AlN pada FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS AlN template untuk area semikonduktor

AlN pada FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS Template AlN untuk area semikonduktor Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Wafer AlN pada FSS (Flexible Substrate) menawarkan kombinasi unik dari konduktivitas termal, kekuatan mekanis, dan sifat insulasi listrik yang luar biasa dari Aluminium Nitrida (AlN), yang dipasangkan dengan fleksibilitas substrat berkinerja tinggi. Wafer berukuran 2 inci dan 4 inci ini secara khusus dirancang untuk aplikasi semikonduktor tingkat lanjut, terutama di mana manajemen termal dan fleksibilitas perangkat sangat penting. Dengan opsi NPSS (Non-Polished Substrate) dan FSS (Flexible Substrate) sebagai alas, templat AlN ini ideal untuk aplikasi dalam elektronika daya, perangkat RF, dan sistem elektronik fleksibel, di mana konduktivitas termal yang tinggi dan integrasi yang fleksibel merupakan kunci untuk meningkatkan kinerja dan keandalan perangkat.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Properti

Komposisi Bahan:
Aluminium Nitrida (AlN) – Lapisan keramik putih berkinerja tinggi yang memberikan konduktivitas termal yang sangat baik (biasanya 200-300 W/m·K), isolasi listrik yang baik, dan kekuatan mekanis yang tinggi.
Substrat Fleksibel (FSS) – Film polimer fleksibel (seperti Polimida, PET, dll.) yang menawarkan daya tahan dan kemampuan ditekuk tanpa mengurangi fungsionalitas lapisan AlN.

Ukuran Wafer yang Tersedia:
2 inci (50,8 mm)
4 inci (100mm)

Ketebalan:
Lapisan AlN: 100-2000nm
Ketebalan Substrat FSS: 50µm-500µm (dapat disesuaikan berdasarkan kebutuhan)

Opsi Penyelesaian Permukaan:
NPSS (Non-Polished Substrate) – Permukaan substrat yang tidak dipoles, cocok untuk aplikasi tertentu yang memerlukan profil permukaan yang lebih kasar agar daya rekat atau integrasinya lebih baik.
FSS (Flexible Substrate) – Film fleksibel yang dipoles atau tidak dipoles, dengan pilihan permukaan halus atau bertekstur, tergantung pada kebutuhan aplikasi spesifik.

Sifat Listrik:
Isolasi – Sifat isolasi listrik AlN membuatnya ideal untuk aplikasi semikonduktor tegangan tinggi dan daya.
Konstanta Dielektrik: ~9,5
Konduktivitas Termal: 200-300 W/m·K (tergantung pada tingkat dan ketebalan AlN tertentu)

Sifat Mekanik:
Fleksibilitas: AlN diendapkan pada substrat fleksibel (FSS) yang memungkinkan pembengkokan dan fleksibilitas.
Kekerasan Permukaan: AlN sangat tahan lama dan tahan terhadap kerusakan fisik dalam kondisi pengoperasian normal.

Aplikasi

Perangkat Berdaya Tinggi: Ideal untuk elektronika daya yang memerlukan pembuangan panas tinggi, seperti konverter daya, penguat RF, dan modul LED daya tinggi.

Komponen RF dan Gelombang Mikro: Cocok untuk komponen seperti antena, filter, dan resonator yang membutuhkan konduktivitas termal dan fleksibilitas mekanis.

Elektronik Fleksibel: Sempurna untuk aplikasi di mana perangkat harus menyesuaikan diri dengan permukaan non-planar atau memerlukan desain yang ringan dan fleksibel (misalnya, perangkat yang dapat dikenakan, sensor fleksibel).

Pengemasan Semikonduktor: Digunakan sebagai substrat dalam kemasan semikonduktor, menawarkan pembuangan panas dalam aplikasi yang menghasilkan panas tinggi.

LED dan Optoelektronik: Untuk perangkat yang memerlukan operasi suhu tinggi dengan pembuangan panas yang kuat.

Tabel Parameter

Milik	Nilai atau Rentang
Ukuran Wafer	2 inci (50,8 mm), 4 inci (100 mm)
Ketebalan Lapisan AlN	100nm – 2000nm
Ketebalan Substrat FSS	50µm – 500µm (dapat disesuaikan)
Konduktivitas Termal	200 – 300 W/m·K
Sifat Listrik	Isolasi (Konstanta Dielektrik: ~9,5)
Permukaan Akhir	Dipoles atau Tidak Dipoles
Jenis Substrat	NPSS (Substrat Tidak Dipoles), FSS (Substrat Fleksibel)
Fleksibilitas Mekanik	Fleksibilitas tinggi, ideal untuk elektronik fleksibel
Warna	Putih ke Putih Pucat (tergantung substrat)

Aplikasi

●Elektronika Daya:Kombinasi konduktivitas termal yang tinggi dan fleksibilitas membuat wafer ini sempurna untuk perangkat daya seperti konverter daya, transistor, dan pengatur tegangan yang memerlukan pembuangan panas yang efisien.
●Perangkat RF/Microwave:Karena sifat termal AlN yang unggul dan konduktivitas listrik yang rendah, wafer ini digunakan dalam komponen RF seperti amplifier, osilator, dan antena.
●Elektronik Fleksibel:Fleksibilitas lapisan FSS yang dipadukan dengan manajemen termal AlN yang luar biasa menjadikannya pilihan ideal untuk perangkat elektronik dan sensor yang dapat dikenakan.
●Pengemasan Semikonduktor:Digunakan untuk pengemasan semikonduktor berkinerja tinggi yang mana pembuangan panas yang efektif dan keandalan sangat penting.
●Aplikasi LED & Optoelektronik:Aluminium Nitrida merupakan material yang sangat baik untuk kemasan LED dan perangkat optoelektronik lainnya yang memerlukan ketahanan panas tinggi.

Tanya Jawab (Pertanyaan yang Sering Diajukan)

Q1: Apa keuntungan menggunakan AlN pada wafer FSS?

A1: AlN pada wafer FSS menggabungkan konduktivitas termal dan sifat isolasi listrik AlN yang tinggi dengan fleksibilitas mekanis substrat polimer. Hal ini memungkinkan pembuangan panas yang lebih baik dalam sistem elektronik yang fleksibel sekaligus menjaga integritas perangkat dalam kondisi tekukan dan peregangan.

Q2: Ukuran apa yang tersedia untuk AlN pada wafer FSS?

A2:Kami menawarkan2 inciDan4 inciUkuran wafer. Ukuran khusus dapat didiskusikan berdasarkan permintaan untuk memenuhi kebutuhan aplikasi spesifik Anda.

Q3: Dapatkah saya menyesuaikan ketebalan lapisan AlN?

A3:Ya, ituKetebalan lapisan AlNdapat disesuaikan, dengan kisaran tipikal dari100nm hingga 2000nmtergantung pada persyaratan aplikasi Anda.