPSS dapat menahan fluktuasi suhu ekstrem, sehingga cocok untuk digunakan dielektronika daya, sistem otomotif, Lampu LED, Danaplikasi optikyang memerlukan kinerja stabil dalam kondisi suhu tinggi.

Isolasi Listrik:AlN memiliki sifat isolasi listrik yang sangat baik, sehingga sangat cocok untuk aplikasi di manaisolasi listriksangat penting, termasukPerangkat RFDanelektronik gelombang mikro.

Pembuangan Panas yang Unggul: Dengan konduktivitas termal yang tinggi, lapisan AlN memastikan pembuangan panas yang efektif, yang penting untuk menjaga kinerja dan umur panjang perangkat yang beroperasi dengan daya dan frekuensi tinggi.

Parameter Teknis

Parameter	Spesifikasi
Diameter Wafer	2 inci, 4 inci (ukuran khusus tersedia)
Jenis Substrat	Substrat Safir Non-Polandia (NPSS)
Ketebalan Lapisan AlN	2µm hingga 10µm (dapat disesuaikan)
Ketebalan Substrat	430µm ± 25µm (untuk 2 inci), 500µm ± 25µm (untuk 4 inci)
Konduktivitas Termal	200 W/m·K
Resistivitas Listrik	Isolasi tinggi, cocok untuk aplikasi RF
Kekasaran Permukaan	Ra ≤ 0,5µm (untuk lapisan AlN)
Kemurnian Material	AlN dengan kemurnian tinggi (99,9%)
Warna	Putih/Putih Pucat (lapisan AlN dengan substrat NPSS berwarna terang)
Wafer Warp	< 30µm (khas)
Jenis Doping	Tidak didoping (dapat disesuaikan)

Aplikasi

ItuWafer AlN-pada-NPSSdirancang untuk berbagai macam aplikasi berkinerja tinggi di beberapa industri:

Elektronika Daya Tinggi:Konduktivitas termal dan sifat isolasi lapisan AlN yang tinggi menjadikannya material yang ideal untuktransistor daya, penyearah, DanIC dayadigunakan dalamotomotif, industri, Danenergi terbarukansistem.

Komponen Frekuensi Radio (RF):Sifat isolasi listrik AlN yang sangat baik, ditambah dengan kerugiannya yang rendah, memungkinkan produksiTransistor RF, HEMT (Transistor Mobilitas Elektron Tinggi), dan lainnyakomponen gelombang mikroyang beroperasi secara efisien pada frekuensi dan tingkat daya tinggi.

Perangkat Optik:Wafer AlN-on-NPSS digunakan dalamdioda laser, Lampu LED, Danfotodetektor, dimanakonduktivitas termal tinggiDankekokohan mekanispenting untuk mempertahankan kinerja dalam jangka waktu lama.

Sensor Suhu Tinggi:Kemampuan wafer untuk menahan panas ekstrim membuatnya cocok untuksensor suhuDanpemantauan lingkungandi industri sepertikedirgantaraan, otomotif, Danminyak dan gas.

Pengemasan Semikonduktor: Digunakan dalam penyebar panasDanlapisan manajemen termaldalam sistem pengemasan, memastikan keandalan dan efisiensi semikonduktor.

Tanya Jawab

T: Apa keuntungan utama wafer AlN-on-NPSS dibandingkan material tradisional seperti silikon?

A: Keunggulan utama AlN adalahkonduktivitas termal tinggi, yang memungkinkannya menghilangkan panas secara efisien, sehingga ideal untukdaya tinggiDanaplikasi frekuensi tinggidi mana manajemen panas sangat penting. Selain itu, AlN memilikicelah pita lebardan sangat baikisolasi listrik, membuatnya lebih unggul untuk digunakan diRFDanperangkat gelombang mikrodibandingkan dengan silikon tradisional.

T: Dapatkah lapisan AlN pada wafer NPSS disesuaikan?

A: Ya, lapisan AlN dapat disesuaikan ketebalannya (mulai dari 2µm hingga 10µm atau lebih) untuk memenuhi kebutuhan spesifik aplikasi Anda. Kami juga menawarkan penyesuaian jenis doping (tipe-N atau tipe-P) dan lapisan tambahan untuk fungsi khusus.

T: Apa aplikasi khas wafer ini dalam industri otomotif?

A: Dalam industri otomotif, wafer AlN-on-NPSS umumnya digunakan dalamelektronika daya, Sistem pencahayaan LED, Dansensor suhuMereka menyediakan manajemen termal dan insulasi listrik yang unggul, yang penting untuk sistem efisiensi tinggi yang beroperasi dalam berbagai kondisi suhu.