Substrat reklamasi dummy wafer silikon 8 inci tipe P/N (100) 1-100Ω

Deskripsi Singkat:

Inventaris besar wafer poles dua sisi, semua wafer berdiameter 50 hingga 400 mm. Jika spesifikasi Anda tidak tersedia dalam inventaris kami, kami telah menjalin hubungan jangka panjang dengan banyak pemasok yang dapat membuat wafer khusus sesuai spesifikasi unik apa pun. Wafer poles dua sisi dapat digunakan untuk silikon, kaca, dan material lain yang umum digunakan dalam industri semikonduktor.

Kirim email ke kami

Fitur

Pengenalan kotak wafer

Wafer silikon 8 inci adalah material substrat silikon yang umum digunakan dan banyak digunakan dalam proses manufaktur sirkuit terpadu. Wafer silikon ini umumnya digunakan untuk membuat berbagai jenis sirkuit terpadu, termasuk mikroprosesor, chip memori, sensor, dan perangkat elektronik lainnya. Wafer silikon 8 inci umumnya digunakan untuk membuat chip berukuran relatif besar, dengan keunggulan antara lain luas permukaan yang lebih besar dan kemampuan untuk membuat lebih banyak chip pada satu wafer silikon, sehingga meningkatkan efisiensi produksi. Wafer silikon 8 inci juga memiliki sifat mekanik dan kimia yang baik, sehingga cocok untuk produksi sirkuit terpadu skala besar.

Fitur produk

Tipe P/N 8", wafer silikon poles (25 pcs)

Orientasi: 200

Resistivitas: 0,1 - 40 ohm•cm (Dapat bervariasi dari batch ke batch)

Ketebalan: 725+/-20um

Kelas Utama/Monitor/Uji

SIFAT MATERIAL

Parameter	Ciri
Tipe/Dopan	P, Boron N, Fosfor N, Antimon N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> orientasi irisan sesuai spesifikasi pelanggan
Kandungan Oksigen	10¹⁹ppmA Toleransi khusus sesuai spesifikasi pelanggan
Kandungan Karbon	< 0,6 ppmA

SIFAT MEKANIK

Parameter	Utama	Monitor/Uji A	Tes
Diameter	200±0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Ketebalan	725±20µm (standar)	725±25µm (standar) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standar)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Busur	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Membungkus	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Pembulatan Tepi	SEMI-STANDAR
Menandai	Hanya SEMI-Datar Utama, SEMI-STD Datar Jeida Datar, Takik

Parameter	Utama	Monitor/Uji A	Tes
Kriteria Sisi Depan
Kondisi permukaan	Kimia Mekanik Dipoles	Kimia Mekanik Dipoles	Kimia Mekanik Dipoles
Kekasaran Permukaan	< 2 °	< 2 °	< 2 °
Kontaminasi Partikel @ >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Kabut, Lubang Kulit jeruk	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Gergaji, Tanda Garis-garis	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Kriteria Sisi Belakang
Retakan, kerutan, bekas gergaji, noda	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Kondisi permukaan	terukir kaustik