Templat AlN pada FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS AlN untuk area semikonduktor

Deskripsi Singkat:

Wafer AlN pada FSS (Substrat Fleksibel) menawarkan kombinasi unik dari konduktivitas termal, kekuatan mekanik, dan sifat isolasi listrik yang luar biasa dari Aluminium Nitrida (AlN), yang dipadukan dengan fleksibilitas substrat berkinerja tinggi. Wafer 2 inci dan 4 inci ini dirancang khusus untuk aplikasi semikonduktor canggih, terutama di mana manajemen termal dan fleksibilitas perangkat sangat penting. Dengan pilihan NPSS (Substrat Tidak Dipoles) dan FSS (Substrat Fleksibel) sebagai dasarnya, templat AlN ini ideal untuk aplikasi dalam elektronika daya, perangkat RF, dan sistem elektronik fleksibel, di mana konduktivitas termal tinggi dan integrasi fleksibel merupakan kunci untuk meningkatkan kinerja dan keandalan perangkat.

Kirim email kepada kami

Fitur

Properti

Komposisi Material:
Aluminium Nitrida (AlN) – Lapisan keramik putih berkinerja tinggi yang memberikan konduktivitas termal yang sangat baik (biasanya 200-300 W/m·K), isolasi listrik yang baik, dan kekuatan mekanik yang tinggi.
Substrat Fleksibel (FSS) – Film polimer fleksibel (seperti Polimida, PET, dll.) yang menawarkan daya tahan dan kelenturan tanpa mengorbankan fungsionalitas lapisan AlN.

Ukuran Wafer yang Tersedia:
2 inci (50,8 mm)
4 inci (100 mm)

Ketebalan:
Lapisan AlN: 100-2000nm
Ketebalan Substrat FSS: 50µm-500µm (dapat disesuaikan berdasarkan kebutuhan)

Opsi Finishing Permukaan:
NPSS (Non-Polished Substrate) – Permukaan substrat yang tidak dipoles, cocok untuk aplikasi tertentu yang membutuhkan profil permukaan yang lebih kasar untuk adhesi atau integrasi yang lebih baik.
FSS (Flexible Substrate) – Film fleksibel yang dipoles atau tidak dipoles, dengan pilihan permukaan halus atau bertekstur, tergantung pada kebutuhan aplikasi spesifik.

Sifat-Sifat Kelistrikan:
Isolasi – Sifat isolasi listrik AlN menjadikannya ideal untuk aplikasi semikonduktor tegangan tinggi dan daya tinggi.
Konstanta Dielektrik: ~9,5
Konduktivitas Termal: 200-300 W/m·K (tergantung pada jenis dan ketebalan AlN tertentu)

Sifat Mekanis:
Fleksibilitas: AlN diendapkan pada substrat fleksibel (FSS) yang memungkinkan pembengkokan dan fleksibilitas.
Kekerasan Permukaan: AlN sangat tahan lama dan tahan terhadap kerusakan fisik dalam kondisi pengoperasian normal.

Aplikasi

Perangkat Daya TinggiIdeal untuk elektronika daya yang membutuhkan pembuangan panas tinggi, seperti konverter daya, penguat RF, dan modul LED daya tinggi.

Komponen RF dan Gelombang MikroCocok untuk komponen seperti antena, filter, dan resonator yang membutuhkan konduktivitas termal dan fleksibilitas mekanis.

Elektronik FleksibelSangat cocok untuk aplikasi di mana perangkat perlu menyesuaikan diri dengan permukaan yang tidak rata atau membutuhkan desain yang ringan dan fleksibel (misalnya, perangkat yang dapat dikenakan, sensor fleksibel).

Pengemasan SemikonduktorDigunakan sebagai substrat dalam kemasan semikonduktor, menawarkan pembuangan panas dalam aplikasi yang menghasilkan panas tinggi.

LED dan OptoelektronikUntuk perangkat yang membutuhkan pengoperasian suhu tinggi dengan pembuangan panas yang kuat.

Tabel Parameter

Milik	Nilai atau Rentang
Ukuran Wafer	2 inci (50,8 mm), 4 inci (100 mm)
Ketebalan Lapisan AlN	100nm – 2000nm
Ketebalan Substrat FSS	50µm – 500µm (dapat disesuaikan)
Konduktivitas Termal	200 – 300 W/m·K
Sifat Kelistrikan	Bahan isolasi (Konstanta Dielektrik: ~9,5)
Lapisan Permukaan	Dipoles atau Tidak Dipoles
Jenis Substrat	NPSS (Substrat Tidak Dipoles), FSS (Substrat Fleksibel)
Fleksibilitas Mekanis	Fleksibilitas tinggi, ideal untuk elektronik fleksibel.
Warna	Putih hingga Putih Pudar (tergantung substrat)

Aplikasi

●Elektronik Daya:Kombinasi antara konduktivitas termal yang tinggi dan fleksibilitas menjadikan wafer ini sempurna untuk perangkat daya seperti konverter daya, transistor, dan regulator tegangan yang membutuhkan pembuangan panas yang efisien.
●Perangkat RF/Mikrowave:Karena sifat termal AlN yang unggul dan konduktivitas listrik yang rendah, wafer ini digunakan dalam komponen RF seperti amplifier, osilator, dan antena.
●Elektronik Fleksibel:Fleksibilitas lapisan FSS yang dikombinasikan dengan manajemen termal AlN yang sangat baik menjadikannya pilihan ideal untuk elektronik dan sensor yang dapat dikenakan.
●Kemasan Semikonduktor:Digunakan untuk pengemasan semikonduktor berkinerja tinggi di mana pembuangan panas yang efektif dan keandalan sangat penting.
●Aplikasi LED & Optoelektronik:Aluminium Nitrida adalah material yang sangat baik untuk kemasan LED dan perangkat optoelektronik lainnya yang membutuhkan ketahanan panas tinggi.

Tanya Jawab (Pertanyaan yang Sering Diajukan)

Q1: Apa manfaat menggunakan AlN pada wafer FSS?

A1AlN pada wafer FSS menggabungkan konduktivitas termal tinggi dan sifat isolasi listrik AlN dengan fleksibilitas mekanis substrat polimer. Hal ini memungkinkan pembuangan panas yang lebih baik dalam sistem elektronik fleksibel sambil mempertahankan integritas perangkat dalam kondisi tekukan dan peregangan.

Q2: Ukuran apa saja yang tersedia untuk AlN pada wafer FSS?

A2Kami menawarkan2 inciDan4 inciUkuran wafer. Ukuran khusus dapat dibahas berdasarkan permintaan untuk memenuhi kebutuhan aplikasi spesifik Anda.

Q3: Bisakah saya menyesuaikan ketebalan lapisan AlN?

A3Ya, ituKetebalan lapisan AlNdapat disesuaikan, dengan rentang tipikal mulai dari100nm hingga 2000nmtergantung pada persyaratan aplikasi Anda.